Читать фрагмент

книга

Полупроводниковая силовая электроника

Автор: Анатолий Белоус, Сергей Ефименко, Аркадий Турцевич

В книге представлена информация о принципах работы и основных технических характеристиках базовых элементов силовой электроники. На практических примерах рассмотрены основные аспекты проектирования и изготовления элементов силовой электроники, особенности их применения в различных типах энергосберегающих приборов и электронных устройств для осветительной техники, автоэлектроники, управления электродвигателями и источниками питания.Книга ориентирована на широкий круг читателей – ученых, инженерно-технических работников, студентов, инженеров разработчиков радиоэлектронной аппаратуры.

Форматы: PDF

Серия: Мир электроники

Издательство: Техносфера

Год: 2013

Место издания: Москва

ISBN: 978-5-94836-367-7

Страниц: 228

Артикул: 41804

Электронная книга

449 ₽

Купить и скачать

Содержание

Содержание книги "Полупроводниковая силовая электроника "

Предисловие

Введение

Глава 1. Элементная база силовой электроники

1.1. Проблемы преобразования электрической энергии

1.2. Классификация элементной базы силовой электроники

Глава 2. Полупроводниковые приборы силовой электроники

2.1. Силовые полупроводниковые диоды

2.2. Силовые транзисторы

2.2.1. Биполярный транзистор

2.2.2. Мощные биполярные транзисторы и каскады Дарлингтона

2.2.3. Мощные полевые транзисторы (МОSFET)

2.2.4. Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)

2.3. Многослойные интегральные силовые приборы

2.3.1. Тиристоры

2.3.2. Динисторы

2.3.3. Симисторы

Глава 3. Интегральные микросхемы силовой электроники

3.1. Микросхемы для источников питания

3.1.1. Структура источников питания

3.1.2. Полупроводниковые выпрямители напряжения для источников питания

3.2. Микросхемы стабилизаторов напряжения

3.2.1. Схемотехническая реализация источников опорного напряжения (ИОН)

3.2.2. Источник опорного напряжения, равного ширине запрещенной зоны полупроводника

3.2.3. Источники опорного напряжения на МОП-транзисторах

3.2.4. Особенности схемотехнической реализации мощных выходных каскадов микросхем стабилизаторов напряжения

3.2.5. Схема защиты от повышенного входного напряжения

3.2.6. Схемы защиты от превышения температуры кристалла

3.2.7. Схема защиты выхода микросхемы стабилизатора напряжения от тока короткого замыкания

3.2.8. Подгонка параметров микросхем в процессе производства путем пережигания перемычек

3.2.9. Электрическая и лазерная подгонка параметров микросхем в процессе производства

3.3. Микросхемы управления импульсными источниками питания

3.3.1. Структурная схема и принцип работы микросхемы управления импульсными источниками питания

3.3.2. Структурная схема и принцип работы микросхемы ШИМ-контроллера с дополнительной обратной связью по току

3.3.3. Микросхемы импульсных стабилизаторов напряжения

3.3.4. Коррекция коэффициента мощности

3.3.5. Схемотехника микросхем импульсных стабилизаторов напряжения

3.3.6. Схемотехника микросхем управления импульсными источниками питания

3.4. Микросхемы управления электродвигателями

3.4.1. Обобщенная структура и классификация электродвигателей

3.4.2. Микросхемы управления шаговыми двигателями

3.4.3. Микросхемы управления коллекторными электродвигателями

3.4.4. Отечественные микросхемы управления коллекторными двигателями переменного тока

3.4.5. Микросхемы для управления вентильными двигателями постоянного тока

3.4.6. Типовой пример микросхемы управления вентильными двигателями

3.5. Микросхемы управления осветительным оборудованием

3.5.1. Виды источников света и их основные характеристики

3.5.2. Микросхемы управления лампами накаливания

3.5.3. Микросхемы управления газоразрядными источниками света

3.5.4. Микросхемы управления светодиодными источниками света

3.5.5. Отечественные микросхемы драйверов светодиодов

3.6. Силовые микросхемы для автомобильной электроники

3.6.1. Электронные системы управления автомобилями

3.6.2. Силовые микросхемы и полупроводниковые приборы для систем электропитания автомобилей

3.6.3. Электронные системы управления двигателями внутреннего сгорания (ЭСУД)

