Электроника
Рассмотрены основные элементы электронных схем, электронные приборы и электронные устройства, импульсные и цифровые сигналы и устройства, порядок выявления и методы расчета их важнейших параметров и характеристик. В приложениях содержатся справочные данные, которые будут полезны при выполнении контрольных работ и курсового проектирования.
Для студентов, изучающих дисциплину СД.01 «Электроника» и смежные дисциплины при подготовке бакалавров по направлению 13.03.02 «Электроэнергетика и электротехника» и магистров по направлению 13.04.02 «Электроэнергетика и электротехника» профиля «Электрооборудование и электрохозяйство предприятий, организаций и учреждений».
Содержание
Содержание книги "Электроника "
Отрывок из книги
1.2.3. Примесные полупроводники Примесным называют полупроводник, в кристаллическую решетку которого введены атомы других веществ. В качестве примеси используют атомы элементов соседних к полупроводникам групп таблицы Менделеева — V группы (мышьяк, фосфор или сурьма) или I I I группы (алюминий, бор или индий). Концентрация примесных атомов считается достаточной, если их число в единице объема составляет тысячные доли процента от числа собственных атомов. Атомы элементов V группы имеют по пять валентных электронов. Четыре электрона примесного атома занимают места в валентной зоне атомов, а пятый образует дополнительный (локальный) энергетический уровень за пределами валентной зоны sb s2, S3 (рис. 1.4, а). Такая примесь называется донорной. //////////////////// 77777777777ТТ777Т77Т а) б) Рис. 1.4. Энергетические уровни примесных полупроводников Атомы элементов I I I группы имеют по три валентных электрона. При введении такой примеси образуются свободные энергетические уровни Si, S2, S3 рядом с валентной зоной (рис. 1.4, б). Такая примесь называется акцепторной. Близость локальных уровней к зоне проводимости (рис. 1.4, а) приводит к тому, что даже при небольшом нагреве электроны с этих уровней могут переходить в свободную зону проводимости. Далее электрон может перемещаться от атома к атому в пределах кристаллической решетки. Произошло образование свободного носителя з а р я д а — электрона проводимости— без образования дырки. При введении донорной примеси концентрация электронов может быть определена выражением: пп = C • e ~A , / k T, (1.8) где С— концентрация примеси, см"3; А' — интервал энергии между верхним занятым примесным и нижним уровнями свободной зоны, эВ. 16
Немировский А. Е. другие книги автора
С книгой "Электроника" читают
Внимание!
При обнаружении неточностей или ошибок в описании книги "Электроника (автор Александр Немировский, Ирина Сергиевская, Олег Степанов, Андрей Иванов)", просим Вас отправить сообщение на почту help@directmedia.ru. Благодарим!
и мы свяжемся с вами в течение 15 минут
за оставленную заявку