Читать фрагмент

книга

Физические основы микроэлектроники

Рассматриваются физические основы функционирования современных полупроводниковых приборов. Даны общие сведения о полупроводниковых приборах группы диодов и биполярных транзисторах. Рассмотрены элементы кристаллографии, атомной и квантовой физики. Приведена статистика электронов и дырок в полупроводниках.Для студентов и аспирантов технических вузов. Издание может быть полезно специалистам в области приборостроения.

Форматы: PDF

Издательство: Инфра-Инженерия

Год: 2026

Место издания: Москва, Вологда

ISBN: 978-5-9729-2825-5

Страниц: 232

Артикул: 110981

Возрастная маркировка: 16+

Электронная книга

990 ₽

Купить и скачать

Содержание

Содержание книги "Физические основы микроэлектроники "

Принятые обозначения и сокращения

Введение

ГЛАВА 1. ЭЛЕМЕНТЫ КРИСТАЛЛОГРАФИИ

1.1. Кристаллические структуры материалов

1.2. Типы химической связи в кристаллических структурах

1.3. Дефекты кристаллического строения материалов

1.4. Полупроводниковые материалы

1.5. Модель Друде - Лоренца электропроводности металлов

Литература к главе 1

ГЛАВА 2. ЭЛЕМЕНТЫ АТОМНОЙ И КВАНТОВОЙ ФИЗИКИ

2.1. Принцип неопределенности Гейзенберга, уравнение Шредингера

2.2. Прохождение частицы через потенциальный барьер

2.3. Частица в прямоугольной потенциальной яме

2.4. Квантовая теория атома водорода. Энергетические уровни. Квантовые числа

2.5. Магнитные свойства вещества. Ядерный и электронный магнитный резонанс

2.6. Расщепление энергетических уровней в кристалле. Понятие об энергетических зонах. Основные положения зонной теории твердого тела

2.7. Волновой вектор. Зависимость энергии электрона от волнового вектора. Зоны Бриллюэна. Структура энергетических зон

2.8. Понятие эффективной массы

2.9. Квантовый гармонический осциллятор, понятие фонона

Литература к главе 2

ГЛАВА 3. СТАТИСТИКА ЭЛЕКТРОНОВ И ДЫРОК В ПОЛУПРОВОДНИКАХ

3.1. Функция распределения электронов по состояниям. Уровень Ферми

3.2. Концентрация электронов и дырок в собственном полупроводнике. Уровень Ферми в собственном полупроводнике

3.3. Концентрация электронов и дырок в примесных полупроводниках

3.4. Движение носителей заряда в полупроводниках

Литература к главе 3

ГЛАВА 4. КОНТАКТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ В МЕТАЛЛАХ И ПОЛУПРОВОДНИКАХ

4.1. Работа выхода. Контактная разность потенциалов

4.2. Переходы металл - полупроводник

4.3. Переходы между полупроводниками p-типа и n-типа

4.4. Переходы между полупроводниками с собственной и примесной проводимостью, между полупроводниками с одним типом проводимости и различной концентрацией примеси

4.5. Гетеропереходы

Литература к главе 4

ГЛАВА 5. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ ГРУППЫ ДИОДОВ

5.1. Общие сведения о приборах группы диодов

5.2. Выпрямительные диоды, импульсные диоды, диоды с накоплением заряда

5.3. Р-i-n-диоды

5.4. Стабилитроны, стабисторы, лавинные диоды, шумовые диоды

5.5. Туннельные и обращенные диоды

5.6. Варикапы

5.7. Лавинно-пролетные диоды

5.8. Диоды Ганна

5.9. Фотодиоды

5.10. Светоизлучающие диоды

5.11. Фоторезисторы

Литература к главе 5

ГЛАВА 6. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

6.1. Структура и принцип действия биполярного транзистора

6.2. Математическая модель идеализированного транзистора

6.3. Понятие о схемах включения биполярного транзистора

6.4. Динамические характеристики биполярного транзистора

6.5. Параметры биполярного транзистора в режиме малого сигнала

6.6. Однопереходные транзисторы

Литература к главе 6

ГЛАВА 7. ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

7.1. Общие сведения о полевых транзисторах. Виды полевых транзисторов

7.2. Полевые транзисторы с р-п-переходом

7.3. Полевые транзисторы с изолированным затвором

7.4. Характеристики полевых транзисторов

7.5. Элементы памяти на основе полевых транзисторов

Литература к главе 7

ГЛАВА 8. ТИРИСТОРЫ

8.1. Общие сведения о тиристорах

8.2. Структура и принцип действия тиристора

8.3. Динамические характеристики тиристоров

Литература к главе 8

ГЛАВА 9. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ

9.1. Общие сведения о биполярных транзисторах с изолированным затвором

9.2. Структура и принцип действия биполярных транзисторов с изолированным затвором

9.3. Характеристики биполярных транзисторов с изолированным затвором

Литература к главе 9

Внимание!
При обнаружении неточностей или ошибок в описании книги "Физические основы микроэлектроники (автор Владимир Смирнов, Ольга Шуваева)", просим Вас отправить сообщение на почту help@directmedia.ru. Благодарим!

Физические основы микроэлектроники

Содержание

другие книги автора

С книгой "Физические основы микроэлектроники" читают