3.7. Драйверы управления MOSFET и IGBT

3.7.1. Требования к входным сигналам MOSFET и IGBT

3.7.2. Схемы управления MOSFET и IGBT

3.7.3. Быстродействующие драйверы MOSFET и IGBT

3.7.4. Драйверы MOSFET и IGBT с расширенными функциональными возможностями

Глава 4. Технологии изготовления ИМС силовой электроники

4.1. Биполярные технологии изготовления ИМС

4.2. КМОП технология изготовления ИМС силовой электроники

4.3. БиКМОП технология изготовления ИМС силовой электроники

4.4. ДМОП, КДМОП и БиКДМОП технология изготовления ИМС силовой электроники

4.5. Достоинства и недостатки ИМС силовой электроники, реализованных по разным технологиям

Глава 5. Статистический анализ и оптимизация в задачах сквозного проектирования микросхем силовой электроники

5.1. Статистический анализ и оптимизация параметров микросхем силовой электроники

5.2. Иерархический статистический анализ микросхем силовой электроники

5.2.1. Статистическое моделирование прибора

5.2.2. Моделирование на уровнях схемы и системы

5.3. Обобщенная структура методологии сквозного статистического анализа и оптимизации в силовой электронике

5.4. Результаты проведения сквозного статистического анализа и оптимизации параметров типовой микросхемы силовой электроники

5.4.1. Статистический анализ параметров технологии

5.4.2. Статистический анализ параметров прибора (n-МОП транзистора)

5.4.3. Статистический анализ параметров схемы (инвертор на базе n-МОП-транзисторов)

Выводы по главе 5

Глава 6. Особенности корпусирования мощных полупроводниковых приборов и интегральных микросхем

6.1. Проблема отвода тепла. Тепловое сопротивление. Способы уменьшения теплового сопротивления

6.2. Основные типы корпусов для полупроводниковых приборов и микросхем силовой электроники

6.3. Измерение тепловых сопротивлений силовых полупроводниковых приборов

Литература

Отрывок из книги

212.1. Силовые полупроводниковые диодыСиловые диоды работают при высоких напряжениях и больших токах. Их характерные обратные напряжения – до нескольких киловольт, а прямые токи – донескольких килоампер.Величина напряженности электрического поля в области перехода у диода собратным смещением определяется приложенным напряжением обратного смещения и концентрациями примеси в участках p и nтипа. Известно два механизма, которые обуславливают появления напряжения пробоя и называются соответственно зенеровский пробой и лавинный пробой.Зенеровский пробой может произойти в том случае, когда обе стороны перехода сильно легированы и существует напряжение обратного смещения. На рис. 2.3представлена зонная диаграмма pn перехода для случая зенеровского пробоя.Из рисунка видно, что под влиянием напряжения обратного смещения значительная часть заполненных вакансий в валентной зоне материала pтипа оказывается на одном уровне со свободными вакансиями в зоне проводимости nслоя. Если энергетический барьер, разделяющий эти свободные и заполненныесостояния, достаточно узок, то электроны благодаря туннельному эффекту могутпереходить из валентной зоны pслоя в зону проводимости nслоя. Этот квантовомеханический процесс туннельного перехода и создает обратный ток через pnпереход. Ширина обедненного слоя убывает с возрастанием концентрации примеси донора и акцептора и увеличивается с ростом обратного смещения. Весь этотпроцесс называется эффектом Зенера, или зенеровским пробоем. В литературе этотпроцесс также называют туннельным пробоем.Рис. 2.1.Режимы включения pnперехода: прямое смещение (а); обратное смещение (б)Рис. 2.2. Вольтамперная характеристика диодаа) б)ppnnIdUкUк = 0,3 Вдля германиевого диодаи 0,65–0,7 В для кремниевогоUdНапряжение лавинного пробоя Uпр

Внимание!
При обнаружении неточностей или ошибок в описании книги "Полупроводниковая силовая электроника (автор Анатолий Белоус, Сергей Ефименко, Аркадий Турцевич)", просим Вас отправить сообщение на почту help@directmedia.ru. Благодарим!

Полупроводниковая силовая электроника

Содержание

Отрывок из книги

Белоус А. И. другие книги автора

С книгой "Полупроводниковая силовая электроника" читают