Технологические процессы в микро- и наноэлектронике

Читать фрагмент

книга

Технологические процессы в микро- и наноэлектронике

Рассмотрены основные положения физики твёрдого тела и физической химии полупроводников. Основное внимание уделено технологии, соответствующему оборудованию и оснастке, используемым для получения технологического слоя. Приводятся конкретные примеры решения обратных задач по определению технологических режимов получения слоёв с заданными параметрами. Освещены регламентные работы в промышленном производстве. Рассмотрены основные экологические проблемы в промышленных технологиях.
Для студентов, обучающихся по специальности 11.00.00 «Электроника, радиотехника и системы связи», а также инженеров, занятых проектированием и обслуживанием электронных приборов.

Форматы: PDF

Издательство: Инфра-Инженерия

Год: 2019

Место издания: Москва, Вологда

ISBN: 978-5-9729-0337-5

Страниц: 353

Артикул: 73560

Возрастная маркировка: 16+

Электронная книга

910 ₽

Купить и скачать

Содержание

Содержание книги "Технологические процессы в микро- и наноэлектронике "

ВВЕДЕНИЕ

1. ТВЕРДОТЕЛБНЫЕ ИМС

1.1. Входной контроль полупроводниковых слитков

1.2. Механическая обработка слитка

1.3. Химподготовка поверхности подложки после механической обработки

2. ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОЕ СОЗДАНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО СЛОЯ

2.1. Кремний - основа твердотельной электроники

2.2. Создание высокотемпературного оксида кремния

2.2.1. Окисление кремния при комнатной температуре

2.2.2. Физический механизм роста окисла при высокой температуре

2.2.3. Структура окисла кремния

2.2.4. Модель Дила - Гроува

2.2.5. Оборудование и оснастка для окисления кремния

2.2.6. Методы контроля параметров диэлектрических слоев

2.2.7. Контроль дефектности плёнок

2.3. Создание газофазного эпитаксиального слоя кремния

2.3.1. Хлоридный метод

2.3.2. Пиролиз моносилана

2.3.3. Гетероэпитаксия кремния на диэлектрических подложках

2.3.4. Перераспределение примеси при эпитаксии

2.4. Создание термодиффузионного слоя кремния

2.4.1. Механизмы диффузии примесей

2.4.2. Контроль параметров диффузионных слоев

2.4.3. Прямые и обратные инженерные задачи при термодиффузии

3. НИЗКОТЕМПЕРАТУРНЫЕ ВАКУУМНО-ПЛАЗМЕННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ И ОБОРУДОВАНИЕ ДЛЯ СОЗДАНИЯ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ СЛОЁВ

3.1. Элементы физики плазмы

3.2. Элементы физики вакуума

3.3. Наиболее востребованные средства откачки в микроэлектронной промышленности

3.4. Вакуумная арматура и комплектация

3.5. Датчики вакуума

3.6. Молекулярно-лучевая эпитаксия

3.7. Ионное легирование полупроводников

3.7.1. Элементы теории ионного легирования

3.7.2. Техника ионного легирования

3.7.3. Прямые и обратные инженерные задачи в области ионного легирования

3.8. Плазмохимическое травление кремния

3.8.1. Классификация процессов плазмохимического травления

3.8.2. Кинетика изотропного травления кремния

3.8.3. Анизотропия и селективность

3.9. Осаждение диэлектрических плёнок на кремний

3.9.1. Осаждение диоксида кремния

3.9.2. Осаждение нитрида кремния

3.9.3. Осаждение алмазоподобных плёнок

3.9.4. Создание сверхтонкой мембраны

4. ТЕХНОЛОГИЯ ЛИТОГРАФИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ

4.1. Основные термины и определения

4.2. Основные свойства и состав фоторезистов

4.3. Производственная схема фотолитографического процесса

4.4. Подробно об экспонировании

4.5. Основные оптические эффекты, вызывающие ухудшение рисунка

4.6. Иммерсионная литография

4.7. Взрывная литография

4.8. Электронно-лучевая литография

4.9. Рентгеновская литография

4.10. Электронорезисты

4.11. Нанопринтная литография

4.12. Экстремальная ультрафиолетовая литография (EUVL)

4.13. LIGA-процесс

5. МЕТАЛЛИЗАЦИЯ

5.1. Свойства плёнок алюминия

5.2. Электродиффузия в плёнках алюминия

5.3. Методы получения металлических плёнок

5.4. Создание омических контактов

5.5. Использование силицидов металлов

5.6. Многоуровневая металлизация

5.7. Контактные узлы

5.8. Основные технологические процессы сборки интегральных схем в корпус

5.9. Основные конструкции корпусов ИМС

5.10. Упрощённый маршрут изготовления микроэлектронного акселерометра

6. ТРЕБОВАНИЯ К ОБОРУДОВАНИЮ В ТЕХНОЛОГИИ МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКИ

7. ЭКОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОБЛЕМЫ В ТЕХНОЛОГИИ МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКИ

ЛИТЕРАТУРА

Отрывок из книги

ГЛАВА 2 . ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОЕ СОЗДАНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО СЛОЯ Номенклатура изделий на основе микро- и нанотехнологий очень широкая. Однако если внимательно рассмотреть структуру каждого устройства (ПП прибор, И М С , МЭМС), то можно увидеть, что превалирующее большинство выполнено на основе кремния, и все они без исключения построены по единому принципу: основой любого изделия являются технологические слои (тонкие плёнки): эпитаксиальные (кремниевые со специально заданными параметрами), диэлектрические (как правило, из оксида кремния), легированные (термодиффузионные, или ионнолегированные), проводящие (алюминиевые, или медные). Такая классификация существенно упрощает анализ технологческих процессов. 2.1. К р е м н и й — о с н о в а т в е р д о т е л ь н о й м и к р о э л е к т р о н и к и Основным материалом для изготовления ИМС и МЭМС до настоящего времени остается кремний. Он обладает рядом свойств, позволяющих легко создавать на нем диэлектрические слои для маскирования от проникновения примесей и защиты поверхности от влияния внешней среды, обеспечивающих высокие рабочие температуры (до 150 °С). Кремний имеет алмазоподобную кристаллическую решетку, которая может быть представлена как две гранецентрирован-ные кубические решетки, сдвинутые относительно друг друга на 1/4 большой диагонали куба. Параметр решетки куба а равен 0,54 нм (длина ребра куба), а расстояние между двумя ближайшими соседними атомами составляет 0,23 нм. Каждый атом связан с четырьмя ближайшими соседями ковалентными связями, расположенными по отношению к этому атому в вершинах правильного тетраэдра (рис. 2.1). В кубической решетке кремния удобно выделить наиболее характерные плоскости и направления, называемые индексами Миллера (рис. 2.2). Если в начало координат поместить куб с ребрами, отсекающими единичные отрезки по осям координат, то плоскости, образующие грани куба, будут иметь координату по одной из осей, например х, равную 1, а другим плоскостям будут параллельны. Об...

Внимание!
При обнаружении неточностей или ошибок в описании книги "Технологические процессы в микро- и наноэлектронике (автор Юрий Родионов)", просим Вас отправить сообщение на почту help@directmedia.ru. Благодарим!

Технологические процессы в микро- и наноэлектронике

Содержание

Отрывок из книги

Родионов Ю. А. другие книги автора

С книгой "Технологические процессы в микро- и наноэлектронике" читают