Радиационные воздействия излучений на материалы электронной техники : оксид бериллия
Здесь можно купить книгу "Радиационные воздействия излучений на материалы электронной техники : оксид бериллия" в печатном или электронном виде. Также, Вы можете прочесть аннотацию, цитаты и содержание, ознакомиться и оставить отзывы (комментарии) об этой книге.
Автор: Игорь Огородников, Владимир Иванов
Форматы: PDF
Издательство: Издательство Уральского университета
Год: 2019
Место издания: Екатеринбург
ISBN: 978-5-7996-2601-3
Страниц: 323
Артикул: 100523
Краткая аннотация книги "Радиационные воздействия излучений на материалы электронной техники"
Учебное пособие «Радиационные воздействия излучений на материалы электронной техники. Оксид бериллия» направлено на развитие у студентов навыков создания теоретических и математических моделей и методов расчета современных физических установок и устройств автоматики физических установок, приборов радиационной безопасности человека и окружающей среды, а также различных приборов биофизического и медицинского назначения.
Содержание книги "Радиационные воздействия излучений на материалы электронной техники"
Предисловие
1. Радиационные воздействия излучения на материалы и компоненты микроэлектронной техники
1.1. Влияние радиации на материалы электронной техники
1.2. Радиационные эффекты в МОП-структурах
1.3. Радиационные эффекты в биполярных транзисторах
1.4. Пути повышения радиационной стойкости компонентов
2. Оксид бериллия. Получение и свойства
2.1. Общая характеристика
2.2. Кристаллическая структура
2.3. Кристаллофизика и динамика решетки
2.4. Методы получения BeO
3. Энергетическая структура и электронные возбуждения
3.1. Квантово-химические расчеты электронной структуры
3.2. Элементарные электронные возбуждения
3.3. Спектры оптических постоянных и потерь энергии
4. Сосуществование СЭ и АЛЭ
4.1. Автолокализация электронных возбуждений
4.2. Сосуществование СЭ и АЛЭ в BeO
4.3. Короткоживущее оптическое поглощение АЛЭ в BeO
4.4. Поляризованная люминесценция АЛЭ
4.5. Околопримесные экситоны в BeO
4.6. Особенности автолокализации экситонов в оксидах
5. Дефекты решетки
5.1. Кристаллохимические аспекты дефектообразования
5.2. Собственные и примесные точечные дефекты
5.3. Комплексные дефекты
6. Оптические переходы и электронная структура дефектов
6.1. Оптические переходы в точечных дефектах
6.2. Люминесценция точечных дефектов
6.3. Электронная структура дефектов
7. Накопление, отжиг и трансформация дефектов
7.1. Биографические дефекты
7.2. Накопление радиационных дефектов
7.3. Отжиг и трансформация радиационных дефектов
8. Флуктуационное разупорядочение BeO
8.1. Флуктуационная перестройка и особенности динамики решетки
8.2. Спонтанная эмиссия BeO и флуктуационная перестройка
8.3. Особенности ТСЛ в области трансформации АЛЭ
Заключение
Список библиографических ссылок
Предметно-именной указатель
Приложения
А. Электронное строение оксида бериллия
Б. Точечные дефекты оксида бериллия
В. Электронная структура точечных дефектов
Г. Температурные границы проявления «аномалий» в BeO
Все отзывы о книге Радиационные воздействия излучений на материалы электронной техники : оксид бериллия
Отрывок из книги Радиационные воздействия излучений на материалы электронной техники : оксид бериллия
1. Радиационные воздействия излучения на материалы и компонентыРис. 1.18. Спектры шумового напряженияn-МОП-структур (130 нм) до радиа-ционного воздействия (сплошные кривые) и послеγ-облучения источником60Co(светлые кружки):а– стандартная компоновка,D= 100 кГр;б– закрытая ком-поновка,D= 1 МГр [56]Шумовые характеристикиn-МОП-структуры с закрытой компонов-кой также более устойчивы к радиационному воздействию в сравне-нии с таковыми для стандартной компоновки. На рис. 1.18 приведеныспектры шумового напряжения двухn-МОП-структур (130 нм) послеγ-облучения (60Co). Из рис. 1.18 видно, что в случае стандартной ком-поновки радиационное воздействие дозой 100 кГр привело к увеличе-нию в несколько раз шумового напряжения по всему спектру. В случаезакрытой компоновкиn-МОП-структура демонстрирует гораздо боль-шую радиационную стойкость: даже десятикратное повышение дозыпо сравнению с первым случаем не привело к сколько-нибудь замет-ному повышению шумового напряжения по всему спектру.Радиационная стойкостьp-МОП-структур.При прочих равныхусловиях радиационная стойкостьp-МОП-структур выше таковой дляn-МОП-структур. Причина этого состоит в том, что радиационно-индуцированный положительный электрический заряд, локализован-ный на мелких канавках изолирующего оксидного слоя, не оказываетвлияния на токи утечкиp-МОП-структур, поскольку подложка тамимеетn-тип проводимости. В результате, полупроводник (Si), располо-женный подSTI (мелкими канавками изолятора), просто накапливаеткомплементарный зарядвместо инверсии проводимости. На рис. 1.19приведены спектры шумового напряженияp-МОП- иn-МОП-структур(90 нм) в стандартной компоновке после радиационного воздействияγ-излучением (60Co, 1 МГр). На рис. 1.19 приведены спектры шу-мового напряженияp-МОП- иn-МОП-структур (90 нм) в стандарт-ной компоновке, измеренные до радиационного воздействия и послеγ-облучения 1 МГр от источника60Co. Из рис. 1.19 следуют два ка-чественных вывода о радиационной стойкости этих МОП-структур.42
С книгой "Радиационные воздействия излучений на материалы электронной техники" читают
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Бестселлеры нон-фикшн
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Новинки книги нон-фикшн
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Внимание!
При обнаружении неточностей или ошибок в описании книги "Радиационные воздействия излучений на материалы электронной техники : оксид бериллия (автор Игорь Огородников, Владимир Иванов)", просим Вас отправить сообщение на почту help@directmedia.ru. Благодарим!
и мы свяжемся с вами в течение 15 минут
за оставленную заявку