Физические основы микро- и наноэлектроники
Пособие содержит описания физических эффектов и их компонентов, классификацию веществ, модели энергетических зон и ковалентных связей, физическое описание собственного и примесного полупроводника, применение и характеристики однородных полупроводников. Рассмотрено равновесное и неравновесное состояние p-n перехода, токи в нем, виды пробоев, туннелирование в сильнолегированных p-n переходах, гетеропереходы, вольтамперные характеристики переходов. В конце пособия приводятся практические и домашние задания.
Содержание
Содержание книги "Физические основы микро- и наноэлектроники "
Отрывок из книги
102. Однородный полупроводник эдров; расстояние между смежными атомами около 0,5 нм. В такой решетке каждый атом взаимно связан с четырьмя соседними атомами ковалентными связями (рис. 2), в результате влияния которых проис-ходит обобществление валентных электронов и образование устойчи-вых электронных оболочек, состоящих из восьми электронов. Ge Ge Ge Ge Ge Рис. 2. Ковалентная связь между атомами германия Как видно на рисунке, вокруг каждой пары атомов движутся по ор-битам 2 валентных электрона, показанных жирными точками. В ус-ловном плоскостном изображении такой кристаллической решетки (рис. 3) ковалентные связи показаны в виде прямых линий, а элек-троны — по-прежнему в виде точек (иногда для упрощения электро-ны вообще не показывают).При температуре абсолютного нуля (T = 0° K) все валентные элек-троны находятся в ковалентных связях, следовательно, свободные но-сители заряда отсутствуют и полупроводник подобен диэлектрику.При повышении температуры или при облучении полупроводника лучистой энергией, валентный электрон может выйти из ковалентной связи и стать свободным носителем электрического заряда. При этом ковалентная связь становится дефектной, в ней образуется свободное (вакантное) место, которое может занять один из валентных электро-нов соседней связи, в результате чего вакантное место переместится к другой паре атомов. Перемещение вакантного места внутри кристал-лической решетки можно рассматривать как перемещение некоторо-го фиктивного (виртуального) положительного заряда, величина ко-торого равна заряду электрона. Такой положительный заряд принято называть дыркой (рис. 4).
Дурнаков А. А. другие книги автора
С книгой "Физические основы микро- и наноэлектроники" читают
Внимание!
При обнаружении неточностей или ошибок в описании книги "Физические основы микро- и наноэлектроники (автор Андрей Дурнаков)", просим Вас отправить сообщение на почту help@directmedia.ru. Благодарим!
и мы свяжемся с вами в течение 15 минут
за оставленную заявку