Химико-технологические основы микро- и наноэлектроники

Содержание книги "Химико-технологические основы микро- и наноэлектроники "

Введение
1. История развития и технологические основы электроники
1.1. Основные технологии производства изделий электроники
1.2. Этапы развития вакуумной электроники
1.3. Этапы развития твердотельной электроники
1.4. История развития радиотехники и радиоэлектроники
1.5. Этапы развития микроэлектроники
1.6. История развития оптоэлектроники
1.7. Этапы развития нанотехнологий
2. Типы и свойства химических элементов и соединений, используемых в электронике
2.1. Строение твердых тел
2.2. Химическая связь и типы кристаллов
2.3. Кремний
2.4. Германий
2.5. Арсенид галлия
2.6. Фосфид индия
2.7. Металлические пленки
2.8. Диэлектрические пленки
2.9. Органические материалы
2.10. Углерод и наноуглерод
2.11. Графен
2.12. Дендримеры
2.13. Сегнетоэлектрики
2.14. Электроактивные полимеры
2.15. Жидкие кристаллы
2.16. Прямозонные и непрямозонные полупроводники
3. Технологические основы микроэлектроники
3.1. Введение
3.2. Понятие о групповом методе изготовления электронных приборов
3.3. Планарная технология
3.4. Пленочная и гибридная технология
3.5. Полупроводниковая технология
3.6. Метод Чохральского
3.7. Диффузия
3.8. Ионное легирование
3.9. Ионно-плазменное напыление
3.10. Термическое напыление
3.11. Классическая литография
4. Виды технологий, перспективные для производства наноэлектронных изделий
4.1. Введение
4.2. Кремниевая нанотехнология и ее изделия
4.3. Углеродная нанотехнология и ее изделия
4.4. Жидкокристаллическая технология и ее изделия
4.5. OLED технология и ее изделия
4.6. Квантовая нанотехнология и ее изделия
4.7. Молекулярная технология и направления ее развития
4.8. Нанобиотехнология и перспективы ее развития
4.9. Нанопсихология - новое направление психологии
5. Технологические основы наноэлектроники
5.1. Введение в нанотехнологии
5.2. Литография
5.3. Молекулярно-лучевая эпитаксия
6. Нанотехнологическое оборудование
6.1. Введение
6.2. Нанотехнологические комплексы НАНОФАБ
6.3. Установка эпитаксиального наращивания слоев для индивидуальной обработки подложек большого диаметра
6.4. Установки молекулярно-пучковой эпитаксии
6.5. Оборудование для наноструктурного анализа материалов и покрытий
6.6. Нанотехнологический комплекс оборудования NanoEducator
7. Анализ структурного и элементного состава кристаллов методами ионной спектрометрии
7.1. Физические основы метода резерфордовского обратного рассеяния ионов
7.2. Рассеяние ионов низких энергий
7.3. Распределение элементов по глубине
7.4. Вторичная ионная масс-спектроскопия (ВИМС)
7.5. Каналирование
8. Методы электронной спектроскопии
8.1. Физические основы методов электронной спектроскопии
8.2. Экспериментальное оборудование
8.3. Электронная Оже-спектроскопия (ЭОС)
8.4. Спектроскопия характеристических потерь энергии (СХПЭЭ)
8.5. Методы фотоэлектронной спектроскопии
8.6. Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (РФЭС)
8.7. Ультрафиолетовая фотоэлектронная спектроскопия (УФЭС)
9. Методы электронной микроскопии
9.1. Физические принципы работы электронной микроскопии. Взаимодействие электронного пучка с веществом
9.2. Просвечивающая электронная микроскопия (ПЭМ)
9.3. Сканирующая электронная микроскопия (СЭМ)
Список литературы