Физические основы, методы исследования и практическое применение пьезоматериалов
Развитие технологий создания пьезоактивных материалов и их широкое внедрение в электронику требует своевременной научно-информационной и учебно-методической поддержки. Представляемая монография ставит целью рассмотрение как общих вопросов физики пьезо- и сегнетоактивных материалов, так и узконаправленных тем, посвященных специфике получения и практического применения изделий из пьзоэлектрической керамики и композиционных керамических гетероструктур. Описаны методики и экспериментальные установки по исследованию пьезокерамических материалов. Дана подробная классификация пьезокерамических преобразователей по использованию пьезоэлектрических эффектов. Книга будет полезна научным работникам, инженерам и технологам, занимающимся исследованием, разработкой и производством пьезокерамических материалов и изделий из них, а также студентам старших курсов и аспирантам физических, химических и технических специальностей.
Содержание
Содержание книги "Физические основы, методы исследования и практическое применение пьезоматериалов "
Отрывок из книги
1.4. Процесс переполяризации сегнетоэлектриков. Домены23Рис. 1.8.Температурные зависимости:а— спонтанной поляризации;б— диэлек-трической проницаемостианалогичным образом, и при напряженности поля, равной коэрцитивной,поляризация кристалла будет равна нулю. Далее с изменением напря-женности внешнего поля зависимость поляризации от внешнего поля дляполидоменного образца будет выражаться петлей гистерезиса.Отметим, что рассмотрение кривой зависимости спонтанной поляриза-ции от напряженности внешнего электрического поля для полидоменногокристалла почти полностью применимо для полидоменного поликристал-лического сегнетоэлектрика.Итак, к основным характерным особенностям сегнетоэлектрическихкристаллов можно отнести:1.Наличие спонтанной поляризации~Ps=P∆V~pi/∆Vв определенномдиапазоне температур, ограниченном температурой Кюри. Температур-ная зависимость спонтанной поляризации~Psот температурыTвблизиточки КюриTксегнетоэлектрика приведена на рис. 1.8,а.2. Наличиегистерезисной зависимости поляризацииPот поляE.Типичная петля диэлектрического гистерезисаP(E)приведена на рис. 1.6.3. Наличиехарактерной температурной зависимости диэлектриче-ской проницаемостив полярной фазе (рис. 1.8,б). Вблизи точки Кю-риTкзначения относительной диэлектрической проницаемости достигаютогромных величин, вплоть до104–105, как это показано на рис. 1.8,б, гдемаксимум соответствует точке КюриTк.4.Фазовые переходы при температуре Кюри. На этой особенности мыостановимся ниже, при рассмотрении структуры сегнетоэлектриков.5.Наличие доменной структурыпри температурах нижеTк. Струк-
Внимание!
При обнаружении неточностей или ошибок в описании книги "Физические основы, методы исследования и практическое применение пьезоматериалов (автор Владимир Головнин, Иван Каплунов, Ольга Малышкина, Борис Педько, Алена Мовчикова)", просим Вас отправить сообщение на почту help@directmedia.ru. Благодарим!
и мы свяжемся с вами в течение 15 минут
за оставленную заявку