Читать фрагмент

книга

Нанотехнологии в электронике

Настоящее издание - второй выпуск книги «Нанотехнологии в электронике», вышедшей несколько лет назад. Каждую из частей книги представляет группа авторов, активно развивающих данное направление в Национальном исследовательском университете «МИЭТ».
Коллектив авторов старался осуществить частичную преемственность материала, содержащегося в первом выпуске, однако структура книги существенно изменилась: группировка статей по условным разделам (теоретико-экспериментальные работы, методы исследований, технологии, приборы и устройства) представляется более правильной с точки зрения понимания общего направления работ в МИЭТ.
Каждая из работ представляет собой законченный научный труд обзорного или обобщающего характера, либо является частью оригиналь¬ных исследований, полученных в последние 3-5 лет.
Книга представляет интерес для специалистов, аспирантов и студентов, работающих в области нанотехнологий и смежных областях.

Форматы: PDF

Издательство: Техносфера

Год: 2013

Место издания: Москва

ISBN: 978-5-94836-353-0

Страниц: 688

Артикул: 41880

Электронная книга

699 ₽

Купить и скачать

Содержание

Содержание книги "Нанотехнологии в электронике "

Введение

Глава 1. Резонансно-туннельные гетероструктуры: физика и приборные применения

1.1. Особенности одномерной задачи рассеяния и новые типы резонансов в полупроводниковых наногетероструктурах

1.2. Коллапс резонансов в резонансно-туннельных гетероструктурах

1.3. Моделирование динамических характеристик резонанснотуннельных гетероструктур на основе численного решения нестационарного уравнения Шредингера

1.4. Резонансно-туннельные диоды и интегральные схемы на их основе

Литература

Глава 2. Электрофизические характеристики неоднородных диэлектриков микро- и наноэлектроники

2.1. Электрофизические характеристики диэлектриков

2.2. Методы описания свойств неоднородных диэлектриков

2.3. Частотная дисперсия эффективных диэлектрических характеристик

2.4. Эффективные характеристики диэлектрических наноструктур

Литература

Глава 3. Моделирование элементов интегральной наноэлектроники

3.1. Наноразмерные транзисторы в КМОП ИС

3.2. Модели наноразмерных МДП-транзисторов с непланарным затвором

3.3. Тепловые эффекты в тонкопленочных транзисторных структурах

3.4. Моделирование интегральных наноструктур в среде TCAD

Авторы

Литература

Глава 4. Размерный эффект плавления в пленочных структурах наноэлектроники

4.1. Физико-химическое обоснование размерного эффекта плавления тонкой пленки

4.2. Размерный эффект плавления в алюми ниевой металлизации интегральных схем

4.3. Размерный эффект плавления в медной металлизации интегральных схем

4.4. Использование размерного эффекта плавления тонкой пленки для заполнения медью узких траншей в технологии damascene

4.5. Использование размерного эффекта плавления тонкой пленки для формирования массива нанокластеров

4.6. Использование размерного эффекта плавления тонкой пленки для сращивания подложек

Автор

Литература

Глава 5. Исследование наноразмерных областей методами просвечивающей электронной микроскопии

5.1. Основы электронной микроскопии

5.2. Дифракция электронов и электронно-микроскопический контраст

5.3. Идентификация структуры аморфного материала вблизи границы с кристаллом

5.4. Электронная микроскопия пироуглеродных материалов

Литература

Глава 6. Рентгеновские методы исследования наноструктур и нанообъектов электроники

Введение

6.1. Современные задачи рентгеновской метрологии в микро- и наноэлектронной технологии

6.2. Основные конструктивные и исследова тельские возможности современного многофункционального рентгеновского исследовательского оборудования

6.3. Двухволновая относительная рентгеновская рефлектометрия скользящего падения

6.4. Дифракция и малоугловое рассеяние рентгеновских лучей

6.5. Повышение эффективности решения обратных рентгеновских задач при использовании параллельных вычислений на графических процессорах

6.6. Организация удаленного массового доступа к уникальному рентгеновскому оборудованию, сопряженному с виртуальной обучающей системой

Заключение

Авторы

Литература

Глава 7. Наноструктуры на основе метода локального зондового окисления

7.1. Метод локального зондового окисления

7.2. Физико-химическая модель процесса локаль ного зондового окисления, учитывающая приборное ограничение величины тока

7.3. Исследование влияния конструктивных параметров проводящих кантилеверов на параметры процесса локального зондового окисления

7.4. Исследование влияния фотоактивации на кинетику локального зондового окисления

Авторы

Литература

Глава 8. Плазменные методы создания наноструктур

Введение

8.1. Применение технологии плазменного травления для формирования наноразмерных элементов

8.2. Современные методы формирования функци ональных слоев наноструктур с приме нением низкотемпературной газовой плазмы

8.3. Перспективы развития плазменной технологии

Авторы

Литература

Глава 9. Наноструктурированные оксиды металлов в технологии устройств функциональной электроники

