Наноэлектроника и наносхемотехника телекоммуникационных устройств

Читать фрагмент

книга

Наноэлектроника и наносхемотехника телекоммуникационных устройств

Рассмотрены вопросы построения современной и перспективной элементной базы телекоммуникационных устройств на основе новых научных знаний о природе строения материалов, о физике твердого тела, о молекулярной и квантовой электронике.Для бакалавров и специалистов по телекоммуникационным направлениям подготовки: 11.03.02 «Инфокоммуникационные технологии и системы связи», 11.03.01 «Радиотехника», 11.05.02 «Информационная безопасность телекоммуникационных систем», 11.05.01 «Радиоэлектронные системы и комплексы», 09.03.01 «Информатика и вычислительная техника», 27.03.04 «Управление в технических системах», а также для инженерно-технических работников, изучающих электронику и схемотехнику.

Форматы: PDF

Издательство: Инфра-Инженерия

Год: 2024

Место издания: Москва, Вологда

ISBN: 978-5-9729-1705-1

Страниц: 260

Артикул: 111005

Возрастная маркировка: 16+

Электронная книга

1250 ₽

Купить и скачать

Содержание

Содержание книги "Наноэлектроника и наносхемотехника телекоммуникационных устройств "

Глоссарий

Предисловие

Введение. О базовых знаниях при изучении устройств телекоммуникаций и телевещания

Раздел 1. Нанотехнологии и перспективная элементная база телекоммуникационных устройств

1.1. Основные понятия

1.2. Закон Мура

1.3. Проблемы при манипуляции с индивидуальными атомами и молекулами

1.4. Краткая справка по истории нанотехнологий

1.5. Контрольные вопросы к разделу 1

Раздел 2. Законы квантовой механики как основа создания перспективной элементной базы телекоммуникационных устройств

2.1. Основные понятия и законы квантовой физики

2.2. Постулаты Бора и квантование орбит

2.3. Корпускулярно-волновой дуализм нанообъектов

2.4. Квантовые пределы точности измерений

2.5. Волновая функция и вероятностный характер поведения квантовых объектов

2.6. Квантовые размерные эффекты

2.6.1. Размерное квантование (квантовые ограничения). Квантовые ямы, нити, точки

2.6.2. Туннелирование. Сверхрешетки

2.6.3. Квантовые наноструктуры — гетеропереходы, гетероструктуры

2.7. Почему нельзя смешивать законы классической и квантовой физики

2.8. Квантовая механика и компьютер

2.9. Контрольные вопросы к разделу 2

Раздел 3. Технологические наноэффекты в природе и их использование при создании перспективной элементной базы телекоммуникационных устройств

3.1. Самосборка

3.2. Природные наноэффекты и нанотехнологии

3.3. Контрольные вопросы к разделу 3

Раздел 4. Свойства наноматериалов для перспективной элементной базы телекоммуникационных устройств

4.1. Квантовые эффекты и их влияние на свойства наноматериалов

4.2. Материалы наноэлектроники

4.3. Ультрадисперсные наноматериалы

4.4. Фуллерены и углеродные нанотрубки

4.5. Графен

4.6. Проводящие полимеры

4.7. Примеры уникальных свойств некоторых наночастиц

4.8. Контрольные вопросы к разделу 4

Раздел 5. Оборудование и инструменты нанотехнологий, используемые при создании перспективной элементной базы телекоммуникационных устройств

5.1. Оптический микроскоп

5.2. Электронный микроскоп

5.3. Туннельный эффект и сканирующий туннельный микроскоп (СТМ)

5.4. Атомно-силовой микроскоп

5.5. Сканирующие зондовые микроскопы

5.6. Сканирующий оптический микроскоп ближнего поля

5.7. Нановесы

5.8. Механические наноманипуляторы

5.9. Оптические манипуляторы

5.10. Оптический (лазерный) пинцет

5.11. Контрольные вопросы к разделу 5

Раздел 6. Проблемы микроминиатюризации при создании перспективной элементной базы телекоммуникационных устройств

6.1. Микроминиатюризация МДП-приборов

6.2. Проблемы при создании интегральных микросхем

6.3. Контрольные вопросы к разделу 6

Раздел 7. Нанотранзисторы для телекоммуникационных устройств, разработанные по современным технологическим принципам с применением традиционных материалов

7.1. Особенности устройства и работы полевых транзисторов

7.2. МОП-LDD транзисторы со слаболегированными областями

7.3. КНИ-транзисторы. TeraHertz-транзисторы

7.4. Транзисторы на структурах SiGe (транзисторы с затвором Шоттки или MODFET-транзисторы)

