Читать фрагмент

книга

Физические основы наноэлектроники

Автор: Владимир Филиппов, Анатолий Пашун

В учебном пособии рассмотрены особенности физического принципа работы полупроводниковых нанометровых структур: анализируются особенности энергетического спектра электронов в таких структурах и возможности целенаправленного управления ими в практических целях. Дана классификация низкоразмерных структур. Описаны основные методы получения структур современной наноэлектроники.
Пособие предназначено для студентов вузов, аспирантов и специалистов.

Форматы: PDF

Издательство: Липецкий государственный педагогический университет им. П.П. Семенова-Тян-Шанского

Год: 2018

Место издания: Липецк

ISBN: 978-5-88526-948-3

Страниц: 163

Артикул: 76070

Возрастная маркировка: 16+

Электронная книга

326 ₽

Купить и скачать

Содержание

Содержание книги "Физические основы наноэлектроники "

Предисловие

1. Развитие электроники и классификация электронных приборов

1.1. Электронные электровакуумные приборы

1.2. Ионные электровакуумные (газоразрядные) приборы

1.3. Полупроводниковые приборы

1.4. Интегральные микросхемы (ИМС)

1.5. Переход к наноэлектронике

2. Полупроводники. Основы зонной теории полупроводников

2.1. Характерные признаки полупроводников

2.2. Элементы зонной теории полупроводников

2.3. Особенности зонной структуры некоторых полупроводников

3. Технологические основы наноэлектроники и получение гетеросистем пониженной размерности

3.1. Различные методы изготовления полупроводниковых приборов

3.2. Гетеропереходы и барьеры Шоттки

3.3. Гетеросистемы пониженной размерности

3.4. Условия наблюдения квантово-размерных эффектов. Квантовые пленки, нити

4. Особенности энергетического спектра электронов в системах пониженной размерности

4.1. Размерное квантование

4.2. Плотность состояний в системах различной размерности

4.3. Статистика электронов и дырок в полупроводниках

4.4. Влияние однородного электрического поля на энергетический спектр систем пониженной размерности

4.5. Экранирование электрического поля в структурах пониженной размерности

4.6. Энергетический спектр носителей заряда в наноструктурах со сложным профилем легирования

5. Туннельные эффекты

5.1. Потенциальный барьер конечной ширины

5.2. Двухбарьерные структуры

5.3. Резонансно-туннельный диод

6. Квантовый эффект Холла

6.1. Классический эффект Холла

6.2. Квантовый эффект Холла (КЭХ) в двумерном электронном газе

7. Кинетические эффекты в двумерных системах

7.1. Дрейфовая скорость и время релаксации

7.2. Механизмы рассеяния в 2D-системах

7.3. Подвижность электронов в системах с селективным легированием

7.4. Баллистический транспорт

8. Свойства квантовых нитей и точек

8.1. Баллистическая проводимость нитей

8.2. Связь квантового эффекта Холла с квантованием проводимости в нитях

8.3. Кулоновская блокада

8.4. Особенности переноса заряда в молекулярных структурах

9. Наноэлектронные приборы и системы

9.1. Физический принцип работы МДП-транзисторов

9.2. КНИ МОП-транзисторы

9.3. Транзисторы с гетероструктурами

9.4. Полупроводниковые излучающие диоды

9.5. Наноэлектронные лазеры

9.6. Наноэлектронные фотоприемники

9.7. Наноприборы на основе нанотрубок

9.8. Одноэлектронные транзисторы

9.9. Квантовые компьютеры

10. Основы функциональной электроники

10.1. Приборы с зарядовой связью (ПЗС)

10.2. Фотоприемные ПЗС

10.3. Акустические приборы

10.4. Магнитоэлектронные приборы

11. Тестовые и контрольные вопросы

12. Задачи по физическим основам наноэлектроники

13. Приложение. Уравнение Шредингера и методы его решения

Заключение

Библиографический список

Отрывок из книги

9 2. Полупроводники. Основы зонной теории полупроводников 2.1. Характерные признаки полупроводников. Нельзя не восхищаться достиже-ниями человечества во второй половине ХХ века, когда чуть ли не каждый год сопровождался крупным прорывом то в одной, то в другой области. Одной из причин тому явилось широкомасштабное применение полупроводников [10]. Приведем характерные признаки полупроводников, которые отличаются от признаков металлов. Металлы: 1) при повышении температуры проводимость медленно уменьшается (сопротивление возрастает); 2) примеси в металлах приводят в большинстве случае к уменьшению проводимости; 3) под действием излучения проводимость не изменяется. Полупроводники: 1) при повышении температуры проводимость резко увеличивается (сопротивление уменьшается); 2) при незначительной концен-трации примесей проводимость кристаллов возрастает в 10 – 100 тысяч раз; 3) при действии излучения резко возрастает проводимость. К естественным элементарным полупроводникам относятся кристаллы, образованные из атомов химических элементов IV столбца таблицы Менделее-ва (алмаз-С, Si, Ge, серое-Sn, … – алмазоподобные полупроводники). Это озна-чает, что атомы этих элементов четырехвалентны, т.е. имеют четыре валентных электрона. Разнообразие полупроводниковых кристаллов (с разными физиче-скими параметрами) получают искусственным путем (имеем синтетические кристаллы) – путем соединения разных химических элементов таблицы Мен-делеева. Например, получают соединения типа AIIIBV, где А и В – это химиче-ские элементы из третьей и пятой групп таблицы. Аналог Ge – соединение GaAs (арсенид галлия) также имеет 4 валентных электрона (Ga–3, As–5) в рас-чете на один атом и обладает полупроводниковыми свойствами. Подобным об-разом можно образовать и другие полупроводниковые соединения (АIIВVI – ZnSe, …; V2IVIICBA – ZnGeAs2, ….). Человек научился выращивать синтетиче-ские полупроводниковые кристаллы даже в кос...

Внимание!
При обнаружении неточностей или ошибок в описании книги "Физические основы наноэлектроники (автор Владимир Филиппов, Анатолий Пашун)", просим Вас отправить сообщение на почту help@directmedia.ru. Благодарим!

Физические основы наноэлектроники

Содержание

Отрывок из книги

Филиппов В. В. другие книги автора

С книгой "Физические основы наноэлектроники" читают