Внутренний фотоэффект в диэлектриках

§ n Ток насыщения лается равным заметной доле d. Так как, очевидно, - ~ = - ^ V ^из X = , т о (17) если же V делается равным Vsi то из (17) опять получим Так как xs = k^- =dt то, принимая постоянным коэфициент пропорциональности k для всех напряжений и толщин кристал¬лов, получим Vs— —. и II Ч < / - 0 , 1 9 2 * * о / / С , 1 1 1 1С 1 , — 1 1 50D -1000 500 Ш 5D0 1000 500 Ш 0 Ѵ Рис. 14 Если предположения эти правильны, то можно надеяться уменьшить значение потенциала насыщения, значительно умень­ш а я толщины исследуемых кристаллов. Это и было сделано Флексигом, который пользовался кристаллами толщиной вплоть до 0,1 мм. Приготовление таких кристаллов и при том без ме­ханических повреждений (такие тонкие кристаллы легко гнутся) ^представило, разумеется, ряд технических затруднений точно так ж е , как и нанесение на них электродов (последние наноси­лись испарением серебра в вакууме). Вполне готовый кристалл рентгенизовался примерно 5 минут (200 kV, З т А на трубке). Измерения производились в вакуумном приборе, чтобы избежать !поверхностной проводимости. < Из рис. 14 видно, что тогда как для кристалла толщиной ; ^ = 0 , 1 3 5 л а < насыщение имеет место уже при Ѵ = 700 V , іу более толстых кристаллов оно только слегка намечается. На­п р я ж е н н о с т ь насыщения для кристалла с толщиной d = 0,135 мм < оказалась равной около 50 ООО VjcM, причем кривые для d = ' = 0,135 д&к и d — О^Юмм совместить невозможно даже при произвольном выборе единиц тока. Напротив, как следует из формулы (17), если подставить в нее 1 /5= - т - , количество-