Электроника

Содержание книги "Электроника : элементы электронных схем"

ПРЕДИСЛОВИЕ
ГЛАВА 1. РАДИОКОМПОНЕНТЫ НА ОСНОВЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ
ВВЕДЕНИЕ
1.1. Элементы зонной теории металлов и полупроводников
1.1.1. Квантование электронов в изолированных атомах
1.1.2. Кристаллические решетки твердых тел
1.1.3. Колебания кристаллической решетки. Фононы
1.1.4. Образование носителей заряда в металлах
1.1.5. Образование носителей заряда в полупроводниках
1.1.6. Закон действующих масс
1.1.7. Метод определения типа носителей в полупроводниках
1.2. Проводимость металлов и полупроводников
1.2.1. Общие сведения об электрическом токе и подвижности носителей
1.2.2. Проводимость металлов
1.2.3. Проводимость полупроводников
1.3. Полупроводниковые резисторы
1.4. Эффект Ганна. Диод Ганна
1.5. Гальваномагнитные явления
1.6. Гальванотермомагнитные эффекты
1.7. Тензоэлектрические полупроводниковые резисторы
ГЛАВА 2.ДИОДЫ
2.1. Образование и свойства р-n-перехода
2.1.1. Р-n-переход в отсутствие внешних напряжений
2.1.2. Прямое смещение p-n-перехода
2.1.3. Обратное смещение р-n-перехода
2.1.4. Вольтамперная характеристика идеального р-n-перехода
2.2. Полупроводниковые диоды
2.2.1. Отличия в характеристиках идеальных и реальных диодов
2.2.2. Механизмы пробоя в реальных диодах
2.2.3. Выпрямительные диоды
2.2.4. Импульсные диоды
2.2.5. Кремниевые стабилитроны
2.2.6. Варикапы
2.2.7. Туннельные диоды
2.2.8. Фотодиоды и фотоэлементы
2.2.9. Светоизлучающие диоды
2.2.10. Диоды с барьером Шоттки
2.2.11. Обращенные диоды
2.2.12. Общие сведения об обозначении дискретных диодов
2.3. Элементы технологии твердотельных микросхем
ГЛАВА 3. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
3.1. Структура биполярного транзистора
3.2. Принцип действия биполярного транзистора в различных режимах
3.2.1. Схемы включения и режимы работы
3.2.2. Принцип действия транзистора и его статические параметры
3.3. Параметры и характеристики различных схем при постоянном напряжении
3.3.1. Характеристики и параметры транзистора в схеме с общей базой
3.3.2. Характеристики и параметры транзистора в схеме с общим эмиттером
3.3.3. Характеристики и параметры транзистора в схеме с общим коллектором
3.4. Транзистор как активный четырехполюсник и его h-параметры
3.4.1. Общие сведения об h-параметрах транзистора
3.4.2. Экспериментальные расчеты h-параметров
3.5. Однопереходный транзистор
3.6. Основные параметры реальных транзисторов
3.7. Общие сведения об обозначении дискретных транзисторов
3.8. Элементы технологии биполярных транзисторов твердотельных микросхем
ГЛАВА 4. ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
4.1. Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом (ПТУП)
4.1.1. Структура ПТУП
4.1.2. Принцип работы ПТУП
4.1.3. Вольтамперные характеристики ПТУП
4.2. Полевой транзистор с изолированным затвором (ПТИЗ)
4.3. Элементы технологии полевых транзисторов твердотельных микросхем
4.4. Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ-IGBT)
4.4.1. Особенности мощного ПТИЗ
4.4.2. Строение IGBT
4.5. Статический индукционный транзистор СИТ
ГЛАВА 5. ТИРИСТОРЫ
5.1. Принцип работы динистора
5.2. Принцип работы управляемого тиристора
5.3. Параметры и разновидности тиристоров
5.4. Применение тиристоров
5.5. Общие сведения об обозначении тиристоров
РЕКОМЕНДУЕМАЯ ЛИТЕРАТУРА