Пучково-плазменные технологии для создания материалов и устройств микро- и наноэлектроники

Читать фрагмент

книга

Пучково-плазменные технологии для создания материалов и устройств микро- и наноэлектроники

Учебное пособие дает студентам представление о современном состоянии исследований и разработок в области создания оборудования для пучково-плазменных технологий и о возможностях применения этих технологий в микро- и наноэлектронике. Особое внимание уделено современному высокотехнологичному оборудованию – НТК «НаноФаб-100», приобретенному Тюменским государственным университетом в рамках реализации ФЦП «Развитие инфраструктуры наноиндустрии в Российской Федерации на 2008-2011 гг.».
Пособие имеет целью активизацию у студентов практических навыков по применению пучково-плазменных технологий в микро- и наноэлектронике в соответствии с требованиями ФГОС ВО к содержанию курсов «Физические основы микро- и наносистемной техники», «Физико-химические основы процессов микро- и нанотехнологий», «Вакуумная техника и технологии», «Методы анализа и контроля наноструктурированных материалов и систем».
Предназначено для студентов направления 28.03.01 «Нанотехнологии и микросистемная техника».

Форматы: PDF

Издательство: Тюменский государственный университет

Год: 2016

Место издания: Тюмень

ISBN: 978-5-400-01349-2

Страниц: 228

Артикул: 75382

Электронная книга

456 ₽

Купить и скачать

Содержание

Содержание книги "Пучково-плазменные технологии для создания материалов и устройств микро- и наноэлектроники "

ПРЕДИСЛОВИЕ

1. СОВРЕМЕННОЕ ОБОРУДОВАНИЕ ДЛЯ ПУЧКОВО-ПЛАЗМЕННЫХ ТЕХНОЛОГИЙ

1.1. Кластерное нанотехнологическое оборудование

1.2. Базовые принципы кластерного оборудования

1.3. Применение кластерного оборудования

1.4. Аналитическое оборудование

2. НАНОТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ КОМПЛЕКС «НАНОФАБ-100»

2.1. Технологические модули

2.2. Вспомогательные модули

2.3. Контрольно-измерительная аппаратура

3. ТЕХНОЛОГИЯ МАГНЕТРОННОГО ОСАЖДЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ МАТЕРИАЛОВ ЭЛЕКТРОНИКИ

3.1. Применение технологии магнетронного осаждения покрытий в электронном производстве

3.2. Преимущества магнетронного осаждения пленок

3.3. Моделирование процесса реактивного нанесения покрытий

3.4. Контроль условий получения стехиометрического состава пленок по спектральным характеристикам плазмы

3.5. Получение пленок требуемого состава с помощью вольт-амперных характеристик разряда

3.6. Условия самоподдержания сильноточного разряда в магнетроне

3.7. Влияние потока кластеров металла на условия горения магнетронного разряда

4. ПРИМЕНЕНИЕ РАСТРОВОГО ЭЛЕКТРОННОГО МИКРОСКОПА (РЭМ) ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ СТРУКТУРЫ МАТЕРИАЛОВ И ЭЛЕКТРОННОЙ ЛИТОГРАФИИ

4.1. Устройство и принцип работы РЭМ

4.2. Формирование изображения в РЭМ

4.3. Детекторы вторичных сигналов

4.4. Рентгеноспектральный микроанализ

4.5. Применение РЭМ для исследования структуры материалов электроники

4.6. Электронно-лучевая литография

5. ИОННАЯ ЛИТОГРАФИЯ

5.1. Основы ионной литографии

5.2. Технология ионной литографии

6. ВТОРИЧНО-ИОННАЯ МАСС-СПЕКТРОМЕТРИЯ (ВИМС)

6.1. Вторично-ионная эмиссия

6.2. Принцип работы ВИМС

6.3. Количественный анализ

6.4. Глубинные профили концентрации элементов

7. ТЕХНОЛОГИЯ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ

7.1. Механизм плазмохимического травления материалов

7.2. Выбор и оптимизация технологических режимов

7.3. Проблемы создания элементов топологии интегральных схем

8. ТЕХНОЛОГИЯ ИОННОГО ЛЕГИРОВАНИЯ

8.1. Особенности и возможности технологии ионной имплантации

8.2. Модуль имплантации — альтернатива модулю ФИП

8.3. Ионное легирование полупроводников

8.4. Проблемы технологии ионной имплантации при создании электронных приборов и ИС

9. СОЗДАНИЕ НАНОМАТЕРИАЛОВ И УСТРОЙСТВ ЭЛЕКТРОНИКИ

9.1. Переход от классической КМОП-технологии к нанотехнологиям

9.2. Проблемы оптоэлектроники при создании излучающих материалов

9.3. Разработка и исследование материала, обладающего высокой электролюминесценцией

Отрывок из книги

— 19 — Рис. 1.7. Фотография клещей, паразитирующих на голове муравья Универсальный вакуумный сканирующий зондовый мик-роскоп «ИНТЕГРА-АУРА» (см. рис. 1.8), разработанный ЗАО «НТ-МДТ» (г. Зеленоград), предназначен для исследования топо-логии поверхности, распределения локального коэффициента тре-ния, распределения микротвердости, распределения поверхностно-го потенциала, качественного изучения фазового состава, изучения локальной проводимости, поверхностной плотности электронных состояний (в туннельном режиме), выполнения силовой и анодной литографии с разрешением не хуже 10 нм. Исследования свойств поверхности твердых тел на скани-рующем зондовом микроскопе (СЗМ) «ИНТЕГРА-АУРА» может проходить в следующих режимах: сканирующая туннельная мик-роскопия; атомно-силовая микроскопия; латерально-силовая мик-роскопия; отображение фазы; модуляция силы; отображение адге-зионных сил; магнитно-силовая микроскопия; сканирующая емкостная микроскопия; метод зонда Кельвина; отображение со-противления растекания; силовая и токовая литография. На рис. 1.9 представлены результаты исследования топологии поверхности и фазового состава пленки диоксида титана, выполненного на зон-довом микроскопе.

Внимание!
При обнаружении неточностей или ошибок в описании книги "Пучково-плазменные технологии для создания материалов и устройств микро- и наноэлектроники (автор С. Удовиченко)", просим Вас отправить сообщение на почту help@directmedia.ru. Благодарим!