Электроника
Учебное пособие состоит из четырех частей. В части 1 "Полупроводниковые приборы и физические основы их работы" изложены физические принципы организации, работы и использования полупроводниковых диодов и транзисторов: биполярных и полевых. В части 2 "Цифровые и аналоговые интегральные схемы" приведены параметры базовых элементов цифровых ИС, их схемы и сравнительные характеристики, позволяющие определить достоинства и недостатки ИС той или иной логики. Изложены правила алгебры логики, позволяющие описывать функционально различные цифровые устройства и понять основы их синтеза. В части 3 "Усилители и функциональные генераторы" даны основы формирования транзисторных усилителей низкой частоты с емкостной связью; генераторов прямоугольных, треугольных и пилообразных сигналов для передачи информации. Изложены основные принципы построения источников питания для цифровых и аналоговых ИС, электронной аппаратуры и питающей сети для технических средств ЭВМ. В части 4 "Функциональные схемы цифровой электроники" аппаратные средства вычислительной техники описаны на уровне функционального назначения СИСов и БИСов со знанием их алгоритмов и временных диаграмм работы. Для студентов вузов, обучающихся по специальностям "Технология машиностроения" и "Автоматизированные системы сбора и обработки информации".
Содержание
Содержание книги "Электроника "
Отрывок из книги
Основные носители, например, электроны вследствие своего теплового движения, если на их пути нет никакого препятствия, проникают в р-область, так как р-область является вакуумом для электронов n-полупроводника. Время жизни электронов в полупроводнике р-типа невелико, они рекомбинируют с дырками полупроводника р-типа. Число свободных электронов становится тем меньше, чем более длительное время они находятся в полупроводнике р-типа, в частности, чем больше они удаляются от полупроводника п-типа. Диффундируя в соседнюю область, электроны оставляют в полупроводнике n-типа вблизи границы с полупроводником р-типа слой, обедненный свободными носителями заряда (сопротивление этого слоя велико) и состоящий из неподвижных донорных положительно заряженных ионов, покинутых свободными электронами (рис. 1.5, в). С образованием объемного заряда в обедненном слое все больше и больше затрудняется диффузия электронов из полупроводника n-типа, пока, наконец, не будет переходить столько электронов, сколько требуется для поддержания уже имеющегося объемного заряда и компенсации эффекта рекомбинации. Все сказанное в отношении диффузии электронов из полупроводника n-типа в полупроводник р-типа относится и к дыркам полупроводника р-типа. Они также диффундируют в п-об-ласть, частично рекомбинируя, а образующийся в р-области отрицательный объемный заряд все больше препятствует их дальнейшему переходу в полупроводник п-типа. Итак, в p-n-переходе протекают одновременно довольно сложные процессы: диффузия, рекомбинация и образование объемного заряда. Равновесное состояние устанавливается в том случае, если все три фактора являются сбалансированными. Объемные заряды в р- и n-областях, организованные неподвижными ионами, образуют внутреннее электрическое поле с напряженностью Е (рис. 1.5, в). Так как Na * Nd, то p-n-переход в этом случае называется несимметричным. В состоянии равновесия объемные заряды по обе стороны p-n-перехода должны быть равны по величине и противоположны п...
Наумкина Л. Г. другие книги автора
Внимание!
При обнаружении неточностей или ошибок в описании книги "Электроника (автор Лариса Наумкина)", просим Вас отправить сообщение на почту help@directmedia.ru. Благодарим!
и мы свяжемся с вами в течение 15 минут
за оставленную заявку