Введение в кристонную модель формирования полос сдвига и мартенсита деформации в ГЦК кристаллах
Здесь можно купить книгу "Введение в кристонную модель формирования полос сдвига и мартенсита деформации в ГЦК кристаллах " в печатном или электронном виде. Также, Вы можете прочесть аннотацию, цитаты и содержание, ознакомиться и оставить отзывы (комментарии) об этой книге.
Автор: Вера Чащина, Анна Семеновых, Михаил Кащенко
Форматы: PDF
Издательство: Издательство Уральского университета
Год: 2020
Место издания: Екатеринбург
ISBN: 978-5-7996-2970-0
Страниц: 63
Артикул: 101168
Возрастная маркировка: 16+
Краткая аннотация книги "Введение в кристонную модель формирования полос сдвига и мартенсита деформации в ГЦК кристаллах"
В учебном пособии приводятся экспериментальные данные, касающиеся в первую очередь ориентаций границ полос сдвига в ГЦК кристаллах. Эти данные получают естественную интерпретацию как следствие возникновения объемных носителей деформации кристаллографического сдвига, названных кристонами. Источники кристонов образуются при сильном (контактном) взаимодействии дислокаций. Рекомендуется студентам, магистрантам, аспирантам и специалистам в области физики твердого тела, физического материаловедения и физического металловедения.
Содержание книги "Введение в кристонную модель формирования полос сдвига и мартенсита деформации в ГЦК кристаллах"
Предисловие
Введение
1. Ориентировки границ полос неоктаэдрического сдвига
1.1. Ориентировки границ полос неоктаэдрического сдвига в монокристаллах сплава Al-3 %Cu
1.2. Ориентировки границ полос неоктаэдрического сдвига в монокристаллах сплава Ni3Fe при сжатии вдоль направления [001]γ
1.3. Ориентировки границ полос сдвига в монокристаллах сплава Fe-Ti-Mn при растяжении
2. Основные положения кристонной модели формирования полос сдвига с границами типа {hhℓ}γ (на примере монокристаллов с ГЦК решеткой)
3. Устойчивость кристонов
4. Критическое напряжение генерации кристонов
5. О роли пластической деформации в реализации реконструктивных мартенситных превращений
6. О возможных вариантах мартенсита деформации
7. Кристон как носитель сдвига, стимулирующего пороговую деформацию
8. Пример формирования нанокристалла мартенсита деформации при контактном взаимодействии пары нанокристаллических пластинчатых областей двойников исходной ГЦК решетки
9. Перспективные направления развития и приложения кристонной концепции
Вопросы для самоконтроля
Библиографические ссылки
Все отзывы о книге Введение в кристонную модель формирования полос сдвига и мартенсита деформации в ГЦК кристаллах
Отрывок из книги Введение в кристонную модель формирования полос сдвига и мартенсита деформации в ГЦК кристаллах
152. ОСНОВНЫЕ ПОЛОЖЕНИЯ КРИСТОННОЙ МОДЕЛИ ФОРМИРОВАНИЯ ПОЛОС СДВИГА С ГРАНИЦАМИ ТИПА {hhℓ}g (НА ПРИМЕРЕ МОНОКРИСТАЛЛОВ С ГЦК РЕШЕТКОЙ)Поскольку вектор Бюргерса является интегралом движения для отдельной дислокации, естественно при описании носителя сдвига установить эффективное значение его вектора Бюргерса как характеристики, полученной определенной суперпозицией векторов Бюргерса взаимодействующих дислокаций. Будем рассматривать для определенности ориентировки (hhl)γ, для которых (как и в примере на рис. 2) в качестве основной может быть выбрана система с пло-скостью скольжения (111)γ, а сопряженной — с плоскостью (111)γ. Поскольку плоскости пересекаются вдоль направления [110]γ, можно предложить модель формирования полосы [31, 32], в которой сдвиг по плоскостям (hhℓ)γ реализуется носителем с суперпозиционным вектором Бюргерса b, составленным из векторов Бюргерса b1 и век-торов b2 дислокаций, принадлежащих основной и сопряженной системам скольжения. Известно, что действие двух систем сколь-жения в условиях преобладания дислокаций одной из них приводит к образованию квазиплоской дислокационной сетки. Типичным элементом такой сетки являются отрезки прямолинейных барье-ров, т. е. сегменты дислокаций с векторами Бюргерса, не лежащими ни в одной из действующих плоскостей скольжения. Как правило, барьеры расположены вдоль плотноупакованного направления [110]γ, по которому пересекаются плоскости (111)γ и (111)γ.В ходе деформации вблизи барьеров возникают скопления дис-локаций, расположенных как на одной, так и на группе соседних параллельных плоскостей. Цилиндрическая область локализации
С книгой "Введение в кристонную модель формирования полос сдвига и мартенсита деформации в ГЦК кристаллах" читают
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Бестселлеры нон-фикшн
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Новинки книги нон-фикшн
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Внимание!
При обнаружении неточностей или ошибок в описании книги "Введение в кристонную модель формирования полос сдвига и мартенсита деформации в ГЦК кристаллах (автор Вера Чащина, Анна Семеновых, Михаил Кащенко)", просим Вас отправить сообщение на почту help@directmedia.ru. Благодарим!
и мы свяжемся с вами в течение 15 минут
за оставленную заявку