Основы высокотемпературной криоэлектроники
Изложены основные представления о низкотемпературной и высокотемпературной сверхпроводимости. Рассмотрены эффекты и явления, на которых основана работа устройств криоэлектроники. Приведены данные об основных высокотемпературных сверхпроводниках, их критические параметры, а также сведения о технологии их изготовления. В пособие включен практикум: работы по технологии изготовления и исследования крио-электронного устройства.Для студентов и аспирантов, специализирующихся в области электронной техники, а также криоэлектроники.
Содержание
Содержание книги "Основы высокотемпературной криоэлектроники "
Отрывок из книги
циркулирующие сверхпроводящие токи j, которые в объеме создают встречное магнитное поле индукции – B. Такое состояние является термодинамически равно-весным, т.е. оно устанавливается при любой последова-тельности операций охлаждения и включения магнитного поля и остается стабильным, пока не изме-няются поле или температура. Поверхностный характер сверхпроводящих токов обусловлен вторым уравнением Максвелла: rot B=j. (1.5) Поскольку поле B в условиях эффекта Мейсснера в образце отсутствует, rot B также обращается в нуль. Из (1.5) следует, что в этом объеме отсутствуют и токи j. Однако магнитное поле не может быть вытолкнуто из всего объема сверхпроводника до самой поверхно-сти, т.к. это привело бы к скачку магнитного поля от 0 до величины B и существованию бесконечно больших поверхностных токов. Следовательно, магнитное поле проникает в приповерхностный слой сверхпроводника на некоторую глубину λ – глубину проникновения. В этом же слое текут и сверхпроводящие токи. Для оцен-ки глубины проникновения используют следующее выражение: B(x)=B(0)exp(-x/λ), (1.6) где B(0) – индукция магнитного поля вне сверхпровод-ника; B(x) – индукция магнитного поля внутри сверхпро-водника; x – текущая координата. Теория сверхпроводимости дает оценку для глуби-ны проникновения: 02µλSnem=, (1.7) где m – масса электрона. 24
Игумнов В. Н. другие книги автора
Внимание!
При обнаружении неточностей или ошибок в описании книги "Основы высокотемпературной криоэлектроники (автор Владимир Игумнов)", просим Вас отправить сообщение на почту help@directmedia.ru. Благодарим!
и мы свяжемся с вами в течение 15 минут
за оставленную заявку