Основы промышленной электроники
книга

Основы промышленной электроники

Автор: Дмитрий Кушнер

Форматы: PDF

Издательство: РИПО

Год: 2020

Место издания: Минск

ISBN: 978-985-503-975-5

Страниц: 273

Артикул: 79154

Электронная книга
402

Краткая аннотация книги "Основы промышленной электроники"

В учебном пособии рассматриваются вопросы основ полупроводниковой электроники, аналоговой и цифровой схемотехники. Описывается работа полупроводниковых приборов и схем на их основе, схемотехника аналоговых устройств на основе операционных усилителей, силовая электроника. Раскрываются вопросы дискретного и аналогового управления производственными процессами и др. Предназначается учащимся учреждений среднего специального образования по специальностям «Монтаж и эксплуатация электрооборудования», «Городской электрический транспорт», «Электроснабжение».

Содержание книги "Основы промышленной электроники"


Введение
Глава 1. Пассивные элементы электронных устройств
1.1. Резисторы
1.2. Конденсаторы
1.3. Катушки индуктивности
Глава 2. Полупроводниковые приборы
2.1. Физико-химические свойства полупроводников
2.2. Электронно-дырочный переход
2.3. Вольт-амперная характеристика электронно-дырочного перехода
2.4. Особенности реальных электронно-дырочных переходов
2.5. Разновидности электрических переходов и контактов
2.6. Полупроводниковые диоды
2.7. Биполярные транзисторы
2.8. Полевые транзисторы
2.9. Тиристоры
Глава 3. Оптоэлектронные приборы
3.1. Общие сведения
3.2. Излучающие полупроводниковые приборы
3.3. Жидкокристаллические устройства воспроизведения изображений
3.4. Полупроводниковые приемники излучения
3.5. Оптопары
3.6. Твердотельные реле
Глава 4. Интегральные микросхемы
4.1. Общие сведения
4.2. Технология изготовления полупроводниковых интегральных микросхем
4.3. Компоненты интегральных микросхем
4.4. Пленочные интегральные микросхемы
4.5. Гибридные интегральные микросхемы
Глава 5. Усилители
5.1. Общие сведения
5.2. Основные параметры усилителей
5.3. Каскады усилителей низкой частоты
5.4. Выходные каскады усилителей
5.5. Усилители мощности
Глава 6. Операционные усилители
6.1. Общие сведения
6.2. Свойства операционных усилителей
6.3. Основные параметры операционных усилителей
6.4. Основные схемы включения операционных усилителей
6.5. Вычислительные схемы на основе операционных усилителей 152
6.6. Функциональные преобразователи
Глава 7. Электронные генераторы
7.1. Общие сведения
7.2. Условия самовозбуждения генератора
7.3. Автогенераторы гармонических колебаний
7.4. Стабилизация частоты автогенераторов гармонических колебаний
7.5. Генераторы импульсов
7.6. Генераторы на основе операционных усилителей
Глава 8. Источники вторичного электропитания
8.1. Структуры источников электропитания
8.2. Выпрямительные устройства
8.3. Сглаживающие фильтры
8.4. Линейные стабилизаторы напряжения
8.5. Импульсные стабилизаторы напряжения
Глава 9. Логические основы цифровых устройств
9.1. Общие сведения
9.2. Элементы алгебры логики
9.3. Основные функции и законы алгебры логики
9.4. Базисы в алгебре логики
9.5. Переход от логической функции к логической схеме
9.6. Схемотехническая реализация основных логических функций
Глава 10. Триггеры
10.1. Общие сведения
10.2. RS-триггеры
10.3. Т-триггер
10.4. D-триггер
10.5. JK-триггер
10.6. Микросхемы интегральных триггеров
Глава 11. Цифровые и комбинированные электронные схемы
11.1. Компараторы, цифроаналоговые и аналого-цифровые преобразователи
11.2. Счетчики и регистры
11.3. Дешифраторы
11.4. Шифраторы
Глава 12. Микропроцессорная техника
12.1. Общие сведения
12.2. Типы микропроцессоров и архитектура вычислительных устройств
12.3. Микропроцессорные системы и микроконтроллеры
12.4. Системы автоматизированного управления в энергетике
Литература
Приложение

Все отзывы о книге Основы промышленной электроники

Чтобы оставить отзыв, зарегистрируйтесь или войдите

Отрывок из книги Основы промышленной электроники

28ГЛАВА 2. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ2.1. ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВЭнергетические зоны полупроводниковК полупроводникам относят вещества, которые по своему удельному сопротивлению (ρ = 10–5–1010 Ом⋅см) занимают про-межуточное положение между проводниками и диэлектриками. Характерной чертой полупроводников, отличающей их от других веществ, является сильная зависимость удельной прово-димости от воздействия внешних факторов (температуры, элек-трического поля, света, деформации и др.), а также содержания структурных дефектов и примесей.Полупроводниковые соединения можно разделить на не-сколько типов: • простые полупроводниковые материалы – собственно хи-мические элементы: бор (B), углерод (C), германий (Ge), кремний (Si), селен (Se), сера (S), сурьма (Sb), теллур (Te) и йод (I). Са-мостоятельное применение нашли германий, кремний и селен. Остальные чаще всего применяют в качестве легирующих до-бавок или в качестве компонентов сложных полупроводниковых материалов;• сложные полупроводниковые материалы, включающие химические соединения из двух, трех химических элементов и более. Полупроводниковые материалы из двух элементов называ-ют бинарными (бинарные соединения, содержащие мышьяк, на-зывают арсенидами, серу – сульфидами, теллур – теллуридами, углерод – карбидами).Все вещества состоят из атомов, образованных положительно заряженным ядром и электронами, вращающимися вокруг него по орбитам с определенными радиусами. Каждый электрон, вхо-