Современные устройства и элементы наноэлектроники
книга

Современные устройства и элементы наноэлектроники

Здесь можно купить книгу "Современные устройства и элементы наноэлектроники " в печатном или электронном виде. Также, Вы можете прочесть аннотацию, цитаты и содержание, ознакомиться и оставить отзывы (комментарии) об этой книге.

Место издания: Екатеринбург

ISBN: 978-5-7996-3090-4

Страниц: 135

Артикул: 101053

Электронная книга
135

Краткая аннотация книги "Современные устройства и элементы наноэлектроники"

В пособии рассмотрены физические основы, а также основные типы современных и перспективных элементов наноэлектроники. Особое внимание уделено полевым транзисторам с индуцированным каналом (МОП), их масштабированию и побочным эффектам миниатюризации. Рассмотрены краткие теоретические сведения и задания для практических занятий по разделам, не нашедшим отражения в основной части пособия. Настоящее пособие может быть использовано в учебных целях в вузах физического, приборостроительного и электротехнического профилей.

Содержание книги "Современные устройства и элементы наноэлектроники"


Список сокращений
Введение
1. Элементы низкоразмерных структур. Гетеропереходы
1.1. Свободная поверхность и поверхностные состояния
1.2. Межфазные границы: атомная и зонная структура
1.3. Низкоразмерные структуры и квантовое ограничение
2. МОП-транзисторы и «короткоканальные» эффекты
2.1. Простейшая модель МОП-транзистора с длинным каналом
2.2. Связь статических и динамических характеристик МОПТ
2.3. Эффекты масштабирования транзисторов
3. Технологии миниатюризации транзисторов в кремниевой электронике
3.1. Токи утечки и масштабирование транзисторов
3.2. Технологии борьбы с токами утечки
3.3. Альтернативные типы транзисторов
4. Основы одноэлектроники
4.1. Одноэлектронный транспорт и туннелирование
4.2. Одноэлектронный транзистор
4.3. Примеры одноэлектронных устройств
5. Современные элементы памяти
5.1. Магнитная память
5.2. Сегнетоэлектрическая память
5.3. Память с изменением фазового состояния
5.4. Резистивная память. Мемристоры
6. Квантовые компьютеры
6.1. Квантовые биты и регистры
6.2. Квантовые операции
6.3. Практическая реализация квантовых компьютеров
6.4. Перспективные квантовые алгоритмы
7. Экспериментальные аспекты наноэлектроники
7.1. Исследование туннельного эффекта на туннельном диоде
7.2. Исследование характеристик МОП-транзисторов
7.3. Моделирование работы МОП-транзистора
7.4. Исследование резонансно-туннельного эффекта
7.5. Моделирование ионной имплантации
Библиографический список

Все отзывы о книге Современные устройства и элементы наноэлектроники

Чтобы оставить отзыв, зарегистрируйтесь или войдите

Отрывок из книги Современные устройства и элементы наноэлектроники

232.МОП-транзисторыикороткоканальныеэффектыБез сомнения, главным устройством, открывшим эру современ-ной микро- и наноэлектроники, является нелинейный эле-мент — транзистор, позволяющий управлять большими тока-ми при помощи малых токов (биполярные транзисторы) или малых напряжений (полевые транзисторы). За счет меньшего энергопотре-бления и лучшей масштабируемости размеров, наибольшее приме-нение в больших интегральных схемах получили полевые транзисто-ры, в частности, с изолированным затвором, построенные на базе структуры «металл — диэлектрик — полупроводник» (МДП). Исто-рически наиболее распространенным диэлектриком являлся оксид кремния, поэтому такие транзисторы часто называют МОП (металл — оксид — полупроводник, англ. MOSFET). В современных условиях затвор необязательно выполнен из металла и диэлектриком могут яв-ляться нитриды или оксиды металлов.В настоящей главе приведены краткие сведения о принципе работы и простейшие уравнения, описывающие действие МОПТ. В дальней-ших параграфах рассматриваются основные эффекты, возникающие в процессе масштабирования таких транзисторов, а также существу-ющие методы борьбы с ними, позволившие довести технологическую норму производства микросхем до 10 нм.2.1.ПростейшаямодельМОП-транзисторасдлиннымканаломНапомним, что МОП-транзистор в интегральном исполнении имеет четыре вывода: исток, сток, затвор и подложка. В данном разделе бу-дет приведена популярная схема с общим истоком, в которой все по-

Внимание!
При обнаружении неточностей или ошибок в описании книги "Современные устройства и элементы наноэлектроники (автор Евгений Бунтов, Александр Вохминцев, Татьяна Штанг)", просим Вас отправить сообщение на почту help@directmedia.ru. Благодарим!