Гидрохимическое осаждение тонких пленок халькогенидов металлов

Читать фрагмент

книга

Гидрохимическое осаждение тонких пленок халькогенидов металлов

Автор: Лариса Маскаева, Вячеслав Марков, Станислав Туленин, Наталья Форостяная

В практикуме представлены оригинальные расчетные задания по определению условий образования твердой фазы, а также большой цикл лабораторных работ по гидрохимическому осаждению тонких пленок халькогенидов металлов, изучению их полупроводниковых и фотоэлектрических свойств с использованием современной приборной базы. Рассмотрены условия и режимы подготовки поверхности подложки к осаждению, влияние материала подложки на морфологию и фоточувствительные свойства получаемых пленок, методы определения их толщин, приемы сенсибилизации пленок к ИК-излучению.Рекомендовано студентам высших учебных заведений, в первую очередь магистрам, проходящим обучение по программам материаловедческого профиля.

Форматы: PDF

Издательство: Издательство Уральского университета

Год: 2017

Место издания: Екатеринбург

ISBN: 978-5-7996-2141-4

Страниц: 286

Артикул: 99506

Электронная книга

286 ₽

Купить и скачать

Содержание

Содержание книги "Гидрохимическое осаждение тонких пленок халькогенидов металлов "

Предисловие

Глава 1. РАСЧЕТНЫЕ МЕТОДЫ ОПРЕДЕЛЕНИЯ УСЛОВИЙ ОБРАЗОВАНИЯ ТВЕРДОЙ ФАЗЫ ХАЛЬКОГЕНИДОВ МЕТАЛЛОВ ПРИ ОСАЖДЕНИИ ИЗ ВОДНЫХ СРЕД

Лабораторная работа 1. Определение условий образования твердой фазы халькогенидов металлов при гидрохимическом осаждении

1. Общие сведения о гидрохимическом осаждении

2. Расчет граничных условий образования халькогенида, гидроксида и цианамида металла

3. Учет кристаллизационного фактора при образовании халькогенидов металлов

4. Влияние природы лиганда на граничные условия образования

5. Расчет образования халькогенидов металлов с учетом степени превращения соли металла

6. Условия образования из водных сред твердых растворов халькогенидов металлов

Приложение 1

Приложение 2

Приложение 3

Глава 2. КИНЕТИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ ТВЕРДОЙ ФАЗЫ ХАЛЬКОГЕНИДОВ МЕТАЛЛОВ

2.1. Основные понятия химической кинетики

2.2. Классификации химических реакций

2.3. Влияние температуры на скорость химических реакций. Энергия активации

2.4. Методы определения порядка реакции

2.5. Трактовка механизмов химических превращений

2.6. Экспериментальное получение кинетических зависимостей и их обработка

Лабораторная работа 2. Изучение кинетики осаждения твердой фазы CdS в условиях самопроизвольного зарождения. Определение энергии активации процесса

1. Экспериментальная часть

2. Определение концентрации ионов кадмия

Лабораторная работа 3. Изучение кинетики осаждения твердой фазы PbS в условиях контролирования площади поверхности. Определение энергии активации процесса

1. Кинетические особенности осаждения сульфида свинца

2. Экспериментальная часть

3. Определение концентрации ионов свинца

Глава 3. ГИДРОХИМИЧЕСКОЕ ОСАЖДЕНИЕ ТОНКИХ ПЛЕНОК ХАЛЬКОГЕНИДОВ МЕТАЛЛОВ И ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ НА ИХ ОСНОВЕ

3.1. Формирование пленок халькогенидов металлов при гидрохимическом осаждении

3.2. Взаимодействие тиомочевины с солями металлов

3.3. Зарождение пленок халькогенидов металлов

3.4. Механизм роста пленок сульфидов металлов

3.5. Фрактальный характер коллоидно-химической составляющей раствора в процессе образования халькогенида металла

3.6. Компьютерное моделирование формирования пленок халькогенидов металлов

3.7. Принципиальная схема гидрохимического осаждения пленок халькогенидов металлов на примере MеS

3.8. Регламент процесса химического осаждения

3.9. Подготовка подложки к осаждению пленки

3.10. Обработка осажденной пленки

Лабораторная работа 4. Гидрохимическое осаждение тонких пленок CdS

1. Применение и свойства пленок CdS

2. Характеристика полупроводникового соединения CdS

3. Структура и состав химически осажденных пленок CdS

4. Методика гидрохимического синтеза пленок CdS

Лабораторная работа 5. Гидрохимическое осаждение тонких пленок PbS

Лабораторная работа 6. Гидрохимическое осаждение тонких пленок CuS и Cu2S

1. Характеристика полупроводниковых соединений Cu2–хS

2. Методы получения тонких пленок сульфида меди

3. Получение сульфида меди методом гидрохимического осаждения

4. Методика гидрохимического синтеза пленок CuS

Лабораторная работа 7. Химическое осаждение тонких пленок PbSe

1. Материалы для детекторов среднего ИК-диапазона

2. Структура, состав, полупроводниковые свойства PbSe

3. Фотоэлектрические свойства, области применения PbSe

4. Методы получения тонких пленок селенида свинца

5. Гидрохимическое осаждение пленок селенидов металлов

6. Методы и условия сенсибилизации пленок селенидов металлов к ИК-излучению

7. Методика химического синтеза пленок PbSe

Лабораторная работа 8. Химическое осаждение тонких пленок CdSe

1. Физико-химические и кристаллографические свойства CdSe 168

2. Методы получения тонких пленок CdSe

3. Методика химического синтеза пленок CdSe

Лабораторная работа 9. Химическое осаждение тонких пленок твердых растворов замещения на основе CdS–PbS

