Производство гибридных интегральных схем

Читать фрагмент

книга

Производство гибридных интегральных схем

Рассмотрены особенности изготовления гибридных интегральных схем: диэлектрическая подложка на основе низкотемпературной керамики, подвесные активные элементы, толстоплёночные пассивные элементы. Уделено внимание технологии и компоновке элементов. Приводятся конкретные примеры из производства гибридных интегральных схем. Изложены технические приёмы и оборудование монтажа навесных элементов.Для студентов, обучающихся по специальности 11.00.00 «Электроника, радиотехника и системы связи», а также инженеров, занятых проектированием и обслуживанием электронных приборов.

Форматы: PDF

Издательство: Инфра-Инженерия

Год: 2020

Место издания: Москва, Вологда

ISBN: 978-5-9729-0460-0

Страниц: 300

Артикул: 111028

Возрастная маркировка: 16+

Электронная книга

890 ₽

Купить и скачать

Содержание

Содержание книги "Производство гибридных интегральных схем "

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. СПЕЦИФИКА ПРОИЗВОДСТВА ГИС

1.1. Подложка и компоновка многослойных структур

ГЛАВА 2. МЕТОДЫ СОЗДАНИЯ ТОНКИХ ПЛЁНОК

2.1. Подготовка поверхности к нанесению тонких плёнок

2.2. Вакуумное нанесение тонких плёнок

2.3. Магнетронное нанесение

2.4. Электрохимическое нанесение

2.5. Осаждение из парогазовой фазы

2.6. Контрольные точки методов создания тонких плёнок

2.6.1. Зондовые методы измерений

2.6.2. Тестовый контроль

2.6.3. Оптическая микроскопия

2.6.4. Просвечивающая электронная микроскопия

2.6.5. Метод реплик

2.6.6. Растровая электронная микроскопия

2.6.7. Оже-электронная спектроскопия

2.6.8. Вторичная ионно-масс спектроскопия

ГЛАВА 3. МЕТОДЫ ПОЛУЧЕНИЯ КОНФИГУРАЦИЙ ПЛЁНОЧНЫХ СТРУКТУР

3.1. Метод съёмной маски

3.2. Метод контактной маски

3.3. Фотолитография

3.4. Электронно-лучевая литография

3.5. Рентгеновская литография

ГЛАВА 4. ПРОЕКТИРОВАНИЕ И РАСЧЁТ ТОПОЛОГИЧЕСКОЙ СТРУКТУРЫ ГИС

4.1. Необходимые данные для проектирования и расчёта топологической

структуры ГИС

4.2. Основные принципы проектирования топологической структуры ГИС

4.2.1. Выбор оптимального квадрата резистивной плёнки

4.2.2. Выбор удельной ёмкости диэлектрической плёнки конденсатора

4.2.3. Определение необходимой площади под плёнку резисторов

4.2.4. Определение необходимой площади подложки для размещения топологической структуры микросхемы

4.2.5. Определение степени интеграции принципиальной электрической схемы устройства

4.3. Компоновка топологической структуры ГИС

ГЛАВА 5. ПЛЁНОЧНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ ГИС

5.1. Плёночные интегральные резисторы

5.1.1. Фрагменты расчёта тонкоплёночных резисторов

5.1.2. Плёночные переходные компоненты и межсоединения

5.1.3. Создание точных плёночных резисторов

5.1.4. Оценка сопротивления и индуктивности плёночных проводников

5.1.5. Частотные свойства плёночных резисторов

5.2. Тонкоплёночные конденсаторы

5.2.1. Расчёт тонкоплёночных конденсаторов без подстроечных секций

5.2.2. Расчёт гребенчатых конденсаторов

5.3. Плёночные индуктивности

ГЛАВА 6. МНОГОСЛОЙНЫЕ СВЧ ГИС НА КНТО

6.1. Элементная база многослойных ГИС на КНТО

6.2. Средства проектирования многослойных СВЧ ГИС на КНТО

6.3. Реализация пассивных СВЧ устройств в виде интегральных схем на КНТО

ГЛАВА 7. МОНТАЖ НАВЕСНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ

7.1. Сварка косвенным импульсным нагревом

7.2. Контактная сварка

7.3. Технология контактной сварки

7.4. Инструмент контактной сварки

7.5. Оборудование для контактной сварки

ГЛАВА 8. ЗАЩИТА ГИС ОТ НАПРАВЛЕННОГО ДЕЙСТВИЯ СВЧ ИЗЛУЧЕНИЯ

8.1. Варианты защиты ГИС от СВЧ излучений

Внимание!
При обнаружении неточностей или ошибок в описании книги "Производство гибридных интегральных схем (автор Юрий Родионов)", просим Вас отправить сообщение на почту help@directmedia.ru. Благодарим!

Производство гибридных интегральных схем

Содержание

Родионов Ю. А. другие книги автора

С книгой "Производство гибридных интегральных схем" читают