Электроника
книга

Электроника

Автор: Лариса Наумкина

Форматы: PDF

Серия:

Издательство: Горная книга

Год: 2007

Место издания: Москва

ISBN: 978-5-98672-053-1, 978-5-7418-0461-2

Страниц: 326

Артикул: 21131

Электронная книга
550

Краткая аннотация книги "Электроника"

Учебное пособие состоит из четырех частей. В части 1 "Полупроводниковые приборы и физические основы их работы" изложены физические принципы организации, работы и использования полупроводниковых диодов и транзисторов: биполярных и полевых. В части 2 "Цифровые и аналоговые интегральные схемы" приведены параметры базовых элементов цифровых ИС, их схемы и сравнительные характеристики, позволяющие определить достоинства и недостатки ИС той или иной логики. Изложены правила алгебры логики, позволяющие описывать функционально различные цифровые устройства и понять основы их синтеза. В части 3 "Усилители и функциональные генераторы" даны основы формирования транзисторных усилителей низкой частоты с емкостной связью; генераторов прямоугольных, треугольных и пилообразных сигналов для передачи информации. Изложены основные принципы построения источников питания для цифровых и аналоговых ИС, электронной аппаратуры и питающей сети для технических средств ЭВМ. В части 4 "Функциональные схемы цифровой электроники" аппаратные средства вычислительной техники описаны на уровне функционального назначения СИСов и БИСов со знанием их алгоритмов и временных диаграмм работы. Для студентов вузов, обучающихся по специальностям "Технология машиностроения" и "Автоматизированные системы сбора и обработки информации".

Содержание книги "Электроника"


Предисловие
История развития электроники
Часть 1. Полупроводниковые приборы и физические основы их работы
Тема 1. Полупроводниковые диоды
1.1. Электропроводность твердого тела
1.2. Примесная электропроводность
Контрольные вопросы
1.3. Электронно-дырочный переход
Контрольные вопросы
1.4. Разновидности полупроводниковых диодов и их использование
Контрольные вопросы
Тема 2. Транзисторы биполярные
2.1. Структура биполярного транзистора
2.2. Схемы включения транзисторов
2.3. Эквивалентная схема транзистора по схеме с ОЭ для малого (переменного) сигнала
2.4. Вольт-амперная характеристика (ВАХ) транзистора по схеме с ОЭ
2.5. Транзистор как диодная сборка
2.6. Схема замещения транзистора по схеме с ОЭ
2.7. Основные параметры транзисторов с включением по схеме с ОБ и ОК
Контрольные вопросы
Тема 3. Полевые транзисторы
3.1. Полевой транзистор с управляющим р-n-переходом
3.2. МОП (МДП)-транзисторы с индуцированным каналом
3.3. Вольт-амперные характеристики МОП-танзистора с индуцированным каналом
3.4. Полупроводниковые цифровые элементы (ключи и переключатели)
Контрольные вопросы
Часть 2. Цифровые и аналоговые интегральные схемы
Тема 1. Цифровые интегральные схемы
1.1. Основные классификационные признаки интегральных схем
Контрольные вопросы
1.2. Технологические процессы изготовления интегральных схем
Контрольные вопросы
1.3. Логические элементы интегральных схем
1.4. Основные характеристики и параметры базовых логических элементов серии нтегральных схем транзисторно-транзисторной логики
Контрольные вопросы
1.5. Базовые логические интегральные схемы различных логик
Контрольные вопросы
1.6. Триггер как базовый элемент с памятью серии ИС
Контрольные вопросы
Тема 2. Аналоговые интегральные схемы
2.1. Параметры операционного усилителя как базового элемента аналоговой ИС
Контрольные вопросы
2.2. Влияние обратной связи на параметры операционного усилителя
2.3. Использование ОУ при формировании решающих схем АВМ
2.4. Линейные решающие схемы
2.5. Нелинейные аналоговые решающие схемы
2.6. Решение дифференциальных уравнений с помощью решающих усилителей
Контрольные вопросы
Часть 3. Усилители и функциональные генераторы
Тема 1. Электронные усилители
1.1. Общая характеристика усилителей
1.2. Основные параметры усилителей
1.3. Каскад усилителя низкой частоты
1.4. Поведение усилителя низкой частоты с емкостной связью в частотном диапазоне
1.5. Выходной каскад усилителя
Контрольные вопросы
Тема 2. Генераторы импульсов различной формы
2.1. Характеристики сигналов передачи информации
2.2. Генераторы прямоугольных импульсов
2.3. Генератор треугольных импульсов
2.4. Генератор пилообразного напряжения
Контрольные вопросы
Тема 3. Источники вторичного питания
3.1. Выпрямители
3.2. Сглаживающие фильтры
3.3. Стабилизаторы напряжения
3.4. Система электропитания ЭВМ
Контрольные вопросы
Часть 4. Функциональные схемы цифровой электроники
Основные элементы компьютера
Системы счисления и кодирование
Тема 1. Цифровые устройства на основе триггеров (комбинационные логические элементы с памятью)
1.1. Счетчики электрических импульсов
1.2. Счетчики с произвольным коэффициентом пересчета
Контрольные вопросы
1.3. Регистры
Контрольные вопросы
Тема 2. Комбинационные логические схемы без памяти
2.1. Дешифратор/демультиплексор (DC/DMX)
2.2. Мультиплексор (MUX)
2.3. Шифратор (CD)
2.4. Кодопреобразователи
2.5. Помехозащищенные коды
Контрольные вопросы
Тема 3. Арифметические устройства
3.1. Полусумматор и полный сумматор
3.2. Способы суммирования операндов
3.3. Выполнение операции вычитания на сумматорах
3.4. Выполнение операций умножения и деления на сумматорах
3.5. Компаратор
3.6. Специализированные арифметические операции
Контрольные вопросы
Тема 4. Память
4.1. Виды памяти
4.2. Типы постоянного запоминающего устройства
4.3. Оперативное запоминающее устройство (ОЗУ)
4.4. Сверхоперативная память (регистровая)
Контрольные вопросы
Тема 5. Аналого-цифровые и цифро-аналоговые преобразователи (АЦП и ЦАП)
5.1. Классификация ЦАП и АЦП по принципу действия
5.2. Принципы построения ЦАП
5.3. Принципы построения АЦП
Контрольные вопросы
Тема 6. Структура микропроцессора
Список литературы

