Современные устройства и элементы наноэлектроники
В пособии рассмотрены физические основы, а также основные типы современных и перспективных элементов наноэлектроники. Особое внимание уделено полевым транзисторам с индуцированным каналом (МОП), их масштабированию и побочным эффектам миниатюризации. Рассмотрены краткие теоретические сведения и задания для практических занятий по разделам, не нашедшим отражения в основной части пособия.Настоящее пособие может быть использовано в учебных целях в вузах физического, приборостроительного и электротехнического профилей.
Содержание
Содержание книги "Современные устройства и элементы наноэлектроники "
Отрывок из книги
232.МОП-транзисторыикороткоканальныеэффектыБез сомнения, главным устройством, открывшим эру современ-ной микро- и наноэлектроники, является нелинейный эле-мент — транзистор, позволяющий управлять большими тока-ми при помощи малых токов (биполярные транзисторы) или малых напряжений (полевые транзисторы). За счет меньшего энергопотре-бления и лучшей масштабируемости размеров, наибольшее приме-нение в больших интегральных схемах получили полевые транзисто-ры, в частности, с изолированным затвором, построенные на базе структуры «металл — диэлектрик — полупроводник» (МДП). Исто-рически наиболее распространенным диэлектриком являлся оксид кремния, поэтому такие транзисторы часто называют МОП (металл — оксид — полупроводник, англ. MOSFET). В современных условиях затвор необязательно выполнен из металла и диэлектриком могут яв-ляться нитриды или оксиды металлов.В настоящей главе приведены краткие сведения о принципе работы и простейшие уравнения, описывающие действие МОПТ. В дальней-ших параграфах рассматриваются основные эффекты, возникающие в процессе масштабирования таких транзисторов, а также существу-ющие методы борьбы с ними, позволившие довести технологическую норму производства микросхем до 10 нм.2.1.ПростейшаямодельМОП-транзисторасдлиннымканаломНапомним, что МОП-транзистор в интегральном исполнении имеет четыре вывода: исток, сток, затвор и подложка. В данном разделе бу-дет приведена популярная схема с общим истоком, в которой все по-
Внимание!
При обнаружении неточностей или ошибок в описании книги "Современные устройства и элементы наноэлектроники (автор Евгений Бунтов, Александр Вохминцев, Татьяна Штанг)", просим Вас отправить сообщение на почту help@directmedia.ru. Благодарим!
и мы свяжемся с вами в течение 15 минут
за оставленную заявку