Элементная база радиоэлектронной техники

Читать фрагмент

книга

Элементная база радиоэлектронной техники

Автор: Петр Пашинцев, Владимир Пашинцев, Владимир Никулин, Геннадий Линец

Учебник составлен в соответствии с требованиями образовательных стандартов высшего профессионального образования по направлению подготовки 11.03.02 «Инфокоммуникационные технологии и системы связи». В нём изложены физические основы работы полупроводниковых приборов и краткое описание их устройств, основные характеристики и параметры, схемы включения. Рассмотрены общие принципы построения и реализации активных и пассивных компонентов интегральных микросхем, а также общие сведения о собственных шумах, радиационной стойкости и надежности электронных приборов.Предназначен для бакалавров, обучающихся по направлениям подготовки «Инфокоммуникационные технологии и системы связи», «Информатика и вычислительная техника», «Электроника и наноэлектроника», а также может быть полезен для магистров, аспирантов и широкого круга специалистов в области систем связи, информатики и вычислительной техники.

Форматы: PDF

Издательство: Северо-Кавказский Федеральный университет (СКФУ)

Год: 2022

Место издания: Ставрополь

Страниц: 456

Артикул: 105657

Возрастная маркировка: 16+

Электронная книга

2280 ₽

Купить и скачать

Содержание

Содержание книги "Элементная база радиоэлектронной техники : полупроводниковые компоненты : направление подготовки 11.03.02 Инфокоммуникационные технологии и системы связи"

ПРЕДИСЛОВИЕ

ВВЕДЕНИЕ

1.ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ РАБОТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

1.1. Краткая характеристика полупроводников

1.2. Собственные и примесные полупроводники

1.3. Электрический ток в полупроводниках

1.4. Уравнение непрерывности

1.5. Поверхностный слой полупроводника

Контрольные вопросы

2. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПЕРЕХОДЫ

2.1. Общие сведения об электрических переходах

2.2. Образование электронно-дырочного перехода

2.3. Смещение р-n – перехода

2.4. Емкость и эквивалентная схема р-n-перехода

2.5. Вольт-амперная характеристика р-n – перехода

2.6. Переход металл-полупроводник

2.7. Гетеропереход

Контрольные вопросы

3. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ

3.1. Общие сведения о полупроводниковых диодах

3.2. Краткая характеристика методов формирования полупроводниковых диодов

3.3. Выпрямительные полупроводниковые диоды на основе p-n-перехода

3.4. Выпрямительные диоды на основе перехода металл-полупроводник (Диоды Шотки)

3.5. Универсальные и импульсные полупроводниковые диоды

3.6. Полупроводниковые диоды сверхвысоких частот

3.7. Варикапы

3.8. Полупроводниковые стабилитроны и стабисторы

3.9. Туннельные диоды

3.10. Обращенные диоды

3.11. Приборы Ганна

3.12. Лавинно-пролетные диоды

Контрольные вопросы

4. УСТРОЙСТВО И ПРИНЦИП РАБОТЫ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА

4.1. Общие сведения о транзисторах

4.2. Устройство и режимы работы биполярного транзистора

4.3. Схемы включения биполярного транзистора

4.4. Биполярный транзистор в режимах отсечки и насыщения

4.5. Биполярный транзистор в активном режиме при нормальном включении по схеме с общей базой

4.6. Биполярный транзистор в активном режиме при нормальном включении по схемам с общим эмиттером и общим коллектором

4.7. Усилительные свойства биполярного транзистора

4.8. Схемы питания биполярных транзисторов

4.9. Эффект модуляции ширины базы (эффект Эрли)

4.10. Общие сведения о статических характеристиках биполярного транзистора

4.11. Входные статические (вольт-амперные) характеристики биполярного транзистора

4.12. Выходные статические характеристики биполярного транзистора

Контрольные вопросы

5. ПАРАМЕТРЫ, ЭКВИВАЛЕНТНЫЕ СХЕМЫ И РАЗНОВИДНОСТИ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

5.1. Дифференциальные параметры биполярного транзистора

5.2. Формальные эквивалентные схемы биполярного транзистора

5.3. Физические параметры биполярного транзистора и его физическая эквивалентная схема

5.4. Составные транзисторы

5.5. Влияние элементов эквивалентной схемы БПТ на его параметры и рабочую частоту

5.6. Зависимость коэффициентов от частоты

5.7. Частотные параметры биполярного транзистора

5.8. Дрейфовые биполярные транзисторы

5.9. Мощные высокочастотные транзисторы

5.10. Некоторые разновидности биполярных транзисторов

Контрольные вопросы

6. РАБОЧИЙ РЕЖИМ РАБОТЫ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

6.1. Нагрузочный режим работы биполярного транзистора

6.2. Общая характеристика аналитического метода расчета нагрузочных параметров

6.3. Графоаналитический метод расчета параметров нагруженного транзистора

6.4. Импульсный (ключевой) режим работы транзистора

6.5. Биполярный транзистор с диодом Шотки

6.6. Температурные свойства транзисторов

6.7. Методы термостабилизации режимов работы транзистора

6.8. Системы справочных параметров биполярного транзистора

Контрольные вопросы

7. ТИРИСТОРЫ

7.1. Общие сведения о тиристорах

7.2. Динисторы

7.3. Триодные тиристоры (тринисторы)