Все отзывы о книге Электроника

Чтобы оставить отзыв, зарегистрируйтесь или войдите

Отрывок из книги Электроника

Основные носители, например, электроны вследствие своего теплового движения, если на их пути нет никакого препятствия, проникают в р-область, так как р-область является вакуумом для электронов n-полупроводника. Время жизни электронов в полупро­воднике р-типа невелико, они рекомбинируют с дырками полупро­водника р-типа. Число свободных электронов становится тем мень­ше, чем более длительное время они находятся в полупроводнике р-типа, в частности, чем больше они удаляются от полупровод­ника п-типа. Диффундируя в соседнюю область, электроны оставляют в по­лупроводнике n-типа вблизи границы с полупроводником р-типа слой, обедненный свободными носителями заряда (сопротивление этого слоя велико) и состоящий из неподвижных донорных поло­жительно заряженных ионов, покинутых свободными электронами (рис. 1.5, в). С образованием объемного заряда в обедненном слое все больше и больше затрудняется диффузия электронов из полу­проводника n-типа, пока, наконец, не будет переходить столько электронов, сколько требуется для поддержания уже имеющегося объемного заряда и компенсации эффекта рекомбинации. Все сказанное в отношении диффузии электронов из полу­проводника n-типа в полупроводник р-типа относится и к дыр­кам полупроводника р-типа. Они также диффундируют в п-об-ласть, частично рекомбинируя, а образующийся в р-области отри­цательный объемный заряд все больше препятствует их дальней­шему переходу в полупроводник п-типа. Итак, в p-n-переходе протекают одновременно довольно слож­ные процессы: диффузия, рекомбинация и образование объемного заряда. Равновесное состояние устанавливается в том случае, если все три фактора являются сбалансированными. Объемные заряды в р- и n-областях, организованные непод­вижными ионами, образуют внутреннее электрическое поле с на­пряженностью Е (рис. 1.5, в). Так как Na * Nd, то p-n-переход в этом случае называется несимметричным. В состоянии равнове­сия объемные заряды по обе стороны p-n-перехода должны быть равны по величине и противоположны п...