Артикул: 55871

Технологии субмикронных структур микроэлектроники

Автор: Достанко А. П. , Бордусов С. В. , Голосов Д. А. , Завадский С. М. , Колос В. В.

Год: 2018

Издательство: Беларуская навука

Место издания: Минск

ISBN: 978-985-08-2298-7

Страниц: 272

Форматы: PDF

цена: 693 руб.

Рассмотрены и обобщены результаты исследований и разработок в области технологии и оборудования для производства и диагностики субмикронных структур полупроводниковой микроэлектроники. Предназначена для инженерно-технических работников предприятий электронной и других отраслей промышленности, специалистов научно-исследовательских институтов, аспирантов, магистрантов и студентов старших курсов технических вузов.

Введение
Глава 1. СВЧ плазменные технологии при создании микро- и наноструктур изделий электронной техники (С. В. Бордусов, С. И. Мадвейко, М. С. Лушакова)
1.1. Процессы удаления материала с поверхности твердого тела
1.2. Получение тонких пленок на поверхности твердого тела
1.3. Модификация структуры поверхностных слоев твердых тел
1.4. Применение СВЧ энергии при производстве изделий электронной техники и тенденции развития процессов СВЧ плазменной обработки
Список использованных источников к главе 1
Глава 2. Формирование ячеек сегнетоэлектрической энергонезависимой памяти (А. П. Достанко, Д. А. Голосов, С. И. Завадский, В. В. Колос, С. Н. Мельников, В. А. Солодуха)
2.1. Свойства сегнетоэлектриков и их использование в технологии интегральных схем
2.2. Сегнетоэлектрические ячейки памяти FeRAM
2.3. Схема ячейки 1T/1C
2.4. Cхема ячейки 2T/2C
2.5. Схема ячейки 1Т FeRAM (FeFET)
2.6. Структуры ячеек памяти FeRAM
2.7. Интеграция сегнетоэлектриков в полупроводниковую технологию
2.8. Сегнетоэлектрические материалы конденсаторной структуры
2.9. Методы нанесения сегнетоэлектрических тонких пленок
2.10. Кристаллизационный отжиг
2.11. Травление конденсаторных структур
Список использованных источников к главе 2
Глава 3. Формирование субмикронных функциональных слоев в микроэлектронных изделиях (Е. В. Телеш)
3.1. Формирование тонкопленочных слоев из диборидов циркония и гафния
3.2. Ионно-лучевой синтез гетероструктур «металл–арсенид галлия»
3.3. Ионно-лучевой синтез гетероструктур «диэлектрик–арсенид галлия»
3.4. Формирование межуровневого диэлектрика прямым осаждением из ионных потоков
Список использованных источников к главе 3
Глава 4. Бессвинцовые материалы для контактных соединений в изделиях электроники (В. Л. Ланин)
4.1. Анализ составов бессвинцовых материалов, применяемых для формирования контактных соединений в изделиях электроники
4.2. Получение модифицированных бессвинцовых материалов с адгезионно-активными добавками при интенсифицирующих воздействиях
4.3. Исследование влияния адгезионно-активных добавок на механические и электрофизические свойства бессвинцовых материалов
4.4. Рекомендации по практическому применению результатов исследований
Список использованных источников к главе 4
Глава 5. Технологические процессы и оборудование для сборки многокристальных модулей (И. Б. Петухов)
5.1. Технология сборки многокристальных гибридных интегральных модулей и систем в корпусе
5.2. Методика выбора способов контактных межсоединений в многокристальных модулях
5.3. Технология flip-chip в 2,5D и 3D конструкциях многокристальных модулей
5.4. Отечественное и зарубежное оборудование для сборки многокристальных модулей
Список использованных источников к главе 5
Глава 6. Лазерная активация электрохимических процессов формирования субмикронных структур (А. Н. Купо)
6.1. Методы и устройства лазерной электрохимической обработки
6.2. Моделирование тепловых и фотохимических процессов лазерной активации электрохимической обработки
6.3. Экспериментальное исследование электрохимических процессов формирования субмикронных структур с лазерной активацией
6.4. Рекомендации по практическому использованию лазерных электрохимических процессов
Список использованных источников к главе 6
Глава 7. Диагностика субмикронных структур полупроводниковой микроэлектроники (А. Н. Петлицкий)
7.1. Измерение удельного сопротивления и концентрации легирующей примеси в полупроводниковых материалах и структурах
7.2. Измерение подвижности носителей заряда
7.3. Определение времени жизни неосновных носителей заряда
7.4. Определение заряда, плотности поверхностных состояний, толщины диэлектрика в МДП-структурах
7.5. Измерение электрических характеристик базовых элементов субмикронных микросхем
Список использованных источников к главе 7

Все отзывы о книге

Чтобы оставить отзыв, зарегистрируйтесь или войдите

Рецензии на книгу

Чтобы писать рецензии и получать вознаграждения за рекомендации книг, станьте экспертом

Бестселлеры