Микроэлектроника
книга

Микроэлектроника : лабораторный практикум

Форматы: PDF

Издательство: Северо-Кавказский Федеральный университет (СКФУ)

Год: 2014

Место издания: Ставрополь

Страниц: 123

Артикул: 21586

Электронная книга
246

Краткая аннотация книги "Микроэлектроника"

В лабораторном практикуме изложены основные теоретические вопросы, описан порядок выполнения лабораторных работ. Лабораторный практикум может быть использован как руководство при выполнении лабораторных работ, так и для самостоятельной работы студентов при изучении теоретического материала по дисциплине «Микроэлектроника». При подготовке лабораторного практикума использованы лабораторные образцы и методические рекомендации ЭЗ «Протон» г. Зеленоград.

Содержание книги "Микроэлектроника"


Введение
Лабораторные работы
1.1. Изучение элементной базы, топологии и конструкции гибридных интегральных микросхем
2.1. Изучение свойств исходных пластин для изготовления полупроводниковых интегральных микросхем
2.2. Изучение топологии и конструкции полупроводниковых интегральных микросхем
3.1. Изучение техпроцесса изготовления двухслойной тонкопленочной ГИС
3.2. Изучение техпроцесса изготовления ГИС на полиимидном носителе и техпроцесса изготовления титалановой подложки
4.1. Изучение планарно-эпитаксиальной технологии изготовления полупроводниковых микросхем на биполярных транзисторах
4.2. Изучение технологических операций производства полупроводниковых микросхем на биполярных транзисторах
4.3. Измерение параметров слоев полупроводниковой микросхемы
5.1. Изучение техпроцесса изготовления ДМДП интегральной микросхемы
5.2. Изучение техпроцесса изготовления КМДП интегральной микросхемы
Рекомендуемая литература
Приложения
Приложение А
Приложение Б

Все отзывы о книге Микроэлектроника : лабораторный практикум

Чтобы оставить отзыв, зарегистрируйтесь или войдите

Отрывок из книги Микроэлектроника : лабораторный практикум

49 ные контактные площадки покрывают хромом, никелем, золотом или ванадием. Для пайки их целесообразно облуживать погруже-нием схемы в припой, при этом остальные пленочные элементы должны быть защищены. Алюминий обладает достаточно высокой коррозионной стой-костью и может использоваться как с защитным покрытием нике-ля или ванадия для обеспечения возможности пайки, так и без не-го, если присоединение навесных компонентов и создание внеш-них контактов осуществляется сваркой. Толщина медных и алю-миниевых проводников – 1 мкм. Для защиты от внешних воздействий и для предотвращения замыкания проводников и пересечений при однослойной разводке применяется защита негативным фоторезистом, как наиболее про-стая. Для многослойной разводки используют те же материалы, что и для диэлектрика конденсаторов, но с малым значением ди-электрической проницаемости с целью уменьшения паразитных связей между проводниками слоев. Методы нанесения тонких пленок 1. Метод термовакуумного испарения основан на создании направленного потока пара вещества и последующей конденсаци-ей на поверхности подложек, имеющих температуру ниже темпе-ратуры источника пара. Термическим испарением в вакууме удается получить наибо-лее чистые пленки. Достоинства этого метода: простота, высокая скорость осаждения пленок, возможность напыления многих ве-ществ. Однако этим методом трудно получать пленки из туго-плавких материалов сложного состава, имеющих различные ско-рости испарения отдельных компонент. Кроме того, для получе-ния высокого вакуума (10-5 – 10-7 Па) требуется сложная система. 2. Метод ионного распыления. При ионном распылении энер-гия, необходимая для отрыва атомов испаряемого вещества, воз-никает в результате бомбардировки его поверхности ионами плазмы. Источником ионов служит самостоятельный тлеющий разряд либо плазма несамостоятельного разряда (дугового или высокочастотного) инертных газов (обычно высокой чистоты ар-гона). Су...