7.5. Многозатворные транзисторы (FinFET-транзистор, Tri-GateTransistor)

7.6. Гетеротранзисторы (НЕМТ транзисторы, транзисторы с затвором Шоттки на AlGaN/GaN (ГПТШ), FET-транзисторы, MESFET-транзисторы)

7.7. Контрольные вопросы к разделу 7

Раздел 8. Нанотранзисторы, разработанные по современным технологическим принципам с применением новых материалов

8.1. Нанотранзисторы на основе углеродных нанотрубок. Наножидкостный транзистор

8.2. Нанотранзисторы на основе графена

8.3. Спиновые нанотранзисторы

8.4. Баллистический транзистор

8.5. Двухслойный туннельный транзистор (DELTT-транзистор)

8.6. Транзисторы на горячих электронах

8.7. Интерференционные транзисторы

8.8. Полевые транзисторы на отраженных электронах

8.9. Квантовый точечный транзистор

8.10. Гетероструктурный транзистор на квантовых точках

8.11. Биполярные транзисторы на гетеропереходах

8.12. Фотонные транзисторы и устройства

8.12.1. Фотонные PTNT-транзисторы и фотонные логические элементы

8.12.2. Транзистор с фотонным управлением

8.12.3. Фотонный чип

8.12.4. Оптический транзистор-маршрутизатор

8.12.5. Сверхбыстрый фотонный переключатель

8.13. Контрольные вопросы к разделу 8

Раздел 9. Одноэлектроника как перспективная элементная база телекоммуникационных устройств

9.1. Основы одноэлектроники

9.2. Одноэлектронные транзисторные структуры

9.3. Одноэлектронные транзисторы на основе гетероструктур

9.4. Одноэлектронные металлические структуры

9.5. Молекулярный одноэлектронный транзистор

9.6. Устройства на одноэлектронных транзисторах

9.6.1. Аналоговые устройства

9.6.2. Цифровые устройства

9.7. Контрольные вопросы к разделу 9

Раздел 10. MEMS- и NEMS-технологии для перспективной элементной базы телекоммуникационных устройств

10.1. Появление и развитие MEMS- и NEMS-технологии

10.2. Одноэлектронный механический транзистор

10.3. Сенсоры

10.4. Проекты наномоторов

10.5. Применение и перспективы MEMS

10.6. Контрольные вопросы к разделу 10

Раздел 11. Молекулярная электроника и перспективная элементная база телекоммуникационных устройств

11.1. Молекулярный подход в наноэлектронике

11.2. Молекулярные транзисторы и элементы логики

11.3. Молекулярная память

11.4. Контрольные вопросы к разделу 11

Раздел 12. Функциональная, диэлектрическая электроника и перспективная элементная база телекоммуникационных устройств

12.1. Функциональная электроника

12.2. Приборы функциональной электроники

12.3. Диэлектрическая электроника

12.4. Приборы и устройства диэлектрической электроники

12.5. Контрольные вопросы к разделу 12

Раздел 13. Мемристорная электроника и перспективная элементная база телекоммуникационных устройств

13.1. Понятие о мемристоре

13.2. Мемристор. Свойства и применение

13.3. Схема на основе мемристора для имитации работы синапса головного мозга

13.4. Флэшристоры и флэш-память

13.5. Нейронная сеть из мемристоров

13.6. Мемристор и самопрограммируемая электроника

13.7. Новый тип энергонезависимой памяти — гибкие мемристоры на основе графена

13.8. Проект первого фотонно-электронного компьютера на основе мемристоров

13.9. Контрольные вопросы к разделу 13

Раздел 14. Полимерная электроника как перспективная элементная база телекоммуникационных устройств

14.1. Электропроводящие полимеры

14.2. Применение полимерных материалов

14.3. Применение легированных полимеров

14.4. Устройства, использующие электрохимическое легирование

14.5. Полимерная электроника

14.6. Контрольные вопросы к разделу 14

Заключение

Список использованной литературы

Дополнительная литература

Внимание!
При обнаружении неточностей или ошибок в описании книги "Наноэлектроника и наносхемотехника телекоммуникационных устройств (автор Владимир Галочкин)", просим Вас отправить сообщение на почту help@directmedia.ru. Благодарим!

Наноэлектроника и наносхемотехника телекоммуникационных устройств

Содержание

другие книги автора

С книгой "Наноэлектроника и наносхемотехника телекоммуникационных устройств" читают