Физические основы электроники
книга

Физические основы электроники

Место издания: Ставрополь

Страниц: 135

Артикул: 21600

Возрастная маркировка: 16+

Электронная книга
270

Краткая аннотация книги "Физические основы электроники"

Пособие представляет курс лекций, в которых дано систематическое изложение современной электроники, охватывающей как основные теоретические представления, так и важнейшие экспериментально установленные факты для объяснения принципов действия широкого круга электронных приборов и устройств, изложены физические основы процессов, лежащих в основе работы электронных приборов. Предназначено для бакалавров направления подготовки 210700.62 – Инфокоммуникационные технологии и системы связи.

Содержание книги "Физические основы электроники"


ПРЕДИСЛОВИЕ
Глава 1. ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ
1.1. Модель атома и свойства электрона
1.2. История развития представлений об атомах
1.3. Понятие об энергетических уровнях и зонах
1.4. Кристаллическая решётка
Вопросы для самоконтроля к главе 1
Глава 2. СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
2.1. Собственный полупроводник
2.2. Определение равновесной концентрации зарядов в собственном полупроводнике
2.3. Функция распределения Ферми - Дирака
2.4. Вероятность распределения электронов по энергетическим уровням в полупроводнике
2.5. Влияние поверхностных состояний
2.6. Уровень Ферми в собственном полупроводнике
2.7. Эффект внешнего поля
2.8. Примесные полупроводники
2.8.1. Полупроводник типа n
2.8.2. Полупроводник типа p
2.9. Соотношения между концентрациями подвижных зарядов в примесных полупроводниках
2.10. Уровни Ферми в примесных полупроводниках
2.11. Зависимость уровней Ферми от концентраций примесей
2.12. Механизмы образования подвижных зарядов
2.13. Основные и неосновные носители зарядов
2.14. Токи в полупроводнике
2.14.1. Ток дрейфа
2.14.2. Электропроводность полупроводников в электрическом поле
2.14.3. Ток диффузии. Полный ток
2.15. Время жизни неравновесных зарядов
2.16. Диффузионная длина неравновесных зарядов
Вопросы для самоконтроля к главе 2
Глава 3. КОНТАКТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ. КОНТАКТЫ «МЕТАЛЛ-ПОЛУПРОВОДНИК»
3.1. Работа выхода
3.2. Потенциальные барьеры на границе токопроводящих материалов и вакуума
3.3. Виды контактов металл - полупроводник. Условия реализации
3.3.1. Виды контактов «металл - полупроводник». Выпрямляющие контакты
3.3.2. Виды контактов «металл - полупроводник». Омические контакты
3.4. Вольтамперные характеристики контактов «металл - полупроводник»
Вопросы для самоконтроля к главе 3
Глава 4. ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД
4.1. Структура электронно-дырочного перехода
4.2. Электронно-дырочный переход в состоянии равновесия
4.2.1. Контакт двух полупроводников
4.2.2. Факторы динамического равновесия
4.2.3. Равновесное состояние перехода
4.2.4. Распределение зарядов в p-n-переходе
4.2.5. Распределение поля и потенциала в p-n-переходе
4.2.6. Энергетическая диаграмма p-n-перехода в равновесном состоянии
4.2.7. Энергетическая диаграмма p-n-перехода при U > 0
4.2.8. Энергетическая диаграмма p-n-перехода при U < 0
4.3. Прямое и обратное включение р-п-перехода
4.4. Инжекция и экстракция. Вольт-амперная характеристика р-п-перехода
4.5. Барьерная и диффузионная ёмкости р-п-перехода
4.6. Инерционные свойства р-п-перехода
Вопросы для самоконтроля к главе 4
Глава 5. ФИЗИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ, ВЫЗЫВАЮЩИЕ ОТКЛОНЕНИЯ ОТ ИДЕАЛИЗИРОВАННОЙ МОДЕЛИ р-п-ПЕРЕХОДА
5.1. Тепловой пробой
5.2. Электрический (лавинный) пробой
5.3. Туннельный эффект
Вопросы для самоконтроля к главе 5
Глава 6. ГЕТЕРОПЕРЕХОДЫ
6.1. Электрофизические свойства гетеропереходов
Вопросы для самоконтроля к главе 6
Глава 7. ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ
7.1. Воздействие оптического излучения на полупроводник
7.2. Фотопроводимость
7.3. Фотогальванический эффект
Вопросы для самоконтроля к главе 7
Глава 8. ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ
8.1. Эффект Зеебека
8.2. Эффект Пельтье
Вопросы для самоконтроля к главе 8
Глава 9. ГАЛЬВАНОМАГНИТНЫЙ ЭФФЕКТ ХОЛЛА
9.1. Эффект Холла
Вопросы для самоконтроля к главе 9
Глава 10. ЭЛЕКТРОННАЯ ЭМИССИЯ
10.1. Виды эмиссий
10.1.1. Термоэлектронная эмиссия
10.1.2. Вторичная эмиссия
10.1.3. Автоэлектронная эмиссия
10.1.4. Фотоэлектронная эмиссия
Вопросы для самоконтроля к главе 10
Глава 11. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ РАЗРЯД В ГАЗЕ
11.1. Взаимодействие частиц в газовой среде
11.2. Виды электрических разрядов
Вопросы для самоконтроля к главе 11
ЛИТЕРАТУРА

Все отзывы о книге Физические основы электроники

Чтобы оставить отзыв, зарегистрируйтесь или войдите

Отрывок из книги Физические основы электроники

32 Для оценки анизотропии свойств необходимо уметь опреде-лять внутри кристалла направления и положения плоскостей от-носительно трёхмерной системы координат (x, y, z). Эту задачу решают с помощью индексов Миллера. Элементарную ячейку, например куб, связывают с декартовой системой координат, как показано на рис. 1.12. Тогда оси x, y, z, совпадающие с соответ-ствующими рёбрами куба, станут кристаллографическими осями и все параллельные им направления определятся в виде заклю-чённых в квадратные скобки индексов Миллера [100], [010] и [001] соответственно. Диагональ куба приобретает индекс [111]. Идентификация плоскостей внутри кристалла, параллельных кристаллографическим плоскостям yoz, xoz и xoy, осуществляется системой заключённых в круглые скобки индексов (100), (010) и (001) соответственно. Диагональные плоскости имеют индекса-цию (110), (101), (011) и (111). Рассмотренная система индексов Миллера построена в предположении единичной ячейки. В общем случае для произвольных направлений и ориента-ций положения плоскостей индексы Миллера, кроме нулей и еди-ниц, принимают и другие целочисленные значения. Имеется спе-циальная процедура их определения. Для определения кристаллографических направлений на практике используют специальные методы, основанные на анали-зе отражённых от поверхности монокристалла оптических или рентгеновских лучей. Для разных ориентаций кристаллографических плоскостей свойства кристалла будут разными. Поэтому при решении раз-личных задач технологическую обработку кристаллов производят в определённых кристаллографических плоскостях. На рис. 1.13 представлены типичные для полупроводников сложные гранецентрированные кубические ячейки кристалличе-ской решётки. Ячейка рис. 1.13а характерна для простых (элемен-тарных) полупроводников, кристаллы которых построены на ос-нове химических элементов IV группы таблицы Менделеева (C, Si, Ge). Они образуют структуру кристаллической решётки алма-за, в которой в каждом из узлов расположены атом...