МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники
В книге рассмотрены теоретические и практические аспекты МОС-гидридной эпитаксии (МОСГЭ) – одного из наиболее гибких и производительных современных методов получения полупроводниковых структур. Кратко изложены физико-химические основы метода, приведено описание высокопроизводительного технологического оборудования для реализации МОСГЭ и методов контроля роста эпитаксиальных слоев in situ, затронуты вопросы моделирования процессов.Практические аспекты реализации метода подробно рассмотрены на примере формирования эпитаксиальных структур полупроводников AIIIBV, AIIBVI и твердых растворов на их основе – основных материалов современной оптоэлектроники и ИК-техники. Значительное внимание уделено формированию наноразмерных эпитаксиальных структур и гетероструктур на основе нитридов элементов III группы, технология которых получила стремительное развитие в последние годы. Рассмотрены вопросы адаптации метода МОСГЭ к получению ряда новых материалов электронной техники.Книга предназначена специалистам в области технологии полупроводниковых материалов, может быть полезна аспирантам и студентам соответствующих специальностей.
Содержание
Содержание книги "МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники "
Отрывок из книги
Реакции в газовой фазеРеакции на поверхности роста(CH3)2CH2Ga +·H®(CH3)3Ga(CH3)2CH2Ga®®(CH3)CH2Ga +·СH3(CH3)CH2Ga®CH2Ga +·СH3(CH3)3Ga +·H®(CH3)2Ga + CH4(CH3)2Ga +·H®CH3Ga + CH4(CH3)2Ga +·СH3®®(CH3)CH2Ga + CH4(CH3)CH2Ga +·H®(CH3)2GaAsH2+ As(п)®·AsH + H·AsH3+ As(п)®·AsH + H2·СH3+·H(Ga)®CH4+ Ga(п)·СH3+·H(As)®CH4+ As(п)·H +·СH3(Ga)®CH4+ As(п)·H +·СH3(As)®CH4+ Ga(п)·H(Ga)+·СH3(As)®CH4+ As(п)+ Ga(п)·H(As)+·СH3(Ga)®CH4+ As(п)+ Ga(п)·H(As)+·H(Ga)®H2+ As(п)+ Ga(п)·СH3(As)+·СH3(Ga)®C2H6+ As(п)+ Ga(п)CH3Ga +·AsH®GaAs + CH4+ Ga(п)+ As(п)·AsH +·AsH®As2+ H2+ 2As(п)·СH3+·AsH®·As + CH4·As +·As«As2+ 2As(п)CH3Ga +·As®GaAs +·СH3+ Ga(п)+ As(п)Нижний индекс(п)означает принадлежность соответствующего атома к поверхностиосаждения.Особенности протекания химических процессов при МОСГЭ в сущест-венной мере зависят от технологических условий проведения процесса [2].Рассмотрим подробнее процессы пиролиза и химического взаимодействияреагентов на примере наиболее изученных систем AIII-BV.5.1. Пиролиз источниковВопросы устойчивости МОС являлись объектом исследований многих авто-ров, результаты которых подробно рассмотрены и систематизированы в об-зорных работах [3—6]. Здесь мы коснемся только основных моментов.Протекание гомогенных или гетерогенных реакций термического разло-жения МОС обычно происходит в несколько последовательных этапов, ки-нетика которых зависит как от природы источника, так и от температурыпроведения процесса эпитаксии, состава газовой фазы, давления в реактореустановки МОСГЭ. Наиболее простой механизм пиролиза основывается нагомолитическом распаде МОС с последовательным отщеплением органиче-ских радикалов. Примером может служить пиролиз ТМIn (рис. 5.1).В приведенном примере, характерном для метильных МОС, реакции пи-ролиза сопровождаются образованием свободных радикалов, которые, обла-дая ненасыщенной химической связью, легко связываются с атомами на по-верхности подложки и в значительной мере оказываются ответственными зазагрязнение выращиваемых ЭС углеродом.5.1. Пиролиз ...
Внимание!
При обнаружении неточностей или ошибок в описании книги "МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники (автор Р. Акчурин, А. Мармалюк)", просим Вас отправить сообщение на почту help@directmedia.ru. Благодарим!
и мы свяжемся с вами в течение 15 минут
за оставленную заявку