1. Основные факторы изоморфной смесимости при образовании твердых растворов

2. Прогнозирование образования твердых растворов замещения на основе сульфида свинца

3. Механизм образования пленок пересыщенных твердых растворов халькогенидов металлов

4. Методика гидрохимического синтеза пленок твердого раствора замещения CdxPb1–xS

Лабораторная работа 10. Влияние материала подложки на гидрохимический синтез тонких пленок халькогенидов металлов

1. Роль подложки при осаждении пленок. Подложечные материалы, их свойства, требования к выбору материала подложки

2. Материалы подложек

3. Виды загрязнений поверхности подложек

4. Методы подготовки поверхности подложек

5. Экспериментальная часть

Лабораторная работа 11. Определение толщины тонких пленок халькогенидов металлов с использованием интерференционного микроскопа

1. Методы определения толщин тонких пленок

2. Экспериментальная часть

Глава 4. ОПТИЧЕСКИЕ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТОНКИХ ПЛЕНОК ХАЛЬКОГЕНИДОВ МЕТАЛЛОВ И ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ НА ИХ ОСНОВЕ

Лабораторная работа 12. Термосенсибилизация пленок PbSe

1. Роль термообработки в сенсибилизации пленок к оптическому излучению

2. Режимы термообработки пленок селенида свинца

3. Экспериментальная часть

Лабораторная работа 13. Определение оптической ширины запрещенной зоны в полупроводниковых пленках халькогенидов металлов

1. Элементы зонной теории полупроводников

2. Методы определения ширины запрещенной зоны полупроводника

3. Взаимодействие света с материалом полупроводника

4. Описание установки и методика эксперимента

Лабораторная работа 14. Фотоэлектрические свойства тонких пленок сульфидов металлов и твердых растворов на их основе

1. Инфракрасное излучение, его источники и законы распространения

2. Приемники инфракрасного излучения

3. Параметры и характеристики приемников излучения

4. Технология изготовления фоточувствительных элементов

5. Принципиальная блок-схема по измерению фотоэлектрических параметров К.54.410

6. Экспериментальная часть

Приложение 4

Приложение 5

Список рекомендуемой литературы

Отрывок из книги

18металла с участием различных лигандов и халькогенизатором. В об-щем виде процесс может быть описан следующим уравнением,в котором L – молекулярная форма лиганда: 2+24222CdL + N H CS Se + 4ОН = = CdS+ L + CN + 4H Oхх(1.28)Связывание металла в комплекс проводится для того, чтобы за-медлить процесс осаждения сульфида с целью формирования крис-таллитов и пленочной формы CdS в реакционной системе. Есте-ственно при этом предположить, что использование различныхпо силе, концентрации и развитости пространственной структурылигандов окажет влияние на скорость и механизм процесса вслед-ствие изменения количества свободных ионов металла, позволяятаким образом контролировать процесс и получать образцы с необ-ходимыми параметрами поверхности.Чаще всего при получении тонких пленок сульфида кадмиягидрохимическим осаждением в качестве комплексующего ионыCd2+ агента используется аммиак.Рассмотрим влияние лигандного фона на область образова-ния сульфида кадмия при использовании следующих комплексую-щих кадмий компонентов: цитрат-ионы C6H5О37–, этилендиаминH2NCH2CH2NH2, аммиак NH3 и смесь аммиака и цитрат-ионов.Предварительно с целью определения преобладающих в раство-ре комплексных форм, оказывающих определяющее влияние на ско-рость процесса, был проведен анализ ионных равновесий в систе-ме CdCl2 – лиганд – N2H4CS, где в качестве лигандов использовалицитрат-ионы, этилендиамин, аммиак и смесь последнего с цитрат-ионами. Вклад в общую концентрацию металла каждого из присут-ствующих в растворе комплексов можно рассчитать согласно (1.5),подставляя в числитель выражения вместо концентрации свобод-ного иона кадмия концентрацию соответствующего комплекса.Результаты расчетов долевых концентраций различных комп-лексных форм кадмия в водном растворе для цитратной, этилен-диаминовой, аммиачной и цитратно-аммиачной систем в виде гра-фических зависимостей от величины pH изображены на рис. 1.3.

Внимание!
При обнаружении неточностей или ошибок в описании книги "Гидрохимическое осаждение тонких пленок халькогенидов металлов (автор Лариса Маскаева, Вячеслав Марков, Станислав Туленин, Наталья Форостяная)", просим Вас отправить сообщение на почту help@directmedia.ru. Благодарим!

Гидрохимическое осаждение тонких пленок халькогенидов металлов

Содержание

Отрывок из книги

Маскаева Л. Н. другие книги автора

С книгой "Гидрохимическое осаждение тонких пленок халькогенидов металлов" читают