Гидрохимическое осаждение тонких пленок халькогенидов металлов

Содержание книги "Гидрохимическое осаждение тонких пленок халькогенидов металлов"

Предисловие
Глава 1. РАСЧЕТНЫЕ МЕТОДЫ ОПРЕДЕЛЕНИЯ УСЛОВИЙ ОБРАЗОВАНИЯ ТВЕРДОЙ ФАЗЫ ХАЛЬКОГЕНИДОВ МЕТАЛЛОВ ПРИ ОСАЖДЕНИИ ИЗ ВОДНЫХ СРЕД
Лабораторная работа 1. Определение условий образования твердой фазы халькогенидов металлов при гидрохимическом осаждении
1. Общие сведения о гидрохимическом осаждении
2. Расчет граничных условий образования халькогенида, гидроксида и цианамида металла
3. Учет кристаллизационного фактора при образовании халькогенидов металлов
4. Влияние природы лиганда на граничные условия образования
5. Расчет образования халькогенидов металлов с учетом степени превращения соли металла
6. Условия образования из водных сред твердых растворов халькогенидов металлов
Приложение 1
Приложение 2
Приложение 3
Глава 2. КИНЕТИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ ТВЕРДОЙ ФАЗЫ ХАЛЬКОГЕНИДОВ МЕТАЛЛОВ
2.1. Основные понятия химической кинетики
2.2. Классификации химических реакций
2.3. Влияние температуры на скорость химических реакций. Энергия активации
2.4. Методы определения порядка реакции
2.5. Трактовка механизмов химических превращений
2.6. Экспериментальное получение кинетических зависимостей и их обработка
Лабораторная работа 2. Изучение кинетики осаждения твердой фазы CdS в условиях самопроизвольного зарождения. Определение энергии активации процесса
1. Экспериментальная часть
2. Определение концентрации ионов кадмия
Лабораторная работа 3. Изучение кинетики осаждения твердой фазы PbS в условиях контролирования площади поверхности. Определение энергии активации процесса
1. Кинетические особенности осаждения сульфида свинца
2. Экспериментальная часть
3. Определение концентрации ионов свинца
Глава 3. ГИДРОХИМИЧЕСКОЕ ОСАЖДЕНИЕ ТОНКИХ ПЛЕНОК ХАЛЬКОГЕНИДОВ МЕТАЛЛОВ И ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ НА ИХ ОСНОВЕ
3.1. Формирование пленок халькогенидов металлов при гидрохимическом осаждении
3.2. Взаимодействие тиомочевины с солями металлов
3.3. Зарождение пленок халькогенидов металлов
3.4. Механизм роста пленок сульфидов металлов
3.5. Фрактальный характер коллоидно-химической составляющей раствора в процессе образования халькогенида металла
3.6. Компьютерное моделирование формирования пленок халькогенидов металлов
3.7. Принципиальная схема гидрохимического осаждения пленок халькогенидов металлов на примере MеS
3.8. Регламент процесса химического осаждения
3.9. Подготовка подложки к осаждению пленки
3.10. Обработка осажденной пленки
Лабораторная работа 4. Гидрохимическое осаждение тонких пленок CdS
1. Применение и свойства пленок CdS
2. Характеристика полупроводникового соединения CdS
3. Структура и состав химически осажденных пленок CdS
4. Методика гидрохимического синтеза пленок CdS
Лабораторная работа 5. Гидрохимическое осаждение тонких пленок PbS
Лабораторная работа 6. Гидрохимическое осаждение тонких пленок CuS и Cu2S
1. Характеристика полупроводниковых соединений Cu2–хS
2. Методы получения тонких пленок сульфида меди
3. Получение сульфида меди методом гидрохимического осаждения
4. Методика гидрохимического синтеза пленок CuS
Лабораторная работа 7. Химическое осаждение тонких пленок PbSe
1. Материалы для детекторов среднего ИК-диапазона
2. Структура, состав, полупроводниковые свойства PbSe
3. Фотоэлектрические свойства, области применения PbSe
4. Методы получения тонких пленок селенида свинца
5. Гидрохимическое осаждение пленок селенидов металлов
6. Методы и условия сенсибилизации пленок селенидов металлов к ИК-излучению
7. Методика химического синтеза пленок PbSe
Лабораторная работа 8. Химическое осаждение тонких пленок CdSe
1. Физико-химические и кристаллографические свойства CdSe 168
2. Методы получения тонких пленок CdSe
3. Методика химического синтеза пленок CdSe
Лабораторная работа 9. Химическое осаждение тонких пленок твердых растворов замещения на основе CdS–PbS
1. Основные факторы изоморфной смесимости при образовании твердых растворов
2. Прогнозирование образования твердых растворов замещения на основе сульфида свинца
3. Механизм образования пленок пересыщенных твердых растворов халькогенидов металлов
4. Методика гидрохимического синтеза пленок твердого раствора замещения CdxPb1–xS
Лабораторная работа 10. Влияние материала подложки на гидрохимический синтез тонких пленок халькогенидов металлов
1. Роль подложки при осаждении пленок. Подложечные материалы, их свойства, требования к выбору материала подложки
2. Материалы подложек
3. Виды загрязнений поверхности подложек
4. Методы подготовки поверхности подложек
5. Экспериментальная часть
Лабораторная работа 11. Определение толщины тонких пленок халькогенидов металлов с использованием интерференционного микроскопа
1. Методы определения толщин тонких пленок
2. Экспериментальная часть
Глава 4. ОПТИЧЕСКИЕ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТОНКИХ ПЛЕНОК ХАЛЬКОГЕНИДОВ МЕТАЛЛОВ И ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ НА ИХ ОСНОВЕ
Лабораторная работа 12. Термосенсибилизация пленок PbSe
1. Роль термообработки в сенсибилизации пленок к оптическому излучению
2. Режимы термообработки пленок селенида свинца
3. Экспериментальная часть
Лабораторная работа 13. Определение оптической ширины запрещенной зоны в полупроводниковых пленках халькогенидов металлов
1. Элементы зонной теории полупроводников
2. Методы определения ширины запрещенной зоны полупроводника
3. Взаимодействие света с материалом полупроводника
4. Описание установки и методика эксперимента
Лабораторная работа 14. Фотоэлектрические свойства тонких пленок сульфидов металлов и твердых растворов на их основе
1. Инфракрасное излучение, его источники и законы распространения
2. Приемники инфракрасного излучения
3. Параметры и характеристики приемников излучения
4. Технология изготовления фоточувствительных элементов
5. Принципиальная блок-схема по измерению фотоэлектрических параметров К.54.410
6. Экспериментальная часть
Приложение 4
Приложение 5
Список рекомендуемой литературы