9.1. Пористый анодный оксид алюминия

9.2. Наноструктурированный оксид титана

9.3. Нанокристаллический оксид цинка

Авторы

Литература

Глава 10. Функциональные некристаллические покрытия для микро- и наноэлектроники

10.1. Технологии получения некристаллических материалов

10.2. Импульсное осаждение дуговой электроэрозионной плазмы

10.3. Морфология поверхности

10.4. Применение функциональных некристаллических покрытий

Литература

Глава 11. Лазерный метод создания био совместимых композиционных наноматериалов с углеродными нанотрубками

11.1. Технология получения биосовместимых объемных композиционных наноматериалов с углеродными нанотрубками

11.2. Механические свойства композиционных наноматериалов

11.3. Электропроводящие свойства композиционных наноматериалов

11.4. Лазерная сварка композиционных наноматериалов

11.5. Биосовместимость композиционных наноматериалов. Рост клеточных структур на матриксе из композиционных наноматериалов

Авторы

Литература

Глава 12. Микро- и нано электромеханические системы и устройства

12.1. Разработка преобразователей линейного ускорения

12.2. Разработка преобразователей угловой скорости

12.3. Разработка микромеханического зеркала на основе балочного микроактюатора

Литература

Глава 13. Элементы наноэлектроники на основе высокотемпературного сверхпроводника состава (Bi,Pb)2Sr2Ca2Cu3O10

13.1. Свойства сверхпроводника состава (Bi,Pb) SrCaCuO. Внутренний эффект Джозеф сона в сверхпроводниках на основе висмута

13.2. Технология получения тонких слоев высокотемпературного сверхпроводника состава (Bi,Pb)2Sr2Ca2Cu3O10

13.3. Технология изготовления и свойства магниточувствительных структур

13.4. Приемники электромагнитного излучения инфракрасной области спектра

13.5. Перспективные электронные приборы

Литература

Глава 14. Магниторезистивные структуры в устройствах наноэлектроники и микросистемной техники

14.1. Физические процессы в магниторезистивных структурах

14.2. Материалы, методы формирования и электрофизические свойства магниторезистивных структур

14.3. Применение магниторезистивных структур

Авторы

Литература

Глава 15. Кремниевые биполярные гетероструктуры и проектирование СВЧ интегральных схем на их основе

15.1. СВЧ гетероперходная полупроводниковая элементная база

15.2. Состояние и перспективы технологии кремниевых гетеропереходных биполярных транзисторов для СВЧ-применений

15.3. Особенности проектирования СВЧ интегральных устройств с использованием гетеропереходных транзисторов

15.4. Защита интегральных SiGe БиКМОП-микросхем от электростатического напряжения

15.5. Проектирование CML масштабируемой библиотеки

15.6. Примеры проектирования СВЧ ИМС на гетероперходных биполярных транзисторах с SiGe-базой для сверхскоростных систем передачи данных

Литература

Отрывок из книги

491.4. Резонансно-туннельные диоды и интегральные схемы на их основении V1 считается низкоомным или «открытым» состоянием, а состоя-ние V2 можно считать высокоомным или «закрытым». Переключение таких схем обеспечивается благодаря разности пиковых токов РТД, что при подаче напряжения смещения приводит к «выключению» РТД с ма-лым током, а РТД с большим током остается в «открытом» состоянии. Регулируя различным способом состояние и соответственно пиковый ток активного РТД, можно получать на выходе пары Гото либо стабиль-ный низкий уровень, либо стабильный высокий уровень.Ядром схемы инвертора, представленного на рис. 1.13, в служит эле-мент MOBILE. Инвертор работает следующим образом. При подаче «1» на вход Х, транзистор открывается и к площади РТД основного (ядро) MOBILE А2 прибавляется площадь РТД А21, что переводит нагрузоч-ный РТД А1 в «закрытое» состояние — высокоомное, т.е. на вторую вос-ходящую ветвь ВАХ и выходное напряжение становится низким. При подаче «0», т.е. закрывании транзистора, эффективной площадью актив-ного РТД становится только площадь А2, которая меньше площади РТД нагрузки А1, и теперь А1 переключается в «закрытое» состояние и вы-ходное напряжение становится высоким. Таким образом, при подаче «1» на выходе имеем «0», а при подаче «0» на выходе получаем «1». Развивая данную идеологию построения схем на MOBILE, были созданы много-входовые логические элементы, например трехвходовой элемент «Ис-ключающее ИЛИ» и трехвходовой логический элемент «Исключающее НЕ-ИЛИ». Более того, поскольку суть работы таких элементов заключа-ется в управляемом изменении эффективной площади (или тока) актив-ного или нагрузочного РТД, были созданы многопороговые элементы, в которых входной сигнал наделяется как бы «весом» и совпадение не-скольких сигналов дает общий «вес», тот, который необходим для соот-ветствующего переключения, причем разработчики пошли на примене-ние не двух, а трех последовательно соединенных РТД.На рис. 1.14 показана базовая схема MOBILE типа дву...

Внимание!
При обнаружении неточностей или ошибок в описании книги "Нанотехнологии в электронике (автор )", просим Вас отправить сообщение на почту help@directmedia.ru. Благодарим!