Электроника
книга

Электроника

Место издания: Москва|Вологда

ISBN: 978-5-9729-0264-4

Страниц: 201

Артикул: 73558

Возрастная маркировка: 16+

Электронная книга
660

Краткая аннотация книги "Электроника"

Рассмотрены основные элементы электронных схем, электронные приборы и электронные устройства, импульсные и цифровые сигналы и устройства, порядок выявления и методы расчета их важнейших параметров и характеристик. В приложениях содержатся справочные данные, которые будут полезны при выполнении контрольных работ и курсового проектирования.
Для студентов, изучающих дисциплину СД.01 «Электроника» и смежные дисциплины при подготовке бакалавров по направлению 13.03.02 «Электроэнергетика и электротехника» и магистров по направлению 13.04.02 «Электроэнергетика и электротехника» профиля «Электрооборудование и электрохозяйство предприятий, организаций и учреждений».

Содержание книги "Электроника"


Введение
Глава 1. Элементы электронных схем
§1.1. Краткое описание пассивных элементов электронных схем
§ 1.2. Электронные приборы
1.2.1. Электропроводность проводников и диэлектриков
1.2.2. Электропроводность полупроводников
1.2.3. Примесные полупроводники
1.2.4. Электронно-дырочный переход и его свойства
§ 1.3. Полупроводниковые диоды
§ 1.4. Полупроводниковые транзисторы
§ 1.5. Тиристоры
§ 1.6. Оптоэлектронные приборы
§ 1.7. Операционные усилители
§ 1.8. Силовые полупроводниковые приборы
Контрольные вопросы и задачи к главе 1
Глава 2. Электронные устройства
§2.1. Вторичные источники питания
2.1.1. Выпрямители
2.1.2. Электрические фильтры
2.1.3. Стабилизаторы напряжения
§ 2.2. Инверторы и умножители напряжения
§ 2.3. Усилители электрических сигналов
§ 2.4. Генераторы электрических сигналов
Контрольные вопросы и задачи к главе 2
Глава 3. Импульсные и цифровые сигналы и устройства
§ 3.1. Импульсные сигналы и их параметры
§ 3.2. Цифровое представление информации
§ 3.3. Логические функции и алгебралогики
3.3.1. Логические функции и способы их записи
3.3.2. Основы алгебры логики (алгебры Буля)
3.3.3. Основные теоремы алгебры логики
3.3.4. Представление и минимизация булевых функций
§ 3.4. Реализация логических функций и особенности построения логических устройств
§ 3.5. Комбинационные устройства
§ 3.6. Последовательностные устройства
§ 3.7. Устройства для формирования и преобразования аналого-цифрового и цифро-аналогового сигналов
Контрольные вопросы и задачи к главе 3
Заключение
Список использованных источников
Приложение 1. Международная цветовая маркировка резисторов
Приложение 2. Классификация и основные параметры полупроводниковых диодов
Приложение 3. Классификация и основные характерные признаки транзисторов
Приложение 4. Классификация и основные характеристики тиристоров
Приложение 5. Параметры интегральных стабилизаторов

Все отзывы о книге Электроника

Чтобы оставить отзыв, зарегистрируйтесь или войдите

Отрывок из книги Электроника

1.2.3. Примесные полупроводники Примесным называют полупроводник, в кристаллическую решетку которого введены атомы других веществ. В качестве примеси используют атомы элементов соседних к полупроводникам групп таблицы Менделеева — V группы (мышьяк, фосфор или сурьма) или I I I группы (алюминий, бор или индий). Концентрация примесных атомов считается достаточной, если их число в единице объема составляет тысячные доли процента от числа собственных атомов. Атомы элементов V группы имеют по пять валентных электронов. Четыре электрона примесного атома занимают места в валентной зоне атомов, а пятый образует дополнительный (локальный) энергетический уровень за пределами валентной зоны sb s2, S3 (рис. 1.4, а). Такая примесь называется донорной. //////////////////// 77777777777ТТ777Т77Т а) б) Рис. 1.4. Энергетические уровни примесных полупроводников Атомы элементов I I I группы имеют по три валентных электрона. При введении такой примеси образуются свободные энергетические уровни Si, S2, S3 рядом с валентной зоной (рис. 1.4, б). Такая примесь называется акцеп­торной. Близость локальных уровней к зоне проводимости (рис. 1.4, а) приводит к тому, что даже при небольшом нагреве электроны с этих уровней могут пере­ходить в свободную зону проводимости. Далее электрон может перемещаться от атома к атому в пределах кристаллической решетки. Произошло образование свободного носителя з а р я д а — электрона проводимости— без образования дырки. При введении донорной примеси концентрация электронов может быть определена выражением: пп = C • e ~A , / k T, (1.8) где С— концентрация примеси, см"3; А' — интервал энергии между верхним занятым примесным и нижним уровнями свободной зоны, эВ. 16