Технология тонких пленок и покрытий
книга

Технология тонких пленок и покрытий

Место издания: Екатеринбург

ISBN: 978-5-7996-2560-3

Страниц: 239

Артикул: 100487

Электронная книга
358.5

Краткая аннотация книги "Технология тонких пленок и покрытий"

В учебном пособии рассмотрены физико-химические принципы организации нанесения тонких пленок и покрытий, способы нанесения пленок с использованием как физических, так и химических технологий, методы определения толщин, фазового состава и функциональных свойств пленок халькогенидов металлов и области их применения в электронной технике и альтернативной энергетике. Адресовано бакалаврам и магистрам, обучающимся по направлению 18.03.01 «Химическая технология»; может быть полезно студентам, специализирующимся в области химической технологии материалов и изделий электронной техники, а также инженерам и научным работникам, деятельность которых связана с получением и исследованием тонкопленочных, функциональных материалов для микро- и оптоэлектроники.

Содержание книги "Технология тонких пленок и покрытий"


Предисловие
Глава 1. ПЛЕНКИ И ПОКРЫТИЯ
1.1. История становления тонкопленочных технологий
1.2. Классификация пленок и покрытий
1.3. Отличительные особенности тонкопленочного состояния вещества
Вопросы для самоконтроля
Глава 2. ПОДЛОЖЕЧНЫЕ МАТЕРИАЛЫ
2.1. Материалы подложек, их достоинства и недостатки
2.2. Требования, предъявляемые к подложкам
2.3. Подготовка поверхности подложек
2.4. Жидкостная очистка
2.5. Сухая очистка
2.6. Контроль состояния подготовленной поверхности подложки
Вопросы для самоконтроля
Глава 3. ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ АСПЕКТЫ ФОРМИРОВАНИЯ ПЛЕНОК НА ТВЕРДОЙ МЕЖФАЗНОЙ ПОВЕРХНОСТИ
3.1. Роль процессов адсорбции при межфазных взаимодействиях
3.2. Физико-химические аспекты процесса зарождения новой фазы
3.3. Теоретические представления зарождения пленок на поверхности
3.4. Процесс роста тонких пленок
Вопросы для самоконтроля
Глава 4. ТЕРМОДИНАМИЧЕСКАЯ ОЦЕНКА ВОЗМОЖНОСТИ ОБРАЗОВАНИЯ ГИДРОХИМИЧЕСКИМ ОСАЖДЕНИЕМ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ ХАЛЬКОГЕНИДОВ МЕТАЛЛОВ (курсовая работа)
4.1. Общие сведения о гидрохимическом осаждении
4.2. Расчет граничных условий образования халькогенида, гидроксида и цианамида металла при осаждении тио-, селенокарбамидом
4.3. Расчет граничных условий образования сульфида и гидроксида металла при осаждении тиоацетамидом
4.4. Расчет граничных условий образования селенида и гидроксида металла при осаждении селеносульфатом натрия
4.5. Учет кристаллизационного фактора при образовании твердой фазы халькогенида металла
Приложение 4.1
Приложение 4.2
Приложение 4.3
Глава 5. ГИДРОХИМИЧЕСКИЙ СИНТЕЗ И ИССЛЕДОВАНИЕ ПЛЕНОК ХАЛЬКОГЕНИДОВ МЕТАЛЛОВ
5.1. Гидрохимический синтез фоточувствительных пленок сульфида свинца в присутствии галогенидов аммония (лабораторная работа 1)
Задание и порядок выполнения лабораторной работы
Требования к оформлению отчета
Вопросы для самоконтроля
5.2. Гидрохимический синтез твердых растворов замещения на основе сульфидов свинца и кадмия CdxPb1 – xS (лабораторная работа 2)
Задание и порядок выполнения лабораторной работы
Требования к оформлению отчета
Вопросы для самоконтроля
5.3. Определение толщин тонких пленок халькогенидов металлов с использованием интерференционного микроскопа (лабораторная работа 3)
Задание и порядок выполнения лабораторной работы
Требования к оформлению отчета
Вопросы для самоконтроля
5.4. Исследование фотоэлектрических свойств гидрохимически осажденных пленок сульфида свинца PbS (лабораторная работа 4)
Задание и порядок выполнения лабораторной работы
Требования к оформлению отчета
Вопросы для самоконтроля
5.5. Исследование фотоэлектрических свойств гидрохимически осажденных пленок твердых растворов CdxPb1– xS (лабораторная работа 5)
Задание и порядок выполнения лабораторной работы
Требования к оформлению отчета
Вопросы для самоконтроля
5.6. Определение периода кристаллической решетки и состава гидрохимически осажденных пленок твердых растворов замещения CdxPb1– xS (лабораторная работа 6)
Задание и порядок выполнения лабораторной работы
Требования к оформлению отчета
Вопросы для самоконтроля
Приложение 5.1
Приложение 5.2
Список рекомендуемой литературы

Все отзывы о книге Технология тонких пленок и покрытий

Чтобы оставить отзыв, зарегистрируйтесь или войдите

Отрывок из книги Технология тонких пленок и покрытий

20Применение щ е л о ч н ы х с т е к о л, содержащих окис-лы Na2O, CaO, ограничено нестабильностью их свойств, посколь-ку при нагреве в электрическом поле наблюдается интенсивное вы-щелачивание.Стеклянные подложки обладают высокой популярностьюиз-за их дешевизны и простоты в обращении. К недостаткамподложек из стекла следует отнести малую теплопроводность, чтоне позволяет применять их при повышенном нагреве.Кварц и кварцевое стекло. Кварц – однокомпонентное стек-ло из чистого оксида кремния SiO2. Его получают при 1700 °C плав-лением природных разновидностей кремнезема – горного хруста-ля, жильного кварца и кварцевого песка, а также синтетической дву-окиси кремния. Кварц имеет наименьший коэффициент линейногорасширения (меньше в 10–20 раз, чем у силикатных стекол). Харак-терны высокая механическая прочность, стойкость к тепловым им-пульсам, химическая стойкость.Керамика. Исходными материалами являются порошкообраз-ные окислы, кварц, глинозем, тальк и карбонаты.Смесь сырья отжигают при 1000 °C и измельчают до однород-ного размера зерна. Добавляют около 2 % связующего вещества (па-рафин, поливиниловый спирт), а затем прессуют или придают фор-му ленты, пропуская под режущим инструментом. Отметим, чточем меньше в керамике содержится связующего вещества, тем онапрочнее. Полученную ленту высушивают на воздухе для удалениярастворителя, после чего вырезают подложки желаемой формы. Вы-резанные подложки спекают при 1500–1700 °C. После спекания ке-рамика имеет шероховатую поверхность, которую улучшают шли-фовкой и полировкой, однако данные операции дорогостоящие.Для улучшения поверхности керамические подложки покрываютстеклянной глазурью и еще раз отжигают. Подложки из керамикиимеют поликристаллическую структуру.Изготавливают керамику с различным содержанием оксидов:а л ю м и н и е в а я к е р а м и к а Al2O3 и б е р и л л и е в а як е р а м и к а BeO.