Материаловедение и технологии современных перспективных материалов
Здесь можно купить книгу "Материаловедение и технологии современных перспективных материалов " в печатном или электронном виде. Также, Вы можете прочесть аннотацию, цитаты и содержание, ознакомиться и оставить отзывы (комментарии) об этой книге.
Форматы: PDF
Издательство: Северо-Кавказский Федеральный университет (СКФУ)
Год: 2022
Место издания: Ставрополь
Страниц: 160
Артикул: 105705
Возрастная маркировка: 16+
Краткая аннотация книги "Материаловедение и технологии современных перспективных материалов"
Практикум составлен в соответствии с требованиями Федерального государственного образовательного стандарта высшего образования (ФГОС ВО 3++), в соответствии с рабочим учебным планом и рабочей программой дисциплины «Материаловедение и технологии современных перспективных материалов» для направлений магистратуры 22.04.01 Материаловедение и технологии материалов, программа магистратуры «Материаловедение и технологии наноматериалов и наносистем». В работе представлено 26 практических занятий, содержащих краткие теоретические сведения по темам работ, контрольные вопросы и задания по изучаемой теме, рекомендуемую литературу, тестовые задания для контроля изучаемого материала.
Содержание книги "Материаловедение и технологии современных перспективных материалов"
Предисловие
1. Классификация тонких пленок и покрытий
2. Краткий перечень возможных подложечных материалов
3. Основные требования к применяемым подложкам
4. Краткие сведения о подготовке подложек к выращиванию тонких пленок
5. Теории зародышеобразования и формирование тонких пленок
6. Модель зарождения и роста аморфных и кристаллических материалов
7. Кинетика зарождения и роста тонких пленок алмаза на подложках
8. Общая характеристика процессов получения тонких пленок
9. Физико-химические основы синтеза тонких пленок термическим испарением материала в вакууме
10. Виды и особенности методов получения пленок термическим испарением вещества в вакууме
11. Описание установки для синтеза пленок термическим вакуумным испарением
12. Технология нанесения тонких пленок методом ионно-лучевого распыления для создания сложных наногетеростуктур
13. Магнетронные системы в вакуумных установках для нанесения тонкопленочных покрытий
14. Механизм разряда магнетронных распылительных систем
15. Характеристики магнетронных распылительных систем, основные достоинства и недостатки
16. Получение ультратонких пленок углерода методом вакуумного лазерного испарения
17. Изучение процесса плазмохимического осаждения тонких пленок
18. Получение тонких пленок методом атомно-слоевого осаждения
19. Технологические характеристики и описание метода Atomic layer deposition (ALD)
20. Преимущества метода Atomic layer deposition (ALD)
21. Описание установки для осаждения тонкопленочных структур методом Atomic layer deposition (ALD)
22. Теории фракталов к описанию свойств и состава наноматериалов и объектов
23. Физическое определение фрактальной размерности нанообъектов
24. Физические свойства фракталов и методы их определения
25. Исследование фрактальной структуры поверхности наноразмерных пленок
26. Теории перколяции в описании свойств и состава наноматериалов и объектов
Тестовые задания для контроля изученного материала практических работ
Тестовые вопросы и задания для самоконтроля по изучаемому курсу
Литература
Все отзывы о книге Материаловедение и технологии современных перспективных материалов
Отрывок из книги Материаловедение и технологии современных перспективных материалов
23 5. ТЕОРИИ ЗАРОДЫШЕОБРАЗОВАНИЯ И ФОРМИРОВАНИЕ ТОНКИХ ПЛЕНОК Цель работы ‒ освоить механизма зарождения и роста тонких пле-нок по классическим теориям зародышеобразования. В результате выполнения практической работы студенты должны знать основы классической теории зародышеобразования; уметь самостоятельно применять на практике знание в области меха-низма зарождения и роста тонких пленок; владеть навыками применения на практике теоретических основ ме-ханизма зарождения и роста тонких пленок. Теоретическая часть В классических теориях зародышеобразования первым этапом считается столкновение атомов или молекул пара с подложкой. При столкновении с подложкой атом теряет избыточную тепловую энергию и переходит в адсорбированное состояние. Частицы пара могут адсорбироваться и прочно закрепиться на подложке, могут через конечный промежуток времени после адсорбции снова испа-риться, а также могут и мгновенно упруго отразиться от подложки в зависимости от температуры механизмов конденсации, такие, как пар → кристалл (ПК) и пар → жидкость (→ кристалл) (ПЖ). Например, молекулярный пучок формируется испарением ве-щества, и достигая поверхности конденсации (подложки), имеющей температуру значительно ниже температуры испарения, конденси-руется на ней, образуя пленку. Если температура конденсации (под-ложки) ниже температуры плавления вещества, то сначала образу-ются зародыши твердой фазы, а затем и сама твердая пленка. Если температура конденсации близка к температуре плавления веще-ства или выше ее, то формируется жидкая пленка. Однако в любом случае исходным материалом для создания пленки является поток частиц (молекул или атомов) от испарителя к подложке. Причем ис-паритель является источником, а пленка ‒ стоком. Энергия этих ча-стиц практически равна энергии испарения вещества. Основными теориями, в рамках которых описывается про-цессы образования тонких пленок, являются термодинамическая (макроскопическая) Гиббса ‒ Фольмера и кинетическа...
С книгой "Материаловедение и технологии современных перспективных материалов" читают
Бестселлеры нон-фикшн
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Новинки книги нон-фикшн
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Внимание!
При обнаружении неточностей или ошибок в описании книги "Материаловедение и технологии современных перспективных материалов (автор )", просим Вас отправить сообщение на почту help@directmedia.ru. Благодарим!
и мы свяжемся с вами в течение 15 минут
за оставленную заявку