7.4. Разновидности и параметры тиристоров

7.5. Управление тиристорами

7.6. Краткие сведения о параметрах, достоинствах, недостатках и применении тиристоров

Контрольные вопросы

8. ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С УПРАВЛЯЮЩИМ р–п – ПЕРЕХОДОМ

8.1. Общие сведения о полевых транзисторах

8.2. Полевые транзисторы с управляющим р-п – переходом

8.3. Влияние напряжений на затворе и стоке на форму и сопротивление канала

8.4. Принцип действия p-n-ПТ

8.5. Статические характеристики p-n-ПТ

8.6. Дифференциальные параметры и физическая эквивалентная схема p-n-ПТ

Контрольные вопросы

9. ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ

9.1. Устройство и схемы включения ПТ с изолированным затвором

9.2. Принцип работы и классификация МДП-ПТ

9.3. МДП – транзистор с индуцированным каналом (обогащенного типа)

9.4. МДП-транзистор со встроенным каналом (обедненного типа)

9.5. Параметры и эквивалентная схема МДП-ПТ

9.6. Частотные и температурные свойства полевых транзисторов

9.7. Сравнительная оценка биполярных и полевых транзисторов

9.8. Некоторые разновидности полевых транзисторов

9.9. Приборы с зарядовой связью

Контрольные вопросы

10. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ФОТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ

10.1. Общие сведения о фотоэлектронных (оптоэлектронных) приборах

10.2. Фоторезисторы

10.3. Фотодиоды

10.4. Фотоэлементы

10.5. Фототранзисторы и фототиристоры

10.6. Светоизлучающие диоды

10.7. Оптроны

10.8. Полупроводниковые индикаторы

Контрольные вопросы

11. ЭЛЕМЕНТЫ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ

11.1. Общие сведения о микроэлектронике

11.2. Основные направления технологий интегральной микроэлектроники

11.3. Элементы пленочных, гибридных и совмещенных интегральных микросхем

11.4. Общая характеристика полупроводниковых интегральных микросхем

11.5. Элементы полупроводниковых микросхем, сформированные

11.6. Интегральные транзисторы на основе полевых транзисторов

11.7. Сравнительная оценка полупроводниковых микросхем на биполярных и униполярных транзисторах

11.8. Вакуумные и функциональные интегральные микросхемы

11.9 Корпуса интегральных микросхем

Контрольные вопросы

12. КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ СОБСТВЕННЫХ ШУМОВ, РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИИ И НАДЕЖНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

12.1. Общие сведения о шумах

12.2. Шумы полупроводниковых приборов

12.3. Основные понятия о радиационной стойкости полупроводниковых приборов

12.4. Краткая характеристика надежности полупроводниковых приборов

Контрольные вопросы

ПРИЛОЖЕНИЯ

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

ЛИТЕРАТУРА

ГЛОССАРИЙ

ОСНОВНЫЕ ВЕЛИЧИНЫ И ПАРАМЕТРЫ

СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ И ОБОЗНАЧЕНИЙ

СПИСОК АББРЕВИАТУР

Отрывок из книги

22 где Dn и Dp – коэффициенты диффузии, определяемые количеством НЗ, диффундирующих через поперечное сечение полупроводника площадью в 1см2 за одну секунду при единичном градиенте кон-центрации. Размерность – см2/с. При Т = 300 К для германия Dn = 98, Dp = 47 см2/с, а для кремния Dn = 31, Dp=65 см2/с. Рис. 1.13. Зависимость диффузионного тока от градиента концентрации носителей заряда Знак минус перед выражением дфJp объясняется тем, что дыроч-ный диффузионный ток направлен в сторону уменьшения концен-трации дырок (рис. 1.13, в). В реальных условиях в полупроводни-ках одновременно могут быть и электрическое поле, и градиент концентрации НЗ. Тогда ток будет иметь как дрейфовую, так и диффузионную составляющие: дрдфдр nдр рдф nдф pjjjjjjj (1.8) Рекомбинация носителей заряда. Рекомбинация электронов и дырок – это восстановление разрушенной ковалентной связи, со-провождающееся исчезновением пары электрон проводимости – дырка. Механизмов рекомбинации два: прямая (межзонная) и через ловушечные уровни. Такие уровни являются центрами рекомбина-ций. Они образуются в ЗЗ примесными атомами некоторых веществ (Au, Ni и др.) и искажениями решетки. При межзонной рекомбинации электроны переходят из ЗП в ВЗ с выделением избытка энергии, равного ширине ЗЗ (рис. 1.14,а). Этот вид рекомбинации характерен для полупроводников с малой шириной ЗЗ. При рекомбинации через ловушечные уровни рекомбинация происходит в два этапа (рис. 1.14,б). На первом этапе электроны переходят из ЗП на ловушечные уровни, а на втором – с ловушеч-

Внимание!
При обнаружении неточностей или ошибок в описании книги "Элементная база радиоэлектронной техники : полупроводниковые компоненты : направление подготовки 11.03.02 Инфокоммуникационные технологии и системы связи (автор Петр Пашинцев, Владимир Пашинцев, Владимир Никулин, Геннадий Линец)", просим Вас отправить сообщение на почту help@directmedia.ru. Благодарим!

Элементная база радиоэлектронной техники

Содержание

Отрывок из книги

С книгой "Элементная база радиоэлектронной техники" читают