Элементная база радиоэлектронной техники : полупроводниковые компоненты : направление подготовки 11.03.02 Инфокоммуникационные технологии и системы связи

Содержание книги "Элементная база радиоэлектронной техники"

ПРЕДИСЛОВИЕ
ВВЕДЕНИЕ
1.ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ РАБОТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ
1.1. Краткая характеристика полупроводников
1.2. Собственные и примесные полупроводники
1.3. Электрический ток в полупроводниках
1.4. Уравнение непрерывности
1.5. Поверхностный слой полупроводника
Контрольные вопросы
2. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПЕРЕХОДЫ
2.1. Общие сведения об электрических переходах
2.2. Образование электронно-дырочного перехода
2.3. Смещение р-n – перехода
2.4. Емкость и эквивалентная схема р-n-перехода
2.5. Вольт-амперная характеристика р-n – перехода
2.6. Переход металл-полупроводник
2.7. Гетеропереход
Контрольные вопросы
3. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ
3.1. Общие сведения о полупроводниковых диодах
3.2. Краткая характеристика методов формирования полупроводниковых диодов
3.3. Выпрямительные полупроводниковые диоды на основе p-n-перехода
3.4. Выпрямительные диоды на основе перехода металл-полупроводник (Диоды Шотки)
3.5. Универсальные и импульсные полупроводниковые диоды
3.6. Полупроводниковые диоды сверхвысоких частот
3.7. Варикапы
3.8. Полупроводниковые стабилитроны и стабисторы
3.9. Туннельные диоды
3.10. Обращенные диоды
3.11. Приборы Ганна
3.12. Лавинно-пролетные диоды
Контрольные вопросы
4. УСТРОЙСТВО И ПРИНЦИП РАБОТЫ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
4.1. Общие сведения о транзисторах
4.2. Устройство и режимы работы биполярного транзистора
4.3. Схемы включения биполярного транзистора
4.4. Биполярный транзистор в режимах отсечки и насыщения
4.5. Биполярный транзистор в активном режиме при нормальном включении по схеме с общей базой
4.6. Биполярный транзистор в активном режиме при нормальном включении по схемам с общим эмиттером и общим коллектором
4.7. Усилительные свойства биполярного транзистора
4.8. Схемы питания биполярных транзисторов
4.9. Эффект модуляции ширины базы (эффект Эрли)
4.10. Общие сведения о статических характеристиках биполярного транзистора
4.11. Входные статические (вольт-амперные) характеристики биполярного транзистора
4.12. Выходные статические характеристики биполярного транзистора
Контрольные вопросы
5. ПАРАМЕТРЫ, ЭКВИВАЛЕНТНЫЕ СХЕМЫ И РАЗНОВИДНОСТИ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
5.1. Дифференциальные параметры биполярного транзистора
5.2. Формальные эквивалентные схемы биполярного транзистора
5.3. Физические параметры биполярного транзистора и его физическая эквивалентная схема
5.4. Составные транзисторы
5.5. Влияние элементов эквивалентной схемы БПТ на его параметры и рабочую частоту
5.6. Зависимость коэффициентов от частоты
5.7. Частотные параметры биполярного транзистора
5.8. Дрейфовые биполярные транзисторы
5.9. Мощные высокочастотные транзисторы
5.10. Некоторые разновидности биполярных транзисторов
Контрольные вопросы
6. РАБОЧИЙ РЕЖИМ РАБОТЫ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
6.1. Нагрузочный режим работы биполярного транзистора
6.2. Общая характеристика аналитического метода расчета нагрузочных параметров
6.3. Графоаналитический метод расчета параметров нагруженного транзистора
6.4. Импульсный (ключевой) режим работы транзистора
6.5. Биполярный транзистор с диодом Шотки
6.6. Температурные свойства транзисторов
6.7. Методы термостабилизации режимов работы транзистора
6.8. Системы справочных параметров биполярного транзистора
Контрольные вопросы
7. ТИРИСТОРЫ
7.1. Общие сведения о тиристорах
7.2. Динисторы
7.3. Триодные тиристоры (тринисторы)
7.4. Разновидности и параметры тиристоров
7.5. Управление тиристорами
7.6. Краткие сведения о параметрах, достоинствах, недостатках и применении тиристоров
Контрольные вопросы
8. ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С УПРАВЛЯЮЩИМ р–п – ПЕРЕХОДОМ
8.1. Общие сведения о полевых транзисторах
8.2. Полевые транзисторы с управляющим р-п – переходом
8.3. Влияние напряжений на затворе и стоке на форму и сопротивление канала
8.4. Принцип действия p-n-ПТ
8.5. Статические характеристики p-n-ПТ
8.6. Дифференциальные параметры и физическая эквивалентная схема p-n-ПТ
Контрольные вопросы
9. ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ
9.1. Устройство и схемы включения ПТ с изолированным затвором
9.2. Принцип работы и классификация МДП-ПТ
9.3. МДП – транзистор с индуцированным каналом (обогащенного типа)
9.4. МДП-транзистор со встроенным каналом (обедненного типа)
9.5. Параметры и эквивалентная схема МДП-ПТ
9.6. Частотные и температурные свойства полевых транзисторов
9.7. Сравнительная оценка биполярных и полевых транзисторов
9.8. Некоторые разновидности полевых транзисторов
9.9. Приборы с зарядовой связью
Контрольные вопросы
10. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ФОТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ
10.1. Общие сведения о фотоэлектронных (оптоэлектронных) приборах
10.2. Фоторезисторы
10.3. Фотодиоды
10.4. Фотоэлементы
10.5. Фототранзисторы и фототиристоры
10.6. Светоизлучающие диоды
10.7. Оптроны
10.8. Полупроводниковые индикаторы
Контрольные вопросы
11. ЭЛЕМЕНТЫ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ
11.1. Общие сведения о микроэлектронике
11.2. Основные направления технологий интегральной микроэлектроники
11.3. Элементы пленочных, гибридных и совмещенных интегральных микросхем
11.4. Общая характеристика полупроводниковых интегральных микросхем
11.5. Элементы полупроводниковых микросхем, сформированные
11.6. Интегральные транзисторы на основе полевых транзисторов
11.7. Сравнительная оценка полупроводниковых микросхем на биполярных и униполярных транзисторах
11.8. Вакуумные и функциональные интегральные микросхемы
11.9 Корпуса интегральных микросхем
Контрольные вопросы
12. КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ СОБСТВЕННЫХ ШУМОВ, РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИИ И НАДЕЖНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ
12.1. Общие сведения о шумах
12.2. Шумы полупроводниковых приборов
12.3. Основные понятия о радиационной стойкости полупроводниковых приборов
12.4. Краткая характеристика надежности полупроводниковых приборов
Контрольные вопросы
ПРИЛОЖЕНИЯ
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА
ГЛОССАРИЙ
ОСНОВНЫЕ ВЕЛИЧИНЫ И ПАРАМЕТРЫ
СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ И ОБОЗНАЧЕНИЙ
СПИСОК АББРЕВИАТУР