Материаловедение и технологии современных перспективных материалов

Читать фрагмент

книга

Материаловедение и технологии современных перспективных материалов

Практикум составлен в соответствии с требованиями Федерального государственного образовательного стандарта высшего образования (ФГОС ВО 3++), в соответствии с рабочим учебным планом и рабочей программой дисциплины «Материаловедение и технологии современных перспективных материалов» для направлений магистратуры 22.04.01 Материаловедение и технологии материалов, программа магистратуры «Материаловедение и технологии наноматериалов и наносистем».В работе представлено 26 практических занятий, содержащих краткие теоретические сведения по темам работ, контрольные вопросы и задания по изучаемой теме, рекомендуемую литературу, тестовые задания для контроля изучаемого материала.

Форматы: PDF

Издательство: Северо-Кавказский Федеральный университет (СКФУ)

Год: 2022

Место издания: Ставрополь

Страниц: 160

Артикул: 105705

Возрастная маркировка: 16+

Электронная книга

800 ₽

Купить и скачать

Содержание

Содержание книги "Материаловедение и технологии современных перспективных материалов "

Предисловие

1. Классификация тонких пленок и покрытий

2. Краткий перечень возможных подложечных материалов

3. Основные требования к применяемым подложкам

4. Краткие сведения о подготовке подложек к выращиванию тонких пленок

5. Теории зародышеобразования и формирование тонких пленок

6. Модель зарождения и роста аморфных и кристаллических материалов

7. Кинетика зарождения и роста тонких пленок алмаза на подложках

8. Общая характеристика процессов получения тонких пленок

9. Физико-химические основы синтеза тонких пленок термическим испарением материала в вакууме

10. Виды и особенности методов получения пленок термическим испарением вещества в вакууме

11. Описание установки для синтеза пленок термическим вакуумным испарением

12. Технология нанесения тонких пленок методом ионно-лучевого распыления для создания сложных наногетеростуктур

13. Магнетронные системы в вакуумных установках для нанесения тонкопленочных покрытий

14. Механизм разряда магнетронных распылительных систем

15. Характеристики магнетронных распылительных систем, основные достоинства и недостатки

16. Получение ультратонких пленок углерода методом вакуумного лазерного испарения

17. Изучение процесса плазмохимического осаждения тонких пленок

18. Получение тонких пленок методом атомно-слоевого осаждения

19. Технологические характеристики и описание метода Atomic layer deposition (ALD)

20. Преимущества метода Atomic layer deposition (ALD)

21. Описание установки для осаждения тонкопленочных структур методом Atomic layer deposition (ALD)

22. Теории фракталов к описанию свойств и состава наноматериалов и объектов

23. Физическое определение фрактальной размерности нанообъектов

24. Физические свойства фракталов и методы их определения

25. Исследование фрактальной структуры поверхности наноразмерных пленок

26. Теории перколяции в описании свойств и состава наноматериалов и объектов

Тестовые задания для контроля изученного материала практических работ

Тестовые вопросы и задания для самоконтроля по изучаемому курсу

Литература

Отрывок из книги

23 5. ТЕОРИИ ЗАРОДЫШЕОБРАЗОВАНИЯ И ФОРМИРОВАНИЕ ТОНКИХ ПЛЕНОК Цель работы ‒ освоить механизма зарождения и роста тонких пле-нок по классическим теориям зародышеобразования. В результате выполнения практической работы студенты должны знать основы классической теории зародышеобразования; уметь самостоятельно применять на практике знание в области меха-низма зарождения и роста тонких пленок; владеть навыками применения на практике теоретических основ ме-ханизма зарождения и роста тонких пленок. Теоретическая часть В классических теориях зародышеобразования первым этапом считается столкновение атомов или молекул пара с подложкой. При столкновении с подложкой атом теряет избыточную тепловую энергию и переходит в адсорбированное состояние. Частицы пара могут адсорбироваться и прочно закрепиться на подложке, могут через конечный промежуток времени после адсорбции снова испа-риться, а также могут и мгновенно упруго отразиться от подложки в зависимости от температуры механизмов конденсации, такие, как пар → кристалл (ПК) и пар → жидкость (→ кристалл) (ПЖ). Например, молекулярный пучок формируется испарением ве-щества, и достигая поверхности конденсации (подложки), имеющей температуру значительно ниже температуры испарения, конденси-руется на ней, образуя пленку. Если температура конденсации (под-ложки) ниже температуры плавления вещества, то сначала образу-ются зародыши твердой фазы, а затем и сама твердая пленка. Если температура конденсации близка к температуре плавления веще-ства или выше ее, то формируется жидкая пленка. Однако в любом случае исходным материалом для создания пленки является поток частиц (молекул или атомов) от испарителя к подложке. Причем ис-паритель является источником, а пленка ‒ стоком. Энергия этих ча-стиц практически равна энергии испарения вещества. Основными теориями, в рамках которых описывается про-цессы образования тонких пленок, являются термодинамическая (макроскопическая) Гиббса ‒ Фольмера и кинетическа...

Внимание!
При обнаружении неточностей или ошибок в описании книги "Материаловедение и технологии современных перспективных материалов (автор )", просим Вас отправить сообщение на почту help@directmedia.ru. Благодарим!