Физическая химия кристаллов с дефектами

49 5. ОПРЕДЕЛЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ ОКСИДА ЦИНКА И УРОВНЕЙ ЗАЛЕГАНИЯ ДЕФЕКТОВ ПО СПЕКТРАМ ДИФФУЗНОГО ОТРАЖЕНИЯ Цель работы – ознакомиться с принципом определения ши-рины запрещенной зоны и энергий залегания дефектов в широ-козонных полупроводниках. В результате выполнения лабораторной работы студенты должны: знать: теоретические основы и принципы определения шири-ны запрещенной зоны и энергий залегания дефектов в широкозон-ных полупроводниковых материалах; уметь: выполнять подготовку проб для определения ширины запрещенной зоны и энергий залегания дефектов в широкозонных полупроводниковых материалах; владеть: навыками выполнения измерений и обработки спек-тров диффузного отражения на спектрофотометре СФ-56. Теоретическая часть Если световой поток Ф0 от какого-либо источника света S по-падает на предмет, то он частично ФR отражается от него, частич-но преломившись проникает вглубь тела. Прошедший вглубь предмета световой поток частично поглощается Фa, что сопровож-дается переходом лучистой энергии в какой-либо иной вид энер-гии, а некоторая часть Ф может пройти через тело. По закону со-хранения энергии сумма трех отдельных потоков должна быть равна энергии падающего потока: ФR+Фa+Ф=Ф0 (5.1) Если разделить обе части уравнения на падающий поток, то получим: ФR/Ф0+Фa/Ф0+Ф=1 (5.2) Отношение отраженного потока к падающему называется ко-эффициентом отражения – R (Reflection). Отношение поглощенно-го потока к падающему называется коэффициентом поглощения –