КМОП интегральные схемы со структурой «кремний на сапфире»
Книга посвящена КМОП интегральным схемам (ИС) со структурой «кремний на сапфире», которые являются стратегически важным направлением создания ИС для экстремальных и ответственных применений и одновременно быстроразвивающимся перспективным направлением создания больших ИС (БИС) и систем на кристалле (СнК) для мобильных систем связи. В книге рассмотрены следующие вопросы: специфика интегральных схем со структурой КМОП КНС; требования к исходным материалам и КНС-структурам; базовые технологические процессы изготовления приборов и схем; типовые конструкции элементов КМОП КНС интегральных схем различных поколений, их электрические характеристики и параметры; методы приборно-технологического и схемотехнического моделирования приборных структур и типовых цифровых и аналоговых схемных фрагментов; основные характеристики и параметры радиационно стойких КМОП КНС-микросхем и БИС отечественных и зарубежных производителей; элементная база оптоэлектронных ИС, в том числе негальванические фотоэлектрические модули для автономного электропитания и модули для многоканальных оптических соединений.Книга предназначена для инженеров и специалистов, занимающихся разработкой и применением ИС и БИС, а также для студентов и аспирантов соответствующих специальностей.
Содержание
Содержание книги "КМОП интегральные схемы со структурой «кремний на сапфире» "
Отрывок из книги
дится при воспроизведении условий эксперимента, то методамитермостимулирования можно получить достоверную (многократнопроверенную) и весьма детальную информацию.Метод термостимулированного разряда конденсатора (ТРК)обладает высокой чувствительностью, что позволяет изучать при-месные уровни не только в объеме, но и на поверхности.В методе ТРК посредством эффекта поля в полупроводнико-вый слой вводится заряд (рис. 1.6, переключатель в положении«а»), локализующийся при достаточно низкой температуре на ло-вушках. Затем конденсатор закорачивается и регистрируется токво внешней цепи. При последующем нагревании полупроводникас постоянной скоростью концентрация захваченных носителей за-ряда изменяется вследствие термического освобождения ловушеки ухода носителей заряда на металлическую обкладку, имитирую-щую рекомбинационный канал, и во внешней цепи регистрирует-ся ток. Повторный захват в основном отсутствует из-за быстрогоухода освободившихся носителей заряда во внешнюю цепь и име-ет место лишь для уровней прилипания с весьма большим сечени-ем захвата.Рассмотрим полупроводник n-типа, заряженный отрицательно.При охлаждении системы до достаточно низкой температуры T01.3. Методы исследования параметров глубоких уровнейв структурах КНС43Рис. 1.6.Схема метода ТРК: 1) полупроводник; 2) омические кон-такты; 3) металлическая обкладка; 4) батарея; 5) эффек-тивное входное сопротивление электрометра с динамиче-ским конденсатором; 6) переключатель
С книгой "КМОП интегральные схемы со структурой «кремний на сапфире»" читают
Внимание!
При обнаружении неточностей или ошибок в описании книги "КМОП интегральные схемы со структурой «кремний на сапфире» (автор А. Адонин, К. Петросянц)", просим Вас отправить сообщение на почту help@directmedia.ru. Благодарим!
и мы свяжемся с вами в течение 15 минут
за оставленную заявку