Входной и технологический контроль материалов и структур в твердотельной СВЧ электронике : методические указания по выполнению лабораторных работ для магистров, с направлением подготовки по специальности 11.04.04 и аспирантов с направлением подготовки по специальностям 05.27.01 и 05.27.06
Место издания: Москва
ISBN: 978-5-94836-471-1
Страниц: 96
Артикул: 21811
Возрастная маркировка: 16+
Краткая аннотация книги "Входной и технологический контроль материалов и структур в твердотельной СВЧ электронике"
Методические указания содержат описание лабораторных работ по курсу «Методы исследования материалов и структур микроэлектроники и твердотельной СВЧ электроники».
В сборнике представлены лабораторные работы по электрическим, оптическим, рентгеновским и электронно-микроскопическим методам контроля свойств материалов и структур, применяющихся в технологии микроэлектроники и твердотельной СВЧ электроники.
Материал предназначен для магистров дневного отделения с направлением подготовки по специальности 11.04.04, а также может быть использован аспирантами с направлениями подготовки по специальностям 05.27.01 и 05.27.06, научными работниками и инженерами базового предприятия.
Содержание книги "Входной и технологический контроль материалов и структур в твердотельной СВЧ электронике"
Лабораторная работа № 1. Измерение удельного сопротивления пластин, эпитаксиальных и металлизационных слоев четырехзондовым методом
Лабораторная работа № 2. Определение параметров структур «металл–диэлектрик–полупроводник» (МДП) по измерению высокочастотных вольт-фарадных характеристик
Лабораторная работа № 3. Определение параметров структур «металл–диэлектрик–полупроводник» (МДП) по измерению низкочастотных вольт-фарадных характеристик
Лабораторная работа № 4. Определение профиля распределения примесей по измерению вольт-фарадных характеристик диодов Шотки
Лабораторная работа № 5. Определение сопротивления, концентрации и подвижности двумерного электронного газа в полупроводниковых гетероструктурах методом Ван-дер-Пау
Лабораторная работа № 6. Контроль толщины кремния в КНС- и КНИ-структурах
Лабораторная работа № 7. Определение структурных дефектов в полупроводниковых материалах
Лабораторная работа № 8. Метод рентгеновской дифрактометрии
Лабораторная работа № 9. Метод растровой электронной микроскопии
Лабораторная работа № 10. Построение карт «желтой» фотолюминесценции гетероструктур AlGaN/GaN
Лабораторная работа № 11. Контроль полупроводниковых структур при помощи микроинтерферометра МИИ-4
Лабораторная работа № 12. Определение параметров диэлектрических покрытий методом эллипсометрии
Лабораторная работа № 13. Определение оптических констант металлических пленок методом эллипсометрии
Лабораторная работа № 14. Определение толщины тонких металлических пленок методом эллипсометрии
Лабораторная работа № 15. Определение структурных дефектов в пластинах SiC поляризационным методом
Все отзывы о книге Входной и технологический контроль материалов и структур в твердотельной СВЧ электронике : методические указания по выполнению лабораторных работ для магистров, с направлением подготовки по специальности 11.04.04 и аспирантов с направлением подготовки по специальностям 05.27.01 и 05.27.06
Отрывок из книги Входной и технологический контроль материалов и структур в твердотельной СВЧ электронике : методические указания по выполнению лабораторных работ для магистров, с направлением подготовки по специальности 11.04.04 и аспирантов с направлением подготовки по специальностям 05.27.01 и 05.27.06
33ношение < 10°). При этом для кремния вместо показателя пре-ломления n1 можно ввести величину nэфф=)221(Sinn. При n = 4 nэфф = 3,996, и погрешностью за счет падения излучения под углом можно пренебречь.Была разработана компьютерная программа, позволяющая рассчитать коэффициенты отражения (R), пропускания (T) и по-глощения (P) в зависимости от длины волны излучения в много-слойной структуре с количеством слоев не более трех, расположен-ных на полубесконечной подложке [2]. Расчетные спектральные зависимости коэффициента отражения от разных КНИ-структур приведены на рис. 6.2.0,50,90,80,70,60,50,40,30,20,100,6Длина волны, мкмКоэффициентотражения, отн. ед.0,70,80,91,01,10,50,90,80,70,60,50,40,30,20,100,6Длина волны, мкмКоэффициентотражения, отн. ед.0,70,80,91,01,1Рис. 6.2. Расчетные спектральные зависимости коэффициента отра-жения от структуры КНИ. Толщина слоя SiO2 – 0,4 мкм. Сверху: тол-щина слоя Si – 0,4 мкм; внизу: толщина слоя Si – 1,0 мкмНа рис. 6.3 приведены положения координат экстремумов функции R() в зависимости от толщины слоя кремния в структу-ре КНИ. Толщина слоя окисла – 0,4 мкм.Лабораторная работа №6
С книгой "Входной и технологический контроль материалов и структур в твердотельной СВЧ электронике" читают
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Бестселлеры нон-фикшн
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Новинки книги нон-фикшн
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
Посмотреть
и мы свяжемся с вами в течение 15 минут
за оставленную заявку