Технологии субмикронных структур микроэлектроники

Читать фрагмент

книга

Технологии субмикронных структур микроэлектроники

Автор: Анатолий Достанко, Сергей Бордусов, Дмитрий Голосов, С. Завадский, В. Колос

Рассмотрены и обобщены результаты исследований и разработок в области технологии и оборудования для производства и диагностики субмикронных структур полупроводниковой микроэлектроники.Предназначена для инженерно-технических работников предприятий электронной и других отраслей промышленности, специалистов научно-исследовательских институтов, аспирантов, магистрантов и студентов старших курсов технических вузов.

Форматы: PDF

Издательство: Беларуская навука

Год: 2018

Место издания: Минск

ISBN: 978-985-08-2298-7

Страниц: 272

Артикул: 55871

Электронная книга

693 ₽

Купить и скачать

Содержание

Содержание книги "Технологии субмикронных структур микроэлектроники "

Введение

Глава 1. СВЧ плазменные технологии при создании микро- и наноструктур изделий электронной техники (С. В. Бордусов, С. И. Мадвейко, М. С. Лушакова)

1.1. Процессы удаления материала с поверхности твердого тела

1.2. Получение тонких пленок на поверхности твердого тела

1.3. Модификация структуры поверхностных слоев твердых тел

1.4. Применение СВЧ энергии при производстве изделий электронной техники и тенденции развития процессов СВЧ плазменной обработки

Список использованных источников к главе 1

Глава 2. Формирование ячеек сегнетоэлектрической энергонезависимой памяти (А. П. Достанко, Д. А. Голосов, С. И. Завадский, В. В. Колос, С. Н. Мельников, В. А. Солодуха)

2.1. Свойства сегнетоэлектриков и их использование в технологии интегральных схем

2.2. Сегнетоэлектрические ячейки памяти FeRAM

2.3. Схема ячейки 1T/1C

2.4. Cхема ячейки 2T/2C

2.5. Схема ячейки 1Т FeRAM (FeFET)

2.6. Структуры ячеек памяти FeRAM

2.7. Интеграция сегнетоэлектриков в полупроводниковую технологию

2.8. Сегнетоэлектрические материалы конденсаторной структуры

2.9. Методы нанесения сегнетоэлектрических тонких пленок

2.10. Кристаллизационный отжиг

2.11. Травление конденсаторных структур

Список использованных источников к главе 2

Глава 3. Формирование субмикронных функциональных слоев в микроэлектронных изделиях (Е. В. Телеш)

3.1. Формирование тонкопленочных слоев из диборидов циркония и гафния

3.2. Ионно-лучевой синтез гетероструктур «металл–арсенид галлия»

3.3. Ионно-лучевой синтез гетероструктур «диэлектрик–арсенид галлия»

3.4. Формирование межуровневого диэлектрика прямым осаждением из ионных потоков

Список использованных источников к главе 3

Глава 4. Бессвинцовые материалы для контактных соединений в изделиях электроники (В. Л. Ланин)

4.1. Анализ составов бессвинцовых материалов, применяемых для формирования контактных соединений в изделиях электроники

4.2. Получение модифицированных бессвинцовых материалов с адгезионно-активными добавками при интенсифицирующих воздействиях

4.3. Исследование влияния адгезионно-активных добавок на механические и электрофизические свойства бессвинцовых материалов

4.4. Рекомендации по практическому применению результатов исследований

Список использованных источников к главе 4

Глава 5. Технологические процессы и оборудование для сборки многокристальных модулей (И. Б. Петухов)

5.1. Технология сборки многокристальных гибридных интегральных модулей и систем в корпусе

5.2. Методика выбора способов контактных межсоединений в многокристальных модулях

5.3. Технология flip-chip в 2,5D и 3D конструкциях многокристальных модулей

5.4. Отечественное и зарубежное оборудование для сборки многокристальных модулей

Список использованных источников к главе 5

Глава 6. Лазерная активация электрохимических процессов формирования субмикронных структур (А. Н. Купо)

6.1. Методы и устройства лазерной электрохимической обработки

6.2. Моделирование тепловых и фотохимических процессов лазерной активации электрохимической обработки

6.3. Экспериментальное исследование электрохимических процессов формирования субмикронных структур с лазерной активацией

6.4. Рекомендации по практическому использованию лазерных электрохимических процессов

Список использованных источников к главе 6

Глава 7. Диагностика субмикронных структур полупроводниковой микроэлектроники (А. Н. Петлицкий)

7.1. Измерение удельного сопротивления и концентрации легирующей примеси в полупроводниковых материалах и структурах

7.2. Измерение подвижности носителей заряда

7.3. Определение времени жизни неосновных носителей заряда

7.4. Определение заряда, плотности поверхностных состояний, толщины диэлектрика в МДП-структурах

7.5. Измерение электрических характеристик базовых элементов субмикронных микросхем

Список использованных источников к главе 7

Отрывок из книги

23и высокая скорость нагрева. Реальное время обработки должно составлять 20–25 с, а неравномерность сушки ~5 %.СВЧ сушка пригодна лишь для фоторезиста, нанесенного на пластины с высоким поверхностным сопротивлением. Там, где по условиям технологи-ческого процесса до первой фотолитографии требуется провести металлиза-цию поверхности пластин или легирования ее примесью, снижающей поверх-ностное сопротивление до единиц Ом на квадрат и менее, пластины кремния практически не нагреваются вследствие экранирования их поверхностными слоями с высокой проводимостью.Исследования по использованию СВЧ энергии в полупроводниковом про-изводстве показали, что СВЧ сушка обеспечивает равномерное высыхание ре-зиста, а время обработки снижается до секунд. Кроме того, после СВЧ сушки время экспонирования и проявления резиста уменьшается в 1,5–2,0 раза. Все это дает возможность повысить производительность линии фотолитографии на 20 %.Для использования в производстве полупроводниковых приборов при проведении таких процессов, как отжиг эпитаксиальных структур, снятие ме-ханических напряжений, вжигание контактов, сушка и полимеризация фото-резиста на подложках из кремния и арсенида галлия разработана установка для термообработки в СВЧ поле «Электроника 502Т» (рис. 1.2) [71].Установка обеспечивает сокращение продолжительности процесса в 10–100 раз; может комплектоваться процессором, позволяющим задавать про-грамму термообработки, последовательность и продолжительность уровней подаваемой мощности.Удаление фоторезиста – завершающая операция технологического про-цесса фотолитографии, которая во многом определяет качество выполнения последующих циклов: диффузии, окисления, металлизации. Кроме плазмо-химического метода удаления фоторезиста, который рассмотрен выше, СВЧ энергия может быть использована при удалении фоторезистивной пленки фототермическим методом [79; 80], результа-том которого является окислительная дест- рукция пленки в кислор...

Внимание!
При обнаружении неточностей или ошибок в описании книги "Технологии субмикронных структур микроэлектроники (автор Анатолий Достанко, Сергей Бордусов, Дмитрий Голосов, С. Завадский, В. Колос)", просим Вас отправить сообщение на почту help@directmedia.ru. Благодарим!