Технология химического осаждения пленок халькогенидов металлов
В учебном пособии изложены теоретический материал и алгоритмы выполнения курсовых работ, предлагаемых студентам по ряду профильных дисциплин, связанных с прогнозированием условий и проведением процесса осаждения полупроводниковых пленок на основе халькогенидов металлов и других сопутствующих фаз. Приведены необходимый для выполнения расчетов обширный справочный материал, рекомендации по содержанию и оформлению отчетов. Исходя из известных рабочих рецептур, подобраны различные варианты индивидуальных заданий по курсовым работам.Предназначено для студентов бакалавриата и магистрантов, обучающихся по программе «Химическая технология материалов электроники, сенсорной аналитики и неорганических веществ», будет полезно аспирантам различных специальностей и преподавателям вузов.
Содержание
Содержание книги "Технология химического осаждения пленок халькогенидов металлов "
Отрывок из книги
22Из уравнений (1.52) видно, что селенид-ионы лишь частично находятсяв свободном (незакомплексованном) виде, поэтому суммарная аналитическаяконцентрация селена СSe в водном растворе селеносульфата натрия равнаCSe = [H2Se] + [HSe–] + [Se2–]Долевые концентрации различных форм селеноводорода определяютсяаналогично сероводороду, образующемуся при разложении тиоацетамида: 2232H SeSeSe[H O ][H Se]βC(1.53)–13HSeHSeSeSe[H O ][HSe ]βkC22–1, 22H SеSeSеSе[Sе ]βkCИз приведенных уравнений следует, что сумма долевых концентрацийразличных форм селеноводорода равна 1.Показатели, связывающие ступенчатые константы ионизации H2Se (Se)и рН, можно определить по формуле2+ 2+11, 2Se33Н SeHSeβ[H O ][H O ]kkОтметим, что при разложении селеносульфата натрия селеноводороди сульфат-ионы образуются в эквимолярных количествах, т. е. выполняетсяследующее равенство:2–4Se0SOСCCПодставим в уравнение (1.52) выражение (1.53) и представим константуравновесия процесса разложения СС в виде 222–2+ 20H Se2p4p03С2–2–2–3p3p3pSe[H Se][SO ][H O ][SeSO ][SeSO ][SeSO ]βCCK (1.54)Из выражения (1.54) определим2–C3pSe0+3[SeSO ]β[H O ]KC
Маскаева Л. Н. другие книги автора
С книгой "Технология химического осаждения пленок халькогенидов металлов" читают
Внимание!
При обнаружении неточностей или ошибок в описании книги "Технология химического осаждения пленок халькогенидов металлов (автор Лариса Маскаева, Вячеслав Марков, Наталья Форостяная, Екатерина Федорова, Станислав Туленин)", просим Вас отправить сообщение на почту help@directmedia.ru. Благодарим!
и мы свяжемся с вами в течение 15 минут
за оставленную заявку