Технология интегральных микросхем

Содержание книги "Технология интегральных микросхем "

ВВЕДЕНИЕ
1. ПОЛУЧЕНИЕ СЛИТКОВ И ПЛАСТИН МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ
1.1. Свойства монокристаллического кремния
1.2. Получение металлургического кремния
1.3. Выращивание монокристаллических слитков кремния
1.4. Маркировка слитков
1.5. Резка слитков кремния на пластины и их обработка
1.5.1. Ориентации слитка
1.5.2. Резка слитка на пластины
1.5.3. Обработка поверхности пластин
Контрольные вопросы
2. ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОПЕРАЦИИ ФОРМИРОВАНИЯ СТРУКТУРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИМС
2.1. Формирование диэлектрических и поликристаллических кремниевых пленок
2.1.1. Термическое окисление кремния
2.1.2. Химическое осаждение из газовой фазы
2.1.3. Анодное окисление кремния
2.1.4. Получение пленок нитрида кремния
2.1.5.Получение пленок поликристаллического кремния
2.2. Эпитаксиальные процессы
2.2.1. Классификация эпитаксиальных процессов
2.2.2. Парофазная, жидкофазная и твердофазная эпитаксия
2.2.3. Газофазная эпитаксия кремния
2.2.4. Молекулярно-лучевая эпитаксия
2.2.5. Гетероэпитаксия кремния на сапфире
2.3. Фотолитография
2.3.1. Общая характеристика процесса фотолитографии
2.3.2. Основные операции фотолитографии
2.3.3. Фотошаблоны
2.3.4. Фоторезисты
2.3.5. Способы повышения разрешающей способности фотолитографии
2.4. Литография высокого разрешения
2.4.1. Рентгенолитография
2.4.2. Электронолитография
2.4.3. Ионно-лучевая литография
2.4.4. Наноимпринтная литография
2.5. Диффузия примесных атомов в полупроводниках
2.5.1. Основные закономерности процесса диффузии
2.5.2. Механизмы диффузии
2.5.3. Источники примесных атомов
2.5.4. Способы проведения диффузии
2.6. Ионная имплантация
2.6.1. Сущность метода ионной имплантации
2.6.2. Установка для ионной имплантации
2.6.3. Физические основы метода ионной имплантации
2.6.4. Образование радиационных дефектов
2.6.5. Отжиг радиационных дефектов
2.7. Травление
2.7.1. Общая характеристика процесса травления
2.7.2. Жидкостное (химическое) травление
2.7.3. Ионно-плазменные методы травления
Контрольные вопросы
3. ТЕХНОЛОГИЯ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛЕНОК
3.1. Термовакуумное напыление тонких пленок
3.2. Ионно-плазменные методы получения тонких пленок
3.2.1. Общая характеристика методов
3.2.2. Катодное распыление
3.2.3. Трехэлектродная система распыления
3.2.4. Высокочастотное ионно-плазменное распыление
3.2.5. Реактивное распыление
3.2.6. Магнетронное распыление
3.3. Формирование толстых пленок ГИС
3.3.1. Общая характеристика технологии ГИС
3.3.2. Материалы для изготовления ГИС
3.3.3. Технологические операции изготовления толстопленочных ГИС
Контрольные вопросы
4. СБОРОЧНО-КОНТРОЛЬНЫЕ ОПЕРАЦИИ
4.1. Сборка и монтаж ИМС
4.1.1. Разделение пластин на кристаллы
4.1.2. Монтаж кристаллов в корпус
4.1.3. Электрический монтаж выводов ИМС
4.1.4. Герметизация ИМС
4.2. Методы контроля технологических процессов
4.2.1. Методы контроля параметров монокристаллических слитков кремния
4.2.2. Методы контроля поверхности полупроводниковых пластин
4.2.3. Методы контроля дефектности диэлектрических слоев
4.2.4. Измерение толщины тонких пленок
4.2.5. Измерение толщины эпитаксиальных слоев
4.2.6. Измерение глубины залегания p-n-перехода
4.2.7. Методы химического анализа
Контрольные вопросы
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК