Введение в кристонную модель формирования полос сдвига и мартенсита деформации в ГЦК кристаллах

152. ОСНОВНЫЕ ПОЛОЖЕНИЯ КРИСТОННОЙ МОДЕЛИ ФОРМИРОВАНИЯ ПОЛОС СДВИГА С ГРАНИЦАМИ ТИПА {hhℓ}g (НА ПРИМЕРЕ МОНОКРИСТАЛЛОВ С ГЦК РЕШЕТКОЙ)Поскольку вектор Бюргерса является интегралом движения для отдельной дислокации, естественно при описании носителя сдвига установить эффективное значение его вектора Бюргерса как характеристики, полученной определенной суперпозицией векторов Бюргерса взаимодействующих дислокаций. Будем рассматривать для определенности ориентировки (hhl)γ, для которых (как и в примере на рис. 2) в качестве основной может быть выбрана система с пло-скостью скольжения (111)γ, а сопряженной — с плоскостью (111)γ. Поскольку плоскости пересекаются вдоль направления [110]γ, можно предложить модель формирования полосы [31, 32], в которой сдвиг по плоскостям (hhℓ)γ реализуется носителем с суперпозиционным вектором Бюргерса b, составленным из векторов Бюргерса b1 и век-торов b2 дислокаций, принадлежащих основной и сопряженной системам скольжения. Известно, что действие двух систем сколь-жения в условиях преобладания дислокаций одной из них приводит к образованию квазиплоской дислокационной сетки. Типичным элементом такой сетки являются отрезки прямолинейных барье-ров, т. е. сегменты дислокаций с векторами Бюргерса, не лежащими ни в одной из действующих плоскостей скольжения. Как правило, барьеры расположены вдоль плотноупакованного направления [110]γ, по которому пересекаются плоскости (111)γ и (111)γ.В ходе деформации вблизи барьеров возникают скопления дис-локаций, расположенных как на одной, так и на группе соседних параллельных плоскостей. Цилиндрическая область локализации