Основы схемотехники микроэлектронных устройств
В книге представлен анализ особенностей работы, методы проектирования и основы практического применения цифровых микросхем в составе современных микроэлектронных устройств, предложен большой набор эффективных схемотехнических решений базовых элементов для реализации требований, предъявляемых к микроэлектронным устройствам, приведено детальное описание принципов работы и правил применения современных базовых элементов в составе микроэлектронных устройств.Издание ориентировано на широкий круг инженерно-технических работников, ученых, студентов и аспирантов, специализирующихся в области разработки, организации производства и эксплуатации радиоэлектронной бытовой, промышленной и специальной техники, информационно-коммуникационных, телекоммуникационных и навигационных применений, использующих современные микроэлектронные устройства.
Содержание
Содержание книги "Основы схемотехники микроэлектронных устройств "
Отрывок из книги
1.1. Физические основы работы субмикронных МОП-транзисторов тенциалов между уровнем Ф е р м и EF и внутренним уровнем Ф е р м и E в объеме. Величина V, необходимая для достижения сильной и н в е р с и и , называется п о р о говым н а п р я ж е н и е м . М е т а л л Т 7 7 7 Г Т 7 7 /... \\\\\\\\\ П о л у п р о в о д н и к О к и с е л -и з о л я т о р Рис. 1.5. Энергетические зоны при приложении порогового напряжения Рассмотрим более подробно математическую модель полевого диода ( М О П -диод). Эта модель известна к а к модель с поверхностным зарядом [1, 2]. В отличие от более простой модели [3] на основе п р и б л и ж е н и я обеднения, которая сохраняет точность только при эффектах сильной и н в е р с и и , модель с поверхностным зарядом остается действующей также в областях со слабой и н в е р с и е й . Последние области в а ж н ы , когда рассматривается рассеиваемая м о щ н о с т ь субмикронного полевого К М О П - т р а н з и с т о р а . В основу модели обычного полевого диода п о л о ж е н о классическое уравнение П у а с с о н а : V • D = p(xyz), (1.3) где D — вектор электрического с м е щ е н и я , р а в н ы й е.Е п р и статических условиях или н и з к о й частоте, es — электрическая проницаемость к р е м н и я , Е — вектор электрического п о л я , p(x,y,z) — суммарная плотность электрического заряда. В М О П - д и о д а х электрическое поле, в ы з в а н н о е п р и л о ж е н н ы м н а п р я ж е н и е м , направлено п е р п е н д и к у л я р н о изолятору из SiO2. О б ы ч н о и с к а ж е н и я м и поля на краях области пренебрегают, поэтому и з м е н е н и е электростатического потенциа¬ла ф может учитываться только вдоль оси х, к а к п о к а з а н о на рис. 1.6. В этом случае можем записать следующее выражение: П о с к о л ь к у в н а ш е м случае всегда выполняется соотношение: E с E E F E P(x) = q х \p(x) — n(x) + i\D(x) — JV^x)],
Белоус А. И. другие книги автора
С книгой "Основы схемотехники микроэлектронных устройств" читают
Внимание!
При обнаружении неточностей или ошибок в описании книги "Основы схемотехники микроэлектронных устройств (автор Анатолий Белоус, Виктор Емельянов, Аркадий Турцевич)", просим Вас отправить сообщение на почту help@directmedia.ru. Благодарим!
и мы свяжемся с вами в течение 15 минут
за оставленную заявку