КМОП интегральные схемы со структурой «кремний на сапфире»

Содержание книги "КМОП интегральные схемы со структурой «кремний на сапфире»"

Введение
Литература
Глава 1. Гетероэпитаксиальные структуры «кремний на сапфире»
1.1. Физико-химические характеристики гетероэпитаксиальных структур «кремний на сапфире»
1.2. Основные параметры КНС-структур для радиационно стойких КМОП-схем
1.3. Методы исследования параметров глубоких уровней в структурах КНС
1.4. Результаты исследования глубоких уровней в структурах КНС, подвергнутых различным видам внешних воздействий
Литература
Глава 2. Технология создания радиационно стойких КМОП БИС со структурой «кремний на сапфире»
2.1. Разработка и исследование технологических процессов формирования радиационно стойких МОП-структур
2.2. Базовый технологический маршрут изготовления КМОП БИС КНС SOS-2 (длина канала до 4 мкм)
2.3. Технологический маршрут изготовления КМОП БИС SOS-3 (длина канала 2 мкм)
Литература
Глава 3. Технология КМОПБИС КНС с коротким каналом
3.1. Короткоканальные эффекты в КМОП КНС-транзисторах
3.2. Поиск путей совершенствования технологического маршрута с помощью методов математического моделирования
3.3. Технологический маршрут изготовления КМОП БИС КНС (SOS-4) с длиной канала до 1,5—1,25 мкм
3.4. Двухкарманная технология с самосовмещенными затворами на ультратонком кремнии с длиной канала 0,5 мкм и менее (UTSi-технология компании Peregrine)
Литература
Глава 4. Элементы радиационно стойких КМОПКНС БИС
4.1. МОП КНС-транзисторы, КМОП-ячейки
4.2. Стабилитрон, изготовленный по технологии КНС
4.3. Пассивные RC-цепочки
4.4. Сенсоры на основе ионоселективных МОП КНС-транзисторов
4.5. Индуктивность
4.6. Ячейка ПЗУ с электрически стираемой перепрограммируемой информацией (EEPROM)
Литература
Глава 5. Подсистема моделирования элементной базы радиационно стойких КМОПБИС КНС
5.1. Пятиуровневая методика моделирования радиационно стойких КМОП КНС БИС
5.2. Методика оценки чувствительности исходных КНС-структур к высокотемпературным обработкам и радиационным воздействиям
5.3. Приборно-технологическое моделирование с помощью пакета Synopsys TCAD
5.4. Схемотехнические модели МОП-транзисторов на изолирующей подложке, учитывающие влияние радиационных эффектов
5.5. Моделирование КМОП КНС БИС с использованием библиотек стандартных ячеек и функциональных схемных блоков
Литература
Глава 6. Отечественные радиационно стойкие интегральные схемы со структурой «кремний на сапфире»
6.1. Радиационно стойкие КМОП БИС предприятия ПАО НПП «Сапфир»
6.2. Радиационно стойкие КМОП КНС-микросхемы предприятия ПАО «Ангстрем»
6.3. Радиационно стойкие КМОП КНС-микросхемы предприятия ФГУП РФЯЦ — ВНИИЭФ «НИИИС им. Ю.Е. Седакова»
6.4. Радиационно стойкие аналоговые КМОП КНС-микросхемы предприятия АО «НПО измерительной техники»
Литература
Глава 7. Зарубежные радиационно стойкие интегральные схемы со структурой «кремний на сапфире»
7.1. КМОП КНС-микросхемы компании Peregrine Semiconductor Corporation
7.2. КМОП КНС-микросхемы компании Dynex Semiconductor
7.3. КМОП КНС-микросхемы компании Intersil Corporation
7.4. КМОП КНС-микросхемы компании GEC Pleassey (Mitel Semiconductor)
Литература
Глава 8. Оптоэлектронные БИС со структурой КНС
8.1. Элементы фоточувствительных ИС на КНС-структурах
8.2. Схемотехнические модели фотодиода и фототранзистора
8.3. Фоточувствительные ИС на активных пикселях
8.4. Фотоприемные интегральные схемы со встроенным фотовольтаическим питанием
8.5. Высоковольтные маломощные фотоэнергетические модули
8.6. Диодный оптрон на основе GaN/GaAs-излучателя и КНС-фотоприемника
8.7. Оптоэлектронные модули на сапфировых подложках для многоканальных оптических соединений
Литература
Заключение
Литература