Входной и технологический контроль материалов и структур в твердотельной СВЧ электронике

33ношение  < 10°). При этом для кремния вместо показателя пре-ломления n1 можно ввести величину nэфф=)221(Sinn. При n = 4 nэфф = 3,996, и погрешностью за счет падения излучения под углом можно пренебречь.Была разработана компьютерная программа, позволяющая рассчитать коэффициенты отражения (R), пропускания (T) и по-глощения (P) в зависимости от длины волны излучения в много-слойной структуре с количеством слоев не более трех, расположен-ных на полубесконечной подложке [2]. Расчетные спектральные зависимости коэффициента отражения от разных КНИ-структур приведены на рис. 6.2.0,50,90,80,70,60,50,40,30,20,100,6Длина волны, мкмКоэффициентотражения, отн. ед.0,70,80,91,01,10,50,90,80,70,60,50,40,30,20,100,6Длина волны, мкмКоэффициентотражения, отн. ед.0,70,80,91,01,1Рис. 6.2. Расчетные спектральные зависимости коэффициента отра-жения от структуры КНИ. Толщина слоя SiO2 – 0,4 мкм. Сверху: тол-щина слоя Si – 0,4 мкм; внизу: толщина слоя Si – 1,0 мкмНа рис. 6.3 приведены положения координат экстремумов функции R() в зависимости от толщины слоя кремния в структу-ре КНИ. Толщина слоя окисла – 0,4 мкм.Лабораторная работа №6