Радиационные воздействия излучений на материалы электронной техники

Читать фрагмент

книга

Радиационные воздействия излучений на материалы электронной техники

Автор: Игорь Огородников, Владимир Иванов

Учебное пособие «Радиационные воздействия излучений на материалы электронной техники. Оксид бериллия» направлено на развитие у студентов навыков создания теоретических и математических моделей и методов расчета современных физических установок и устройств автоматики физических установок, приборов радиационной безопасности человека и окружающей среды, а также различных приборов биофизического и медицинского назначения.

Форматы: PDF

Издательство: Издательство Уральского университета

Год: 2019

Место издания: Екатеринбург

ISBN: 978-5-7996-2601-3

Страниц: 323

Артикул: 100523

Электронная книга

485 ₽

Купить и скачать

Содержание

Содержание книги "Радиационные воздействия излучений на материалы электронной техники : оксид бериллия"

Предисловие

1. Радиационные воздействия излучения на материалы и компоненты микроэлектронной техники

1.1. Влияние радиации на материалы электронной техники

1.2. Радиационные эффекты в МОП-структурах

1.3. Радиационные эффекты в биполярных транзисторах

1.4. Пути повышения радиационной стойкости компонентов

2. Оксид бериллия. Получение и свойства

2.1. Общая характеристика

2.2. Кристаллическая структура

2.3. Кристаллофизика и динамика решетки

2.4. Методы получения BeO

3. Энергетическая структура и электронные возбуждения

3.1. Квантово-химические расчеты электронной структуры

3.2. Элементарные электронные возбуждения

3.3. Спектры оптических постоянных и потерь энергии

4. Сосуществование СЭ и АЛЭ

4.1. Автолокализация электронных возбуждений

4.2. Сосуществование СЭ и АЛЭ в BeO

4.3. Короткоживущее оптическое поглощение АЛЭ в BeO

4.4. Поляризованная люминесценция АЛЭ

4.5. Околопримесные экситоны в BeO

4.6. Особенности автолокализации экситонов в оксидах

5. Дефекты решетки

5.1. Кристаллохимические аспекты дефектообразования

5.2. Собственные и примесные точечные дефекты

5.3. Комплексные дефекты

6. Оптические переходы и электронная структура дефектов

6.1. Оптические переходы в точечных дефектах

6.2. Люминесценция точечных дефектов

6.3. Электронная структура дефектов

7. Накопление, отжиг и трансформация дефектов

7.1. Биографические дефекты

7.2. Накопление радиационных дефектов

7.3. Отжиг и трансформация радиационных дефектов

8. Флуктуационное разупорядочение BeO

8.1. Флуктуационная перестройка и особенности динамики решетки

8.2. Спонтанная эмиссия BeO и флуктуационная перестройка

8.3. Особенности ТСЛ в области трансформации АЛЭ

Заключение

Список библиографических ссылок

Предметно-именной указатель

Приложения

А. Электронное строение оксида бериллия

Б. Точечные дефекты оксида бериллия

В. Электронная структура точечных дефектов

Г. Температурные границы проявления «аномалий» в BeO

Отрывок из книги

1. Радиационные воздействия излучения на материалы и компонентыРис. 1.18. Спектры шумового напряженияn-МОП-структур (130 нм) до радиа-ционного воздействия (сплошные кривые) и послеγ-облучения источником60Co(светлые кружки):а– стандартная компоновка,D= 100 кГр;б– закрытая ком-поновка,D= 1 МГр [56]Шумовые характеристикиn-МОП-структуры с закрытой компонов-кой также более устойчивы к радиационному воздействию в сравне-нии с таковыми для стандартной компоновки. На рис. 1.18 приведеныспектры шумового напряжения двухn-МОП-структур (130 нм) послеγ-облучения (60Co). Из рис. 1.18 видно, что в случае стандартной ком-поновки радиационное воздействие дозой 100 кГр привело к увеличе-нию в несколько раз шумового напряжения по всему спектру. В случаезакрытой компоновкиn-МОП-структура демонстрирует гораздо боль-шую радиационную стойкость: даже десятикратное повышение дозыпо сравнению с первым случаем не привело к сколько-нибудь замет-ному повышению шумового напряжения по всему спектру.Радиационная стойкостьp-МОП-структур.При прочих равныхусловиях радиационная стойкостьp-МОП-структур выше таковой дляn-МОП-структур. Причина этого состоит в том, что радиационно-индуцированный положительный электрический заряд, локализован-ный на мелких канавках изолирующего оксидного слоя, не оказываетвлияния на токи утечкиp-МОП-структур, поскольку подложка тамимеетn-тип проводимости. В результате, полупроводник (Si), располо-женный подSTI (мелкими канавками изолятора), просто накапливаеткомплементарный зарядвместо инверсии проводимости. На рис. 1.19приведены спектры шумового напряженияp-МОП- иn-МОП-структур(90 нм) в стандартной компоновке после радиационного воздействияγ-излучением (60Co, 1 МГр). На рис. 1.19 приведены спектры шу-мового напряженияp-МОП- иn-МОП-структур (90 нм) в стандарт-ной компоновке, измеренные до радиационного воздействия и послеγ-облучения 1 МГр от источника60Co. Из рис. 1.19 следуют два ка-чественных вывода о радиационной стойкости этих МОП-структур.42

Внимание!
При обнаружении неточностей или ошибок в описании книги "Радиационные воздействия излучений на материалы электронной техники : оксид бериллия (автор Игорь Огородников, Владимир Иванов)", просим Вас отправить сообщение на почту help@directmedia.ru. Благодарим!

Радиационные воздействия излучений на материалы электронной техники

Содержание

Отрывок из книги

другие книги автора

С книгой "Радиационные воздействия излучений на материалы электронной техники" читают