Читать фрагмент

книга

Физические основы электроники

Пособие представляет курс лекций, в которых дано систематическое изложение современной электроники, охватывающей как основные теоретические представления, так и важнейшие экспериментально установленные факты для объяснения принципов действия широкого круга электронных приборов и устройств, изложены физические основы процессов, лежащих в основе работы электронных приборов.Предназначено для бакалавров направления подготовки 210700.62 – Инфокоммуникационные технологии и системы связи.

Форматы: PDF

Издательство: Северо-Кавказский Федеральный университет (СКФУ)

Год: 2014

Место издания: Ставрополь

Страниц: 135

Артикул: 21600

Возрастная маркировка: 16+

Электронная книга

270 ₽

Купить и скачать

Содержание

Содержание книги "Физические основы электроники "

ПРЕДИСЛОВИЕ

Глава 1. ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ

1.1. Модель атома и свойства электрона

1.2. История развития представлений об атомах

1.3. Понятие об энергетических уровнях и зонах

1.4. Кристаллическая решётка

Вопросы для самоконтроля к главе 1

Глава 2. СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ

2.1. Собственный полупроводник

2.2. Определение равновесной концентрации зарядов в собственном полупроводнике

2.3. Функция распределения Ферми - Дирака

2.4. Вероятность распределения электронов по энергетическим уровням в полупроводнике

2.5. Влияние поверхностных состояний

2.6. Уровень Ферми в собственном полупроводнике

2.7. Эффект внешнего поля

2.8. Примесные полупроводники

2.8.1. Полупроводник типа n

2.8.2. Полупроводник типа p

2.9. Соотношения между концентрациями подвижных зарядов в примесных полупроводниках

2.10. Уровни Ферми в примесных полупроводниках

2.11. Зависимость уровней Ферми от концентраций примесей

2.12. Механизмы образования подвижных зарядов

2.13. Основные и неосновные носители зарядов

2.14. Токи в полупроводнике

2.14.1. Ток дрейфа

2.14.2. Электропроводность полупроводников в электрическом поле

2.14.3. Ток диффузии. Полный ток

2.15. Время жизни неравновесных зарядов

2.16. Диффузионная длина неравновесных зарядов

Вопросы для самоконтроля к главе 2

Глава 3. КОНТАКТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ. КОНТАКТЫ «МЕТАЛЛ-ПОЛУПРОВОДНИК»

3.1. Работа выхода

3.2. Потенциальные барьеры на границе токопроводящих материалов и вакуума

3.3. Виды контактов металл - полупроводник. Условия реализации

3.3.1. Виды контактов «металл - полупроводник». Выпрямляющие контакты

3.3.2. Виды контактов «металл - полупроводник». Омические контакты

3.4. Вольтамперные характеристики контактов «металл - полупроводник»

Вопросы для самоконтроля к главе 3

Глава 4. ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД

4.1. Структура электронно-дырочного перехода

4.2. Электронно-дырочный переход в состоянии равновесия

4.2.1. Контакт двух полупроводников

4.2.2. Факторы динамического равновесия

4.2.3. Равновесное состояние перехода

4.2.4. Распределение зарядов в p-n-переходе

4.2.5. Распределение поля и потенциала в p-n-переходе

4.2.6. Энергетическая диаграмма p-n-перехода в равновесном состоянии

4.2.7. Энергетическая диаграмма p-n-перехода при U > 0

4.2.8. Энергетическая диаграмма p-n-перехода при U < 0

4.3. Прямое и обратное включение р-п-перехода

4.4. Инжекция и экстракция. Вольт-амперная характеристика р-п-перехода

4.5. Барьерная и диффузионная ёмкости р-п-перехода

4.6. Инерционные свойства р-п-перехода

Вопросы для самоконтроля к главе 4

Глава 5. ФИЗИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ, ВЫЗЫВАЮЩИЕ ОТКЛОНЕНИЯ ОТ ИДЕАЛИЗИРОВАННОЙ МОДЕЛИ р-п-ПЕРЕХОДА

5.1. Тепловой пробой

5.2. Электрический (лавинный) пробой

5.3. Туннельный эффект

Вопросы для самоконтроля к главе 5

Глава 6. ГЕТЕРОПЕРЕХОДЫ

6.1. Электрофизические свойства гетеропереходов

Вопросы для самоконтроля к главе 6

Глава 7. ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ

7.1. Воздействие оптического излучения на полупроводник

7.2. Фотопроводимость

7.3. Фотогальванический эффект

Вопросы для самоконтроля к главе 7

Глава 8. ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ

8.1. Эффект Зеебека

8.2. Эффект Пельтье

Вопросы для самоконтроля к главе 8

Глава 9. ГАЛЬВАНОМАГНИТНЫЙ ЭФФЕКТ ХОЛЛА

9.1. Эффект Холла

Вопросы для самоконтроля к главе 9

Глава 10. ЭЛЕКТРОННАЯ ЭМИССИЯ

10.1. Виды эмиссий

10.1.1. Термоэлектронная эмиссия

10.1.2. Вторичная эмиссия

10.1.3. Автоэлектронная эмиссия

10.1.4. Фотоэлектронная эмиссия

Вопросы для самоконтроля к главе 10

Глава 11. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ РАЗРЯД В ГАЗЕ

11.1. Взаимодействие частиц в газовой среде

11.2. Виды электрических разрядов

Вопросы для самоконтроля к главе 11

ЛИТЕРАТУРА

Отрывок из книги

32 Для оценки анизотропии свойств необходимо уметь опреде-лять внутри кристалла направления и положения плоскостей от-носительно трёхмерной системы координат (x, y, z). Эту задачу решают с помощью индексов Миллера. Элементарную ячейку, например куб, связывают с декартовой системой координат, как показано на рис. 1.12. Тогда оси x, y, z, совпадающие с соответ-ствующими рёбрами куба, станут кристаллографическими осями и все параллельные им направления определятся в виде заклю-чённых в квадратные скобки индексов Миллера [100], [010] и [001] соответственно. Диагональ куба приобретает индекс [111]. Идентификация плоскостей внутри кристалла, параллельных кристаллографическим плоскостям yoz, xoz и xoy, осуществляется системой заключённых в круглые скобки индексов (100), (010) и (001) соответственно. Диагональные плоскости имеют индекса-цию (110), (101), (011) и (111). Рассмотренная система индексов Миллера построена в предположении единичной ячейки. В общем случае для произвольных направлений и ориента-ций положения плоскостей индексы Миллера, кроме нулей и еди-ниц, принимают и другие целочисленные значения. Имеется спе-циальная процедура их определения. Для определения кристаллографических направлений на практике используют специальные методы, основанные на анали-зе отражённых от поверхности монокристалла оптических или рентгеновских лучей. Для разных ориентаций кристаллографических плоскостей свойства кристалла будут разными. Поэтому при решении раз-личных задач технологическую обработку кристаллов производят в определённых кристаллографических плоскостях. На рис. 1.13 представлены типичные для полупроводников сложные гранецентрированные кубические ячейки кристалличе-ской решётки. Ячейка рис. 1.13а характерна для простых (элемен-тарных) полупроводников, кристаллы которых построены на ос-нове химических элементов IV группы таблицы Менделеева (C, Si, Ge). Они образуют структуру кристаллической решётки алма-за, в которой в каждом из узлов расположены атом...

Внимание!
При обнаружении неточностей или ошибок в описании книги "Физические основы электроники (автор Дмитрий Валюхов, Роман Пигулев)", просим Вас отправить сообщение на почту help@directmedia.ru. Благодарим!