Микроэлектроника
В лабораторном практикуме изложены основные теоретические вопросы, описан порядок выполнения лабораторных работ.Лабораторный практикум может быть использован как руководство при выполнении лабораторных работ, так и для самостоятельной работы студентов при изучении теоретического материала по дисциплине «Микроэлектроника».При подготовке лабораторного практикума использованы лабораторные образцы и методические рекомендации ЭЗ «Протон» г. Зеленоград.
Содержание
Содержание книги "Микроэлектроника : лабораторный практикум"
Отрывок из книги
49 ные контактные площадки покрывают хромом, никелем, золотом или ванадием. Для пайки их целесообразно облуживать погруже-нием схемы в припой, при этом остальные пленочные элементы должны быть защищены. Алюминий обладает достаточно высокой коррозионной стой-костью и может использоваться как с защитным покрытием нике-ля или ванадия для обеспечения возможности пайки, так и без не-го, если присоединение навесных компонентов и создание внеш-них контактов осуществляется сваркой. Толщина медных и алю-миниевых проводников – 1 мкм. Для защиты от внешних воздействий и для предотвращения замыкания проводников и пересечений при однослойной разводке применяется защита негативным фоторезистом, как наиболее про-стая. Для многослойной разводки используют те же материалы, что и для диэлектрика конденсаторов, но с малым значением ди-электрической проницаемости с целью уменьшения паразитных связей между проводниками слоев. Методы нанесения тонких пленок 1. Метод термовакуумного испарения основан на создании направленного потока пара вещества и последующей конденсаци-ей на поверхности подложек, имеющих температуру ниже темпе-ратуры источника пара. Термическим испарением в вакууме удается получить наибо-лее чистые пленки. Достоинства этого метода: простота, высокая скорость осаждения пленок, возможность напыления многих ве-ществ. Однако этим методом трудно получать пленки из туго-плавких материалов сложного состава, имеющих различные ско-рости испарения отдельных компонент. Кроме того, для получе-ния высокого вакуума (10-5 – 10-7 Па) требуется сложная система. 2. Метод ионного распыления. При ионном распылении энер-гия, необходимая для отрыва атомов испаряемого вещества, воз-никает в результате бомбардировки его поверхности ионами плазмы. Источником ионов служит самостоятельный тлеющий разряд либо плазма несамостоятельного разряда (дугового или высокочастотного) инертных газов (обычно высокой чистоты ар-гона). Су...
Внимание!
При обнаружении неточностей или ошибок в описании книги "Микроэлектроника : лабораторный практикум (автор )", просим Вас отправить сообщение на почту help@directmedia.ru. Благодарим!
и мы свяжемся с вами в течение 15 минут
за оставленную заявку