Основы высокотемпературной криоэлектроники
Место издания: Москва|Берлин
ISBN: 978-5-4499-0362-4
Страниц: 238
Артикул: 93393
Возрастная маркировка: 16+
Краткая аннотация книги "Основы высокотемпературной криоэлектроники"
Изложены основные представления о низкотемпературной и высокотемпературной сверхпроводимости. Рассмотрены эффекты и явления, на которых основана работа устройств криоэлектроники. Приведены данные об основных высокотемпературных сверхпроводниках, их критические параметры, а также сведения о технологии их изготовления. В пособие включен практикум: работы по технологии изготовления и исследования крио-электронного устройства. Для студентов и аспирантов, специализирующихся в области электронной техники, а также криоэлектроники.
Содержание книги "Основы высокотемпературной криоэлектроники"
Предисловие
Введение
Контрольные вопросы
Глава 1. Сверхпроводимость
1.1. Нулевое сопротивление
1.2. Сверхпроводник в магнитном поле
1.3. Сверхпроводники второго рода. Вихри Абрикосова
1.4. Энергетическая щель. Одночастичное туннелирование
1.5. Эффекты Джозефсона
1.6. Теория Бардина-Купера-Шриффера. Основные результаты
1.7. Особенности высокотемпературной сверхпроводимости
Контрольные вопросы
Глава 2 Высокотемпературные сверхпроводники
2.1. Структура высокотемпературных сверхпроводников
Контрольные вопросы
2.2. Синтез ВТСП материалов
Контрольные вопросы
2.3. Технология объемных сверхпроводников
2.3.1. Методы жидкофазного получения Bi-2212 сверхпроводников
2.3.2. Методы жидкофазного получения Y-123 сверхпроводников
Контрольные вопросы
2.4. Технология пленочных сверхпроводников
2.4.1. Физические методы получения тонких пленок
2.4.2. Химические методы получения пленок и покрытий
2.4.3. Подложки. Буферные слои
Контрольные вопросы
2.5. Основные свойства сверхпроводников
2.5.1. Переход металл-изолятор
2.5.2. Терморезистивные характеристики
2.5.3. Критический ток
2.5.4. Высокотемпературные сверхпроводники в магнитном поле
Контрольные вопросы
Глава 3 Устройства криоэлектроники
3.1. Пассивные сверхвысокочастотные устройства
3.1.1. Микрополосковые линии. Линии задержки
3.1.2. Фильтры
3.1.3. Резонаторы
3.1.4. Приборы на S – N переходах
Контрольные вопросы
3.2. Болометры
Контрольные вопросы
3.3. Устройства на основе переходов Джозефсона
3.3.1. Джозефсоновские криотроны
3.3.2. Цифровые устройства на Д-криотронах
3.3.3. Квантроны
3.3.4. Приемные устройства
3.3.5. Генераторы
Контрольные вопросы
3.4. Устройства на основе квантовых интерферометров
3.4.1. Сверхпроводящий квантовый интерферометр
3.4.2. Цифровые устройства на основе СКВИДов
3.4.3. Магнитометры и градиентометры
3.4.4. Магнитометрические системы
Контрольные вопросы
3.5. Магнитные экраны
Контрольные вопросы
Глава 4 Лабораторный практикум
4.1. Синтез ВТСП материалов
Общие сведения
Задания
Контрольные вопросы
4.2. Получение и исследование тонкопленочных ВТСП элементов
Общие сведения
Задания
Контрольные вопросы
4.3. Получение и исследование колец-фрагментов магнитного экрана
Задания
Контрольные вопросы
4.4. Исследование свойств колец-фрагментов магнитного экрана
Общие сведения
Задания
Контрольные вопросы
4.5. Изготовление и исследование свойств магнитных экранов
Общие сведения
Задания
Контрольные вопросы
Заключение
Библиографический список
Предметный указатель
Все отзывы о книге Основы высокотемпературной криоэлектроники
Отрывок из книги Основы высокотемпературной криоэлектроники
циркулирующие сверхпроводящие токи j, которые в объеме создают встречное магнитное поле индукции – B. Такое состояние является термодинамически равно-весным, т.е. оно устанавливается при любой последова-тельности операций охлаждения и включения магнитного поля и остается стабильным, пока не изме-няются поле или температура. Поверхностный характер сверхпроводящих токов обусловлен вторым уравнением Максвелла: rot B=j. (1.5) Поскольку поле B в условиях эффекта Мейсснера в образце отсутствует, rot B также обращается в нуль. Из (1.5) следует, что в этом объеме отсутствуют и токи j. Однако магнитное поле не может быть вытолкнуто из всего объема сверхпроводника до самой поверхно-сти, т.к. это привело бы к скачку магнитного поля от 0 до величины B и существованию бесконечно больших поверхностных токов. Следовательно, магнитное поле проникает в приповерхностный слой сверхпроводника на некоторую глубину λ – глубину проникновения. В этом же слое текут и сверхпроводящие токи. Для оцен-ки глубины проникновения используют следующее выражение: B(x)=B(0)exp(-x/λ), (1.6) где B(0) – индукция магнитного поля вне сверхпровод-ника; B(x) – индукция магнитного поля внутри сверхпро-водника; x – текущая координата. Теория сверхпроводимости дает оценку для глуби-ны проникновения: 02µλSnem=, (1.7) где m – масса электрона. 24
С книгой "Основы высокотемпературной криоэлектроники" читают
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Бестселлеры нон-фикшн
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Новинки книги нон-фикшн
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
и мы свяжемся с вами в течение 15 минут
за оставленную заявку