Содержание книги "Корпусирование микроэлектронных приборов
:
технологии, конструкции, оборудование"
Предисловие
Глава 1. Основы технологии формирования многоуровневой металлизации
1.1. Краткая история развития технологии формирования многоуровневой металлизации интегральных микросхем
1.2. Основные требования к многоуровневой металлизации
1.3. Особенности технологии формирования металлизации на основе алюминия
1.4. Особенности технологии нанесения металлизации на основе меди
1.5. Особенности технологического маршрута формирования 3D-межсоединений
Глава 2. Разделение пластин на кристаллы и их сборка в корпус
2.1. Разделение пластин на кристаллы
2.2. Технологические методы монтажа кристаллов в корпуса микросхем
2.3. Контроль качества сборочных операций
2.4. Технологии и методы микромонтажа интегральных микросхем
2.5. Важные технологические особенности использования золота и алюминия при сборке мощных СВЧ-транзисторов
2.6. Технологическое оборудование и инструменты для сборочных операций
2.7. Технологии монтажа жесткими объемными выводами
Глава 3. Пайка и сварка в производстве микросхем и полупроводниковых приборов
3.1. Основы технологии пайки
3.2. Технологические методы организации процесса пайки в полупроводниковом производстве
3.3. Особенности проведения контактно-реактивной пайки
3.4. Метод пайки эвтектическими сплавами
3.5. Технологические особенности пайки электродных выводов
3.6. Пайка деталей корпусов полупроводниковых приборов
3.7. Рекомендации по выбору материалов припоев и флюсов для пайки
3.8. Оборудование для пайки
3.9. Технологии сварки в производстве полупроводниковых приборов и микросхем
3.10. Методы контроля качества и надежности паяных соединений
Глава 4. Технологии и методы защиты арматуры на сборочных операциях
4.1. Назначение защитных покрытий
4.2. Технология химической обработки полупроводниковых структур перед защитой
4.3. Защита с помощью лаков, эмалей и компаундов
4.4. Защита поверхности методом силанирования
4.5. Защита полупроводниковых кристаллов стеклянными пленками сложного состава
4.6. Защита полупроводниковых структур пленками нитрида кремния
4.7. Защита полупроводниковых структур методом обволакивания
4.8. Защита полупроводниковых структур методом свободной заливки
Глава 5. Герметизация и контроль герметичности корпусов интегральных микросхем
5.1. Герметизация корпусов сваркой
5.2. Герметизация корпусов пайкой
5.3. Герметизация корпусов пластмассами
5.4. Бескорпусная герметизация
5.5. Методы контроля герметичности корпусов микросхем
5.6. Основные причины коррозии алюминиевых проводников и контактных площадок загерметизированных приборов
Глава 6. Конструктивно-технологические характеристики и методы формирования корпусов для микроэлектронных изделий
6.1. Классификация корпусов для сборки изделий интегральной микроэлектроники
6.2. Основные требования к конструкции корпусов
6.3. Металлокерамические корпуса
6.4. Металлостеклянные корпуса
6.5. Пластмассовые корпуса
6.6. Корпуса чашечного типа
6.7. Пластмассовые корпуса с открытой полостью
6.8. Особенности применения микросхем в пластмассовых корпусах в системах военного и космического назначения
6.9. Особенности технологии заливки в пластик при герметизации интегральных микросхем
6.10. Особенности технологии изготовления металлокерамических корпусов на заводе полупроводниковых приборов (АО «ЗПП»)
Глава 7. Базовые технологии микромонтажа электронных устройств
7.1. Состояние и перспективы развития технологий корпусирования микросхем
7.2. BGA-технология сборки кристаллов
7.3. CSP-технология монтажа кристаллов на плату
7.4. WLP-технология сборки на пластине
7.5. Многокристальные модули и печатные платы
7.6. Особенности сборки 3D-изделий с использованием технологии flip-chip
7.7. Технологические особенности использования клеевых соединений в процессе 3D-сборки
7.8. Основные технологии корпусирования СВЧ-приборов
7.9. Конструкции корпусов микросхем со встроенной радиационной защитой
7.10. Методы повышения надежности паяных соединений поверхностного монтажа
Глава 8. Конструктивно-технологические особенности монтажа силовых модулей
8.1. Маломощные силовые модули
8.2. Типовые конструкции силовых модулей
8.3. Особенности выбора конструкций корпусов для устройств силовой электроники на основе широкозонных полупроводников
Глава 9. Теоретические основы, стандарты и экспериментальные методы измерения теплового сопротивления полупроводниковых приборов и микросхем
9.1. Основные физические ограничения, которые необходимо учитывать при проектировании полупроводниковых устройств
9.2. Пути решения проблемы эффективного отвода избыточной тепловой энергии от активной структуры полупроводникового кристалла
9.3. Тепловые характеристики полупроводниковых приборов
9.4. Основные принципы калибровки испытуемого устройства
9.5. Практическое применение концепций теплового сопротивления
9.6. Особенности организации управления мощностью нагрева при температурных испытаниях
9.7. Типы испытательных устройств и основные методы температурных испытаний
9.8. Стандартные методы измерения тепловых характеристик полупроводниковых устройств
9.9. Методы измерения теплового сопротивления для гибридных и многокристальных полупроводниковых устройств
9.10. Стандартное технологическое оборудование для тестирования микросхем в диапазоне температур
Глава 10. Тестирование микроэлектронных устройств: концепции, методы и инструменты
10.1. Введение в проблему
10.2. Дорожная карта гетерогенной интеграции IEEE
10.3. Табличное представление основных проблем тестирования микроэлектронных устройств на период до 2040 г.
10.4. Тенденции, проблемы и перспективы тестирования логических устройств
10.5. Тестирование микросхем памяти
10.6. Тестирование специализированных микросхем
10.7. Проблемы и тенденции тестирования аналоговых и смешанных микросхем
10.8. Технологии зондового контроля кристаллов на пластинах
10.9. Тестирование микроэлектронных изделий на уровне системы
Глава 11. Базовое технологическое оборудование для сборки микросхем
11.1. Базовое технологическое оборудование иностранных производителей
11.2. Базовое технологическое оборудование отечественных производителей
Используемые термины и обозначения