Физика полупроводниковых приборов
книга

Физика полупроводниковых приборов

Автор: Владимир Филиппов, Сергей Мицук

Форматы: PDF

Издательство: Липецкий государственный педагогический университет им. П.П. Семенова-Тян-Шанского

Год: 2016

Место издания: Липецк

ISBN: 978-5-88526-787-8

Страниц: 125

Артикул: 76071

Возрастная маркировка: 16+

Электронная книга
125

Краткая аннотация книги "Физика полупроводниковых приборов"

Настоящий лабораторный практикум содержит 10 методических руководств, посвященных описанию опыта и методики постановки ряда лабораторных работ по физике полупроводников и полупроводниковых приборов. Отличительной особенностью практикума является подробное рассмотрение теоретической части лабораторных работ, причем уровень изложения материала предназначен для студентов, впервые знакомящихся с существом дела. Опыт постановки лабораторных работ по курсу "Физика полупроводниковых приборов" может быть использован студентами и преподавателями в других вузах.

Содержание книги "Физика полупроводниковых приборов"


Вступление
Работа № 1. Электропроводность полупроводников как явление переноса носителей заряда
Работа № 2. Релаксация фотопроводимости в полупроводниках
Работа № 3. Определение концентрации и подвижности носителей заряда в полупроводниках путем измерения коэффициента Холла
Работа № 4. Электронно-дырочный переход в полупроводниках и его фотоэлектрические свойства
Работа № 5. Фото-э.д.с. в полупроводниках и изучение полупроводникового фотоэлемента
Работа № 6. Физика полупроводниковых светоизлучающих диодов
Работа № 7. Изучение полупроводникового инжекционного лазера
Работа № 8. Физические основы работы биполярного транзисторного ключа
Работа № 9. Физические основы работы полевого транзисторного ключа
Работа № 10. Изучение электронных логических элементов

Все отзывы о книге Физика полупроводниковых приборов

Чтобы оставить отзыв, зарегистрируйтесь или войдите

Отрывок из книги Физика полупроводниковых приборов

63 ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 5 ФОТО-Э.Д.С. В ПОЛУПРОВОДНИКАХ И ИЗУЧЕНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ФОТОЭЛЕМЕНТА Цель работы: изучение вентильного фотоэффекта в полупроводниковых структурах с p-n-переходом; экспериментальное измерение световых характери-стик кремниевого фотоэлемента; опытное получение нагрузочных вольт-амперных характеристик кремниевого фотоэлемента. Приборы и принадлежности: кремниевый фотоэлемент, источник тока, ос-ветитель (светодиод), люксметр, нагрузочный реостат, микроамперметр, вольт-метр цифровой, комплект соединительных проводов. Теоретическое введение §1. Вентильный фотоэффект в полупроводниковых структурах с электронно-дырочным переходом Рассмотрим физические процессы, происходящие при освещении p-n-перехода. При освещении p-n-перехода, например, со стороны р-области (рис. 1а) све-том, энергия кванта  которого достаточна для образования пары электрон-дырка, вблизи границы p-n-перехода образуются пары электрон-дырка. Образо-вавшиеся неравновесные свободные электроны и дырки участвуют в тепловом движении и перемещаются в различных направлениях, в том числе и к p-n-переходу. Контактное поле p-n-перехода разделяет главным образом диффундирующие к нему неосновные избыточные носители заряда: электроны, подошедшие к p-n-переходу, подхватываются полем контактной разности потенциалов и выбра-сываются в n-область, а дырки остаются в р-области. Вследствие этого электрон-ная область заряжена отрицательно, а дырочная – положительно. При этом возни-кает некоторая равновесная разность потенциалов (напряжение холостого хода или фото-э.д.с.) и электрическое поле, направленное противоположно контактно-му полю, которое компенсирует частично потенциальный барьер p-n-перехода при данной освещенности. Явление возникновения электродвижущей силы между двумя областями по-лупроводника с разным типом проводимости, разделенными p-n-переходом, на-зывается фотогальв...