Основы электроники и микропроцессорной техники
книга

Основы электроники и микропроцессорной техники

Автор: Ирина Матвеенко

Форматы: PDF

Издательство: РИПО

Год: 2015

Место издания: Минск

ISBN: 978-985-503-462-0

Страниц: 132

Артикул: 22994

Возрастная маркировка: 12+

Электронная книга
327.5

Краткая аннотация книги "Основы электроники и микропроцессорной техники"

Лабораторный практикум подготовлен в соответствии с типовой учебной программой «Основы электроники и микропроцессорной техники». Рассматриваются практические вопросы и методика изучения принципов работы элементов электронной техники, аналоговых и цифровых электронных устройств на компьютере с использованием программы схемотехнического проектирования Micro-Cap. Приведена методика работы с программой Micro-Cap при создании и анализе схем, исследуемых при выполнении лабораторных работ. Для выполнения лабораторных работ к учебному пособию прилагается электронный оптический диск. Предназначено для учащихся учреждений среднего специального образования по специальности «Энергетическое обеспечение сельскохозяйственного производства (электроэнергетика)».

Содержание книги "Основы электроники и микропроцессорной техники"


ПРЕДИСЛОВИЕ
ВВЕДЕНИЕ
Лабораторная работа № 1. Исследование полупроводниковых диодов
Лабораторная работа № 2. Исследование биполярного транзистора
Лабораторная работа № 3. Исследование полевого транзистора
Лабораторная работа № 4. Исследование тиристора
Лабораторная работа № 5. Исследование фотоприборов
Лабораторная работа № 6. Исследование однофазных выпрямителей и сглаживающих фильтров
Лабораторная работа № 7. Исследование стабилизаторов напряжения
Лабораторная работа № 8. Исследование многокаскадного усилителя с обратной связью
Лабораторная работа № 9. Исследование операционного усилителя
Лабораторная работа № 10. Исследование LC- и RC-автогенераторов
Лабораторная работа № 11. Исследование мультивибраторов
Лабораторная работа № 12. Исследование логических элементов
Лабораторная работа № 13. Исследование триггеров
Лабораторная работа № 14. Исследование двоичного счетчика и дешифратора
ПРИЛОЖЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА

Все отзывы о книге Основы электроники и микропроцессорной техники

Чтобы оставить отзыв, зарегистрируйтесь или войдите

Отрывок из книги Основы электроники и микропроцессорной техники

35С увеличением прямого анодного напряжения, приложенно-го между анодом и катодом, увеличивается прямое напряжение и на эмиттерных переходах. Электроны, инжектированные из п-эмиттера в р-базу, диффундируют к коллекторному перехо-ду П2, втягиваются полем коллекторного перехода и попадают в п-базу. Дальнейшему продвижению электронов по структуре ти-ристора препятствует небольшой потенциальный барьер эмиттер-ного перехода П3. Поэтому часть электронов образует избыточ-ный отрицательный заряд, который, понижая высоту потенциаль-ного барьера перехода П3, вызывает увеличение инжекции дырок из р-эмиттера в п-базу. Инжектированные дырки диффундируют к коллекторному переходу П3, втягиваются полем коллекторно-го перехода и попадают в р-базу. Дальнейшему их продвижению по структуре тиристора препятствует небольшой потенциальный барь ер эмиттерного перехода П1. Следовательно, в р-базе проис-ходит накопление избыточного положительного заряда, что обу-словливает увеличение инжекции электронов из п-эмиттера. Та-ким образом, в структуре тиристора существует положительная обратная связь по току – увеличение тока через один эмиттерный переход приводит к увеличению тока через другой эмиттерный переход. При некотором значении прямого напряжения, равном напряже-нию включения Uвкл, возникает лавинообразный процесс быстрого отпирания тиристора. Ток резко, скачком, возрастает (участок АБ на характеристике). В результате такого процесса на участке БВ тиристор считается открытым, а его вольт-амперная характери-стика подобна характеристике выпрямительного диода.Таким образом, тиристор при подаче на него прямого напряже-ния может находиться в двух устойчивых состояниях: закрытом (участок 0А) и открытом (участок БВ).Для запирания тиристора необходимо уменьшить его анодный ток до значения меньше тока удержания Iуд.Напряжение включения Uвкл можно уменьшить введением до-бавочных носителей заряда в любой из слоев, прилегающих